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更新时间：2024.04.15
设计了一款55V N沟道沟槽型功率器件。通过对元胞与边端进行理论分析,结合实际工艺,对元胞与边端进行合理优化。通过对流片测试数据的分析,最终实现击穿电压为69.562V、阈值电压2.85V、特征导通电阻537.8 mΩ·cm2的功率器件设计。仿真与流片的击穿电压偏差1.5%、阈值电压偏差2.4%、导通电阻偏差0.83%,器件具有较高的可靠性。
几款不错的场效应管功放电路图 几款不错的场效应管功放电路图 场效应管多管并联输出， 500W。 场管跟普功率最大不同就是场管是用电压驱动， 在驱动级上有些不一样， 没弄过场管功放， 音质怎要看你设计和工艺！ IRFB33N15D 是一颗非常好的 MOS 管，其导通内阻低达 56m，最大电流为 33A，耐压却 有 150V，常用于 DC/DC 的变换器中，当然，在数字功放中，也经常应用。 其也有不足的地方，其输入电容为 2020pF，和常见的 MOS 管一样，在驱动它时，就要采 用特殊电路来驱动，如同你的电路中的 R29和 D3 并联电路，也是业界惯用手法，其作用 是： 当没有 R29时，Q7的栅极直接接前面的 IC 引脚，其内部都是图腾柱电路， 由于是容性负 载，都会有振荡产生，从而使驱动波形出现振铃现象，产生的后时是， MOS 管开启不够， 内阻大，效率低。 串入 R29可以消除这种振荡
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