一种高精度CMOS带隙基准和过温保护电路
在分析标准的CMOS带隙基准原理的基础上,设计了高精度、高电源抑制比的CMOS带隙基准电压发生器。其特点是采用内部电压减小电源噪声的影响;通过两个串联的二极管提高,减小运放失调的影响。该电路基于CSMC0.35um DPTM工艺,使用Spectre仿真该电路得到结果为,常温下输出电压为1.23V,在-20℃~80℃温度范围内温漂为10PPM/℃,在4V到7V范围内电源抑制比为0.01V/V,达到了设计的预期目标。
高性能快速启动CMOS带隙基准及过温保护电路
设计了一种新颖的具有快速启动的高性能cmos带隙基准,利用pn结正向导通压降具有负温度系数,偏置电路提供的偏置电流具有正温度系数,实现了过温保护。采用上华0.5μm的cmos工艺模型进行设计和仿真,cadencespectre模拟结果表明带隙基准电压为1.242v。该电路温度系数低,电源抑制比高,启动速度快(启动时间仅10μs),过温保护性能良好。
一种嵌入Bicmos带隙电路的过温保护电路
提出一种集成于带隙电路中的过温保护电路。该电路结构简单,在正常温度工作情况下不消耗额外功耗,具有低功耗的特性,同时电路不受电源电压变化的影响。电路采用jazz0.5umbicmos工艺库模型,对电路进行仿真表明,电路对电源电压变化的抑制能力强、对阈值温度和迟滞温度差的精度高。
一种带热滞回功能的CMOS温度保护电路
基于csmc0.5μmcmos工艺设计了一种带热滞回功能的高精度温度保护电路,利用晶体管pn结和ptat电流相反的温度特性,极大地提高了温差鉴别的灵敏度。cadencespectre仿真结果表明,该电路对温度灵敏度高,功耗低,且其热滞回功能可有效防止热振荡。比普通单pn结的温度保护电路具有更高的灵敏度和精度,可广泛用于各种功率芯片内部。
CMOS集成电路中电源和地之间的ESD保护电路设计
讨论了3种常用的cmos集成电路电源和地之间的esd保护电路,分别介绍了它们的电路结构以及设计考虑,并用hspice对其中利用晶体管延时的电源和地的保护电路在esd脉冲和正常工作两种情况下的工作进行了模拟验证。结论证明:在esd脉冲下,该保护电路的导通时间为380ns;在正常工作时,该保护电路不会导通,因此这种利用晶体管延时的保护电路完全可以作为cmos集成电路电源和地之间的esd保护电路。
低于1×10~(-6)/℃的低压CMOS带隙基准电流源
提出了一种新颖的cmos带隙基准电流源的二阶曲率补偿技术,通过增加一个运算跨导放大器(ota),使带隙基准参考电路的电流特性与理论分析相符合,实现低温度系数(tc)的参考电流。该电路采用smic0.13μm标准cmos工艺,可在1.2v的电源电压下工作,有效面积为0.045mm2。仿真结果表明,在-40~85℃温度范围内参考电流的温度系数为0.5×10-6/℃;当电源电压为1.1v时,电路依然可以正常工作,电源电压调整率为1mv/v。
输出电压低于1 V的无电阻CMOS带隙基准电压源(英文)
本文提出了一种带隙基准电压源,它能产生低于1v的精确基准电压.该电路有较高性能的启动电路使电路在上电时能进入正确的状态.在025μmcmos工艺条件下,电路的各项性能指标采用hspice进行模拟验证.模拟结果表明该电路在22v~33v的电源电压变化范围内、在-10~80℃温度变化范围内,输出电压的变化不超过11mv.
过欠电压保护电路)
成绩评定: 传感器技术 课程设计 题目过欠电压保护电路 摘要 当异动的电网电压高于或低于用电设备的正常工作电压范围时, 过欠电压报警装置能自动切断用电设备的电源,从而起到保护用电设 备的作用。当电网电压恢复到正常范围内后,当异动的电网电压高于 或低于用电设备的正常工作电压范围时,过欠电压报警装置能自动切 断用电设备的电源,从而起到保护用电设备的作用。 当电网电压恢复到正常范围内后。经过过欠电压报警装置电路的 延迟,将自动恢复电网电压对用电设备的供电,保证了用电设备正常 安全地运行。当电网交流电压≥250v或≤180v时,经本装置将切断 用电设备的交流供电。在电网交流电压恢复正常后,经过本装置恢复 用电设备的交流供电。 关键词:电压传感器,晶闸管,继电器。 目录 一、设计目的-------------------------1 二、设计任务与要求------
一种带温度保护和曲率补偿的带隙电压基准结构
介绍了带隙电压基准的一种改进设计,该结构通过引入mos管亚阈值区电流特性的曲率补偿和温度保护的特性,不仅使电路在规定温度范围内具有更低的温度系数(10ppm/℃),而且能保证在温度升高至超出此温度范围的时候,基准电路的温度保护部分将输出逻辑电平信号,以达到外部电路控制的目的.同时温度保护电路具有迟滞效应,避免电路在温度t时产生震荡效应.
高精度液位测量电路设计
目的设计一种高精度液位测量电路。方法利用磁致伸缩效应。结果完成了脉冲发射电路、回波接收电路、脉冲转换电路以及脉冲计数电路的设计。结论实验分析证明电路设计合理。
CMOS集成电路的闭锁特性和闭锁窗口分析
由于布局结构的复杂性,cmos集成电路可能存在多个潜在的寄生闭锁路径。各个闭锁路径因触发剂量率和闭锁维持电压、闭锁维持电流不同而相互影响,可能产生一个或多个闭锁窗口。在详细分析cmos集成电路闭锁特性的基础上,建立了"三径"闭锁模型,对闭锁窗口现象进行了合理解释。
最新5-6CMOS电路汇总
最新5-6CMOS电路汇总
CMOS光接收机前端放大电路
利用smic0.18μmcmos工艺设计了光接收机前端放大电路.在前置放大器中,设计了一种高增益有源反馈跨阻放大器,并且可以使输出共模电平在较大范围内调解.在限幅放大器中,通过在改进的cherry-hooper结构里引入有源电感负反馈来进一步扩展带宽.整个前端放大电路具有较高的灵敏度和较宽的输入动态范围.hspice仿真结果表明该电路具有119db的中频跨阻增益,2.02ghz的带宽,对于输入电流幅度从1.4μa到170μa变化时,50ω负载线上的输出电压限幅在320mv(v_(pp)),输出眼图稳定清晰.核心电路静态功耗为45.431mw.
射频CMOS电路与设计报告资料
射频cmos电路分析与设计 姓名颜朋飞 学号21306021078 班级13电子班 指导老师陈珍海 2 根据用途要求,确定 系统总体方案 cmos模拟集成电路设计与仿真 一、设计原理 ic设计与制造的主要流程 3 二、设计目的 本实验是基于微电子技术应用背景和《集成电路原理与设计》课程设置及其特点而设置, 为ic设计性实验。其目的在于: 根据实验任务要求,综合运用课程所学知识自主完成相应的模拟集成电路设计,掌握 基本的ic设计技巧。 学习并掌握国际流行的eda仿真软件cadence的使用方法,并进行电路的模拟仿真。 三、设计内容和功能 1、unix操作系统常用命令的使用,cadenceeda仿真环境的调用。 2、设计一个运算放大器电路,要求其增益大于40db,相位裕度大于60o,功耗小于10mw。 3
纳米/CMOS电路单元的快速映射
针对纳米/cmos混合电路(cmol)单元映射问题,提出一种基于混合遗传算法的映射算法.将任意布尔电路转换为适于cmol映射的基于或非门的电路,读入该电路进行染色体编码,形成初始种群;每一代种群经过二维交叉算子、变异算子进行解空间全局搜索,并引入模拟退火算法进行局部搜索使种群个体得以改进.对iscas和mcnc标准电路的实验结果表明,采用该算法进行求解不仅使电路面积小、时延短,且具有求解速度快、能处理规模较大电路的特点.
4·2GHz CMOS射频前端电路设计
设计并实现了一个工作在4.2ghz的全集成cmos射频前端电路,包括可实现单端输入到差分输出变换的低噪声放大器和电流注入型gilbert有源双平衡混频器。电路采用smic0.18μmrf工艺。测试结果表明,在1.8v电源电压下,电路的功率增益可达到26db,1db压缩点为-27dbm,电路总功耗(含buffer)为21ma。
开关电源的短路保护电路
开关电源的短路保护电路
欠电压断路器保护电路的改进
铝电解天车滑线电源控制系统采用的欠电压断路器(配置qt30-630syc400vac欠电压分励脱扣器,脱扣器输入电压ac380v,输出电压dc12v)一般安置在厂房两个工区之间的通廊边,每个工区相距几百米。根据欠电压分励脱扣器工作特点,在每隔10台电解槽处(50m左右)安装一个紧急按钮(图1),遇到紧急情况时按下紧急按钮,欠电压分励脱扣器失去380v工作电
开关电源的过流保护电路
针对当电源输出端超过额定负载或短路时,会对电源造成一定的损坏,使系统无法正常工作,介绍了几种电源的过流保护具体电路,并且对其工作原理进行了分析。
应用于LED驱动系统的带隙基准源电路
本文基于18vbi-coms工艺,设计一款应用于白光照明led驱动电路系统的带隙基准电路.文中详细阐述了该电路的工作原理和设计思想,并给出了基于cadence软件对该带隙基准电路的仿真结果.该电路利用pn反向饱和电流是温度指数函数的特性,即随着温度的升高,pn结的反向饱和电流将呈指数性增加,所设计的带隙基准源具有电路结构简单、电源抑制能力强和温度特性良好的特点.根据cadence仿真结果,表明该带隙基准源电路符合要求.
XPC分流器保护电路
p&h4100xpc电铲运行中,当电枢电流达到额定电流的140%时,分流器模块检测到过流现象,分流器保护电路开始运行。分流电路运行分为三个阶段:分流器电容充电、过流检测、关断晶闸管以及释放电机能量。
输出电压低于1 V的无电阻CMOS带隙基准电压源
本文提出了一种带隙基准电压源,它能产生低于1v的精确基准电压.该电路有较高性能的启动电路使电路在上电时能进入正确的状态.在0.25μmcmos工艺条件下,电路的各项性能指标采用hspice进行模拟验证.模拟结果表明该电路在2.2v~3.3v的电源电压变化范围内、在-10~80℃温度变化范围内,输出电压的变化不超过11mv.
YD—1型应急电源蓄电池过放电自动检测保护电路
大家知,蓄电池以超过规10小时放电率进行大电流长期放电或过放电,都会对其使用寿命有很大影响。因此,在使用中必须加以控制。笔者用电路搭接成一个防蓄电池过放电自动检测控制保护电路(图1)对yd—1型应急电源的蓄电池进行过放电自动检测保护。
快速稳定的CMOS电荷泵电路的设计
基于交叉耦合nmos单元,提出了一种低压、快速稳定的cmos电荷泵电路.一个二极管连接的nmos管与自举电容相并联,对电路进行预充电,从而改善了电荷泵电路的稳定建立特性.pmos串联开关用于将信号传输到下一级.仿真结果表明,4级电荷泵的最大输出电压为7.41v,建立时间为0.85μs.
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职位:土建项目工程师
擅长专业:土建 安装 装饰 市政 园林