二极管原理

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。

二极管原理基本信息

中文名称 二级管 外文名称 diode

二极管工作原理(正向导电,反向不导电)

晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成了空间电荷层,并且建有自建电场当不存在外加电压时,因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当产生正向电压偏置时,外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。(也就是导电的原因) 当产生反向电压偏置时,外界电场与自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。(这也就是不导电的原因) 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电常当不存在外加电压时,由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。

当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。

当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。

二极管原理造价信息

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反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。

雪崩击穿

另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结永久性损坏。

二极管内部构造

二极管的英文是diode。二极管的正.负二个端子,(如图)正端A称为阳极,负端K 称为阴极。电流只能从阳极向阴极方向移动。一些初学者容易产生这样一种错误认识?“半导体的一„半‟是一半的„半‟?面二极管也是只有一„半‟电流流动(这是错误的)?所有二极管就是半导体 ”。其实二极管与半导体是完全不同的东西。只能说二极管是由半导体组成的器件。半导体无论那个方向都能流动电流。

二极管原理常见问题

  • 二极管原理

    二极管是一种单向导电的半导体电子元件。    二极管是由一种叫PN结的半导体制成,从P型半导体中引出导线叫正极,从N型半导体中引出导线叫负极。    二极管有电...

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二极管(英语:Diode),电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过。许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管(Varicap Diode)则用来当作电子式的可调电容器。

大部分二极管所具备的电流方向性,通常称之为“整流(Rectifying)”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压),反向时阻断 (称为逆向偏压)。因此,二极管可以想成电子版的逆止阀。然而实际上二极管并不会表现出如此完美的开与关的方向性,而是较为复杂的非线性电子特征——这是由特定类型的二极管技术决定的。二极管使用上除了用做开关的方式之外还有很多其他的功能。

早期的二极管包含“猫须晶体("Cat's Whisker" Crystals)”以及真空管(英国称为“热游离阀(Thermionic Valves)”)。现今最普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。

1、正向性

外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。

2、反向性

外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二极管的反向饱和电流受温度影响很大。

3、击穿

外加反向电压超过某一数值时,反向电流会突然增大,这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热,则单向导电性不一定会被永久破坏,在撤除外加电压后,其性能可缓慢恢复,否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。

二极管是一种具有单向导电的二端器件,有电子二极管和晶体二极管之分,电子二极管现已很少见到,比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性,几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。

二极管的管压降:硅二极管(不发光类型)正向管压降0.7V,锗管正向管压降为0.3V,发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色,具体压降参考值如下:红色发光二极管的压降为2.0--2.2V,黄色发光二极管的压降为1.8—2.0V,绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V,正常发光时的额定电流约为20mA。

二极管的电压与电流不是线性关系,所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。[2]

1.整流

整流二极管主要用于整流电路,即把交流电变换成脉动的直流电。整流二极管都是面结型,因此结电容较大,使其工作频率较低,一般为3kHZ以下。

2.开关

二极管在正向电压作用下电阻很小,处于导通状态,相当于一只接通的开关;在反向电压作用下,电阻很大,处于截止状态,如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性,可以组成各种逻辑电路。

3.限幅

二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7V,锗管为0.3V)。利用这一特性,在电路中作为限幅元件,可以把信号幅度限制在一定范围内。

4.续流

在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起续流作用。

5.检波

检波二极管的主要作用是把高频信号中的低频信号检出。它们的结构为点接触型。其结电容较小,工作频率较高,一般都采用锗材料制成。

6.阻尼

阻尼二极管多用在高频电压电路中,能承受较高的反向击穿电压和较大的峰值电流,一般用在电视机电路中,常用的阻尼二极管有2CN1、2CN2、BSBS44等。

7.显示

用于VCD、DVD、计算器等显示器上。

8.稳压

这种管子是利用二极管的反向击穿特性制成的,在电路中其两端的电压保持基本不变,起到稳定电压的作用。常用的稳压管有2CW55、2CW56等。

9.触发

触发二极管又称双向触发二极管(DIAC)属三层结构,具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅;,在电路中作过压保护等用途。

二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。

编辑本段发光二极管

发光二极管也是由一个 PN 结构成,具有单向导电性。但其正向工作电压(开启电压)比普通二极管高,约为 1~2.5V,反向击穿电压比普通二极管低,约 5V 左右。当正向电流达到 1mA 左右时开始发光,发光强度近似与工作电流成正比;但工作电流达到一定数值时,发光强度逐渐趋于饱和,与工作电流成非线性关系。一般小型发光二极管正向工作电流为10~20mA,最大正向工作电流为 30~50mA。

发光二极管的外形可以做成矩形、圆形、字形、符号形等多种形状,又有红、绿、黄、橙、红外等多种颜色。它具有体积小、功耗低、容易驱动、光效高、发光均匀稳定、响应速度快以及寿命长等特点,普遍用在指示灯及大屏幕显示装置中

二极管原理文献

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精品文档 精品文档 LED发光二极管原理(图文) 半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称 LED)、数码管、符号管、米字管及点阵 式显示屏(简称矩阵管)等。事实上,数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元 都是一个发光二极管。 一、 半导体发光二极管工作原理、特性及应用(一) LED发光原理 发光二极管是 由Ⅲ -Ⅳ族化合物,如 GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的, 其核心是 PN结。因此它具有一般 P-N结的 I-N 特性,即正向导通, 反向 截止、击穿特性。 此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由 N区注入 P区,空穴由 P 区注入 N区。进入对方区域的少数载流子 (少子) 一部分与多数载流子 (多子)复合而发光, 如图 1 所示。 假设发光是在 P区中发生的, 那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光, 或者先被发 光

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生活中随处可见发光二极管的影子,他已经成为了我们生活中的必需品,但是很多人并不知道发光二极管为什么会发光,更不知道,什么样的二极管发出什么颜色的光,这里我们就来简单了解一下发光二极管原理。

50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识,第一个商用二极管产生于1960年。LED是英文light emitting diode发光二极管的缩写。

它的基本结构是一块电致发光的半导体材料,置于一个有引线的架子上,然后四周用环氧树脂密封,起到保护内部芯线的作用,所以LED的抗震性能好。

发光二极管的核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片,在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层,称为PN结。在某些半导体材料的PN结中,注 入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来,从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压,少数载流子难以注入,故不发光。这种 利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管,通称LED。 当它处于正向工作状态时(即两端加上正向电压),电流从LED阳极流向阴极时,半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线,光的强弱与电流有关。

发光二极管构造图

以下是传统发光二极管所使用的无机半导体物料和所它们发光的颜色

铝砷化镓(AlGaAs)-红色及红外线

铝磷化镓(AlGaP)-绿色

磷化铝铟镓(AlGaInP)-高亮度的橘红色,橙色,黄色,绿色

磷砷化镓(GaAsP)-红色,橘红色,黄色

磷化镓(GaP)-红色,黄色,绿色

氮化镓(GaN)-绿色,翠绿色,蓝色

铟氮化镓(InGaN)-近紫外线,蓝绿色,蓝色

碳化硅(SiC)(用作衬底)-蓝色

硅(Si)(用作衬底)-蓝色(开发中)

蓝宝石(Al2O3)(用作衬底)-蓝色

zincselenide(ZnSe)-蓝色

钻石(C)-紫外线

氮化铝(AlN),aluminiumgalliumnitride(AlGaN)-波长为远至近的紫外线

PIN二极管是两端半导体器件,其结构不同于普通二极管的地方主要是在重掺杂的P区和N区中间夹一层本征层(即I层)。在其两端施加不同的直流电,PIN管本征层(I层)的载流子数目会发生变化。在反向偏置时,I区将导致极高的二极管击穿电压,而器件电容是通过增大P区和N区的距离来减小的,在正向偏置时,I区的电导率是由末端区植入电荷来控制的。这种二极管是一种低失真的偏流控制电阻器,且具有良好的线性性能。PIN二极管的直流福安特性和PN结二极管是一样的,但是在微波段却有本质的差别。由于PIN二极管I层的总电荷主要是由偏置电流决定的,而不是微波电流瞬时值产生的所以对微波信号只呈现一个线性电阻。该阻值由直流偏置决定,正偏时阻抗很小,接近短路;反偏时很大,接近开路。因此,PIN二极管对微波信号不产生非线性整流作用,这是和普通二极管的根本区别。

二极管钳位保护电路是指由两个二极管反向并联组成的,一次只能有一个二极管导通,而另一个处于截止状态,那么它的正反向压降就会被钳制在二极管正向导通压降0.5-0.7以下,从而起到保护电路的目的。

钳位电路的作用是将周期性变化的波形的顶部或底部保持在某一确定的直流电平上。常见的二极管钳位电路。设输入信号,在零时刻,uO(0+)=+EuO产生一个幅值为E的正跳变。此后在0~t1间,二极管D导通,电容C充电电流很大,uC很快等于E,致使uO=0。在t1时刻,ui(t1)=0,uO又发生幅值为-E的跳变,在t1~t2期间,D截止,充电电容C只能通过R放电,通常,R取值很大,所以uC下降很慢,uO变化也很小。在t1时刻uI(t2)=EuO又发生一个幅值为E的跳度,在t2~t3期间,D导通,电容C又重新充电。与0~t1期间内不同,此时电容上贮有大量电荷,因而充电持续时间更短,uO更迅速地降低为零。以后重复上述过程,uO和uC的波形。可见,uO的顶部基本上被限定在零电平上,于是,就称该电路为零电平正峰(或顶部)钳位电路。

将二极管反接,便可把输入矩形波的底部钳位在零电平上,形成零电平负峰(或底部)钳位电路。

三极管钳位电路,如将其be结也看成是一个二极管,那么,就钳位原理而言,所示电路完全一样,只不过该电路还具有放大作用而已

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