长波InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器
报道了50%截止波长为12.5μm的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器材料及单元器件.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.吸收区结构为15ML(InAs)/7ML(GaSb),器件采用PBIN的多层异质结构以抑制长波器件暗电流.在77K温度下测试了单元器件的电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)特性,响应光谱和黑体响应.在该温度下,光敏元大小为100μm×100μm的单元探测器RmaxA为2.5Ωcm2,器件的电流响应率为1.29A/W,黑体响应率为2.1×109cmHz1/2/W,11μm处量子效率为14.3%.采用四种暗电流机制对器件反向偏压下的暗电流密度曲线进行了拟合分析,结果表明起主导作用的暗电流机制为产生复合电流.
2~5μm InAs/GaSb超晶格红外探测器
采用分子束外延方法在gasb和gaas衬底上生长了不同周期厚度的inas/gasb高质量ii型能带结构超晶格红外探测器,其探测波长覆盖2~5μm红外波段。采用高分辨透射电子显微镜、原子力显微镜、x射线衍射测试、室温与低温光电流响应谱及室温与低温光荧光谱等多种测试手段检验了分子束外延生长在不同衬底上的超晶格材料质量与光学质量。该材料用于制造2~5μmgaas基与gasb基inas/gasb超晶格红外探测器。在77k温度下,2μm波段gaas基inas/gasb超晶格红外探测器探测率为4×109cm·hz1/2/w,5μm波段gasb基inas/gasb超晶格红外探测器探测率为1.6×1010cm·hz1/2/w。
一种新型红外探测器的介绍——量子点红外探测器
本文简单介绍了半导体量子点材料的基本性质及相应的红外探测器的工作原理,并举例讨论了几种典型的量子点红外探测器的结构。最后,对量子点红外探测器的主要优点进行了总结。
红外探测器/前置放大器组件
vigo系统公司生产一种红外探测器/前置放大器组件,其应用包括非接触式测温、自由空间光学通信、激光探测、气体分析和傅里叶光谱学。探测器与一个交流或直流耦合的互跨阻抗或电压前置放大器集成在一起,用这种组件构成的仪器结构紧凑,使用方便,并能产生高信噪比。组件中的探测器为非致冷型或者热电致冷型探测器,其带宽可达250mhz。
红外探测器安装图
红外探测器安装图: 门磁安装图: 使用方法: ●首先把红外探测器安装在高约1.5~2.5米的地方,打开电源开关。安装时, 应调整探测器的倾斜角度,以使其探测距离最远。 ●按遥控器布防键,主机发出“嘀”声,约延时20秒后探测器进入布防状态, 有人进入监控区,主机即刻报警(人体横切探测器走动时,灵敏度较高)。每 次触发报警时间约为60秒,再次进入监控区,再次报警。 ●遇到紧急情况,按遥控器求救键,这时,探测器无论是处于布防或撤防状态, 即刻紧急报警求救。 ●探测器处于报警状态或紧急报警状态时,按遥控器上的撤防键,则立即停止 报警,并且有人在监控区活动也不报警。 安装指南: 1。探头应避免直对门窗口,以免误报; 2。应调整探测器的倾斜角度,以使其探测距离最远; 3。探头的菲妮尔透镜应保持干净,不能有遮挡物体; 4。探头应远离冷热源,例如空调出风口、暖气、冷气机等 5
法国的碲镉汞红外探测器
0引言在法国,碲镉汞的研究与发展已经有25年多的历史了,这项工作是该国sofradir工业集团公司和cea-leti公共实验室之间通过大力协作进行的。为了缩短该技术推向市场的时间,sofradir工业集团公司和cea-leti在grenoble地区成立了一个联合实验室(defir)。目前在该地区大约有600人在从事红外探测器的研制工作。碲镉汞红外探测器技术获得良好评价已经
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