基于MMIC技术的S波段GaAs单刀单掷开关

巧用单刀双掷开关

东芝公司推出一种新的小型低断面gaasmesfet、单刀双掷开关。这种小型开关非常适用于多波段/多模蜂窝天线开关组件、蓝牙组件和无线局域网。上述gaasmesfetmmic1ghz下插损0.35db(2ghz下0.40db),1ghz和2ghz下隔离24db。其功率性能优良,25ghz下1db压缩功率(p1db)为17dbm,对于极小型低断面封装而言,上述功率性能是非常之好了。这种tg2217ctb型单刀双掷开关采用甚小低断面无引线6针芯片级封

设计并实现了5mm(u频段)单刀双掷(singlepoledoublethrow,spdt)开关模块。该开关模块采用鳍线并联pin二极管电路结构形式,通过采用一种全新的高隔离度措施,获得高隔离、低插损开关特性。经加工测试,开关模块在50~56ghz频带内隔离度大于50db,插损小于2.3db。该模块已应用于5mm射频组件中。

custommmic公司是单片微波集成电路开发商,最近在其标准产品序列中又添加了一种新的单刀双掷开关-cmd230。据称,这是该公司单刀双掷开关中插入损耗最小的,为1.4db。cmd230是以芯片形式存在的通用宽带高隔离反射的mmicspdt。带宽涵盖dc-26ghz,具有低的插入损耗(1.4db),输入ip3为37dbm,13ghz时具

介绍了大功率pin开关的设计原理。采用这一原理设计了vhf波段大功率单刀三掷开关。开关在小信号下插入损耗小于0.3db,施加脉冲功率2000w时插入损耗小于0.6db。

采用pin二极管工艺技术,设计、制作了一种微波单端匹配式pin单刀单掷功率开关芯片,并给出了详细测试曲线。该开关由四级pin二极管组成,采用单端匹配结构。工作频率8～10ghz,整个带内插入损耗小于0.7db,输出端口驻波比小于1.4:1,输入端口开关态驻波比均小于1.4:1,在9ghz点频下测得1db压缩点输入功率大于31dbm,芯片内部集成偏置电路,采用+5v/-5v供电,在+5v工作条件下,电流20ma。该芯片面积为2.0mm×1.4mm。

以0.25μmgaasphemt为基础,介绍了微波单片集成电路开关模型的设计、测试及建模过程,并以此平台开展了单刀双掷开关芯片的设计与研制。讨论了phemt开关建模的重要性,解决了建模中的关键问题,包括开关的设计、测试系统的校准、模型参数的提取,建立了毫米波范围内高精度的等效电路模型。单刀双掷开关的设计采用了并联式反射型电路拓扑,开关的测试采用了微波探针在片测试系统,在18~30ghz获得了优异的电性能,插入损耗il≤1.5db,输入/输出驻波比vswr≤1.5∶1,关断状态下的隔离度iso≥30db,芯片尺寸为1.2mm×1.8mm×0.1mm。

西安电子科技大学 硕士学位论文 双通道单刀双掷模拟开关的设计 姓名：黄丽芳 申请学位级别：硕士 专业：微电子学与固体电子学 指导教师：贾护军 20090101 双通道单刀双掷模拟开关的设计 作者：黄丽芳 学位授予单位：西安电子科技大学 本文链接：http://d.g.wanfangdata.com.cn/thesis_y1556615.aspx 下载时间：2010年4月14日

单刀双掷开关是生产、生活中常用的一种开关,也是初中学段一种较为复杂的开关.学生对这种开关的设计原理往往理解不透,对接线方法容易搞错.本文从学生熟悉的单刀单掷开关入手,通过一系列问题设计,逐步迁移到单刀双掷开关,从而使学生对为什么要设计单刀双掷开关、单刀双掷开关如何接线有了深刻的理解,便于学生掌握.

单刀双掷开关是生产、生活中常用的一种开关,也是初中学段一种较为复杂的开关.学生对这种开关的设计原理往往理解不透,对接线方法容易搞错.本文从学生熟悉的单刀单掷开关入手,通过一系列问题设计,逐步迁移到单刀双掷开关,从而使学生对为什么要设计单刀双掷开关、单刀双掷开关如何接线有了深刻的理解,便于学生掌握.

单刀双开关 开关中单刀双掷与单刀单掷有什么区别？ 船形开关分类:单刀单掷:1个动触点和1个静触点。只有1通道／— 单刀双掷:1个动触点和2个静触点，—／—(可分别接通两边的静触 点)双刀单掷，2个动触点和2个静触点，有2个通道‖双刀双掷，2 个动触点和4个静触点，有4个通道〓(可分别接通两边的2个静触 点))参考:... 单刀双掷开关怎么接 首先要认清单刀双掷开关的动端和不动端，动端就是所谓的“刀”， 它应该连接电源的进线，也就是来电的一端，一般也是与开关的手柄 相连的一端；另外的两端就是电源输出的两端，也就是所谓的不动端， 它们是与用电设备相连的。单刀双掷开关的作用，一是可以控制电源 向两个不同的方向... 单刀双掷开关初中物理题 你问对我啦。单刀开关的两端分别接r0和rx，r0,rx另两端接在一 起把电流表接在干路，总开关接在

利用高衬底电阻率的180nm绝缘体硅(soi)cmos工艺设计了一种全集成的可用于手机和无线手持设备的多模多频单刀十六掷(sp16t)天线开关。由于衬底电阻率高达1kω·cm,且在器件选取和电路结构设计方面采用了多种技巧,实测结果显示,十六路开关分支的插损0~3ghz频段内均小于2db,隔离度平均大于35db,回波损耗小于-20db,功率处理能力超过36dbm,完全满足设计要求。

as1747兼具0．4ω的超低通态电阻与小于0．03ω的通道间匹配，从而使通道间的信号差异降至最低。另外，as1747还具有0．25ω的导通电阻平坦度。综合上述优势，该器件使总谐波失真（thd＋n）降至仅0．01％，可获得优异的音频信号品质。

本设计实例介绍了对某种旧设计的增强措施(参考资料1)。图1中的电路使用常开型单刀单掷按钮开关s1,它代替了原始设计要求的单刀双掷开关。您可以使用膜片开关来大大简化该器件的工业设计并增强它的人机控制特性。另外,该电路消除了流过未动作开关的电流,由此略微减少了工作模式中的泄漏电流。

单刀双掷（也称单开双控）开关 在照明电路中的应用 江苏省泗阳县李口中学沈正中 照明电路中的墙面板开关，一般有单（一）开单（一）控开关 （也称单刀单掷开关）、双（两）开单（一）控开关、三开单（一） 控开关、四开单（一）控开关、单（一）开双控开关（也称单刀 双掷开关）、双（两）开双（两）控开关、三开双（两）控开关、 四开双（两）控开关，这里的“单（一）开、双（两）开、三开、 四开”是指开关的个数。 双控开关可以作单控开关用，但单控开关不能作双控开关用。 单开双控开关接线原理图如下： 单开双控实物接线图如下： 下图是单开双控开关的实物图 下图是双开双控开关的实物： 注意，双控开关有3、6、9、12、,,个接线孔的，买开关时 要看清楚。 一开双控开关有四种接法，见下图。 上图中的四种接法虽然能达到控制灯的开与关，但前两种不太安 全，不建议使用这两种方法。因为灯关掉后，灯的两边（有可能）

设计了一款工作频率为dc～35ghz的超宽带单刀四掷开关单片集成电路,其单片电路内部集成了驱动2∶4译码器。通过ads软件对多种开关电路拓扑进行优化,设计出了一种合理的开关结构。采用先进的e/dphemt工艺进行版图设计并进行了版图电磁场仿真验证,在gaasphemt工艺线上进行了流片,对制作的芯片进行了在片测试,测试结果表明,在dc～35ghz频率范围内,单刀四掷单片开关的插入损耗(il)小于3.5db,隔离度大于30db,回波损耗小于-10db,易于控制,满足设计要求,在微波电路t/r组件中有很好的应用前景。目前未见同类超宽带单刀四掷单片开关的相关报道。

采用gaaspin工艺设计和制作了毫米波超宽带大功率单刀双掷开关单片集成电路。在gaaspin二极管建模阶段充分考虑寄生效应对模型的影响,获得高精度模型;在电路设计阶段采用gaaspin二极管单级并联结构,提高功率特性;在工艺加工阶段调整p+层、n+层的掺杂浓度和i层的厚度,获得低损耗、高功率特性的gaaspin二极管;最终制备的单刀双掷开关芯片在片测试表明,在25～40ghz范围内插入损耗小于1.0db,隔离度大于25db,输入输出电压驻波比小于2.0∶1,具有优异的宽带小信号特性;35ghz下承受功率高达34dbm,具有非常好的功率特性。

对单刀双掷射频同轴继电器的工作原理和主要技术指标进行了介绍,重点阐述了产品结构、ttl电路控制系统、电磁系统及射频传输切换系统的设计方法,对同类产品的设计具有一定的参考意义。

单刀双掷（也称单开双控）开关 在照明电路中的应用 江苏省泗阳县李口中学沈正中 照明电路中的墙面板开关，一般有单（一）开单（一）控开关 （也称

采用阶跃阻抗传输线和扇形微带短截线,实现了单刀双掷开关的直流偏置,使直流支路与毫米波支路之间的隔离度大于30db,带宽超过25%,在中心频率30ghz附近回波损耗大于40db。采用这种直流偏置电路和pin梁式引线二极管,基于ltcc工艺对单刀双掷开关串联结构进行仿真。设计结果表明在28.5～31.5ghz频率范围内,串联开关的插入损耗小于1.5db,回波损耗大于15db,隔离度大于20db。

采用两个pin二极管设计、仿真,制作了一个8～20ghz并联结构的高功率容量的单刀双掷开关。首先通过采用一个新的电路结构,该电路结构除了传统的并联pin单刀双掷开关结构外,还有微带线匹配电路部分,克服了并联结构单刀双掷开关难以实现大的带宽的缺点。然后选择合适的二极管,根据其参数,建立开路、短路等效电路模型;利用ansoftdesigner软件对电路进行了仿真和优化。最后根据优化结果制作并测试了单刀双掷开关。该单刀双掷开关插入损耗在频率8～20ghz内小于1.7db,在频率8～15ghz内小于1.5db;开关隔离度在整个频带内大于21db;在14ghz耐功率容量大于10w(cw)。

本文介绍了一种利用单驱动电压控制通路选择的新型rfmems单刀双掷开关,利用三维仿真软件ansofthfss和ansys进行仿真和优化设计该开关的性能。仿真结果表明:驱动电压为22v,开关时间为22μs,在中心频率30ghz处,开关处于down状态下的插入损耗为0.42db,回波损耗为43db,隔离度为29db;而当开关处于up状态的插入损耗为0.53db,回波损耗为19db,隔离度为28db,该开关的性能仿真和优化设计达到理想情况。。