硅光电池测量硅单晶半导体材料的禁带宽度

半导体材料7半导体照明工程材料

半导体(电子)及太阳能电池材料的多晶硅 一、概要 1、从锗到硅 锗：融点960℃用石英或炭的容器来熔化。 硅：融点1420℃炭和石英反应生成。（沸点：2355℃） 最初半导体的产生从生产使用方便的锗材料开始的，随着技术进步，开始使用了特别显 著性质的硅（从1965年的硅的生产量超过了锗的生产量），用于太阳能电池就从这时开始的。 2、硅的特性 半导体：导体、绝缘物的中间导电物。 导电：有p型与n型。根据温度有所变化，p型n型的结合。（p型：空穴；n型：电 子） 常温下，本征半导体硅的电导率是230000ω·cm，1100℃时为0.01ω·cm.纯度为9个9 时为100ω·cm，10个9时为1000ω·cm。所含杂质越多，导电性越好。 3、高纯度多晶硅的技术变化 进入1950年开始工业性生产（美国du-pont）日本是从进入1960年代

设计的机械传动装置,通过外在的信号检测与光电转换电路控制,在电机的正反转驱动下,带动太阳能硅光电池板实现俯仰和周转两个方向的太阳跟踪运动,确保太阳能集光板自始至终与太阳光线呈90°的最大集能角度,从而收到最好的集能效果。

厦门大学采用氧化锌和硒化锌两种宽带隙半导体材料，成功研制出一种新型太阳能电池，大大稳定了太阳能电池的性能并延长了其使用寿命，在国际上首次实现了宽带隙半导体在太阳能电池中的应用。

　第30卷第3期硅酸盐学报vol.30,no.3 　2002年6月journalofthechineseceramicsocietyjune,2002 综合评述　　　宽带隙半导体材料sic研究进展及其应用 王玉霞,何海平,汤洪高 (中国科学技术大学材料科学与工程系,合肥　230026) 摘　要:sic是第3代宽带隙半导体的核心材料之一,具有极为优良的物理化学性能,应用前景十分广阔.本文综合介绍sic的基本特性,材 料的生长技术(包括体单晶生长和薄膜外延生长技术),sic基器件的研发现状,应用领域及发展前景.同时还介绍了作者用脉冲激光淀积法 在si衬底上制备出单晶4h-sic薄膜的研究结果. 关键词:碳化硅;体单晶生长;薄膜;器件 中图分类号:tn

单晶硅硅太阳能电池(课堂PPT)

单晶硅硅太阳能电池

第三代半导体材料的发展及应用

1 单晶硅、多晶硅、非晶硅太阳能电池的区别 太阳能电池最早问世的是单晶硅太阳能电池。硅是地球上极丰富的一种元素，几乎遍地都有硅的 存在，可说是取之不尽，用硅来制造太阳能电池，原料可谓不缺。但是提炼它却不容易，所以人 们在生产单晶硅太阳能电池的同时，又研究了多晶硅太阳能电池和非晶硅太阳能电池，至今商业 规模生产的太阳能电池，还没有跳出硅的系列。其实可供制造太阳能电池的半导体材料很多，随 着材料工业的发展、太阳能电池的品种将越来越多。目前已进行研究和试制的太阳能电池，除硅 系列外，还有硫化镉、砷化镓、铜铟硒等许多类型的太阳能电池，举不胜举，以下介绍几种较常 见的太阳能电池。 单晶硅太阳能电池 单晶硅太阳能电池是当前开发得最快的一种太阳能电池，它的构成和生产工艺已定型，产品已广 泛用于宇宙空间和地面设施。这种太阳能电池以高纯的单晶硅棒为原料，纯度要求99.999％。 为了降低生产成本

单晶硅太阳能电池的研究讲解

用分子束外延设备在c面蓝宝石衬底上生长得到高质量mgxzn1-xo薄膜。x射线衍射显示,当mg摩尔分数在0~32.7%范围内时,薄膜保持六方结构,(002)衍射峰半高宽为0.08°~0.12°,薄膜结晶质量与现有报道的最高水平相当。随着薄膜中mg含量的增加,紫外发光峰由378nm蓝移至303nm。对mg0.108zn0.892o薄膜变温光致发光光谱的研究发现,束缚激子发光随温度变化存在两个不同的猝灭过程。对不同mg含量薄膜共振拉曼光谱的研究发现,a1(lo)声子模频移与mg含量在一定范围内呈线性关系,这为确定mgxzn1-xo薄膜中的mg含量提供了一种简单高效的方法。通过拉曼光谱与x射线衍射对比研究发现,拉曼光谱在确定mgzno材料相变时具有更高的灵敏度。最后,研究了mg0.057zn0.943o薄膜的变温共振拉曼光谱,对a1(lo)和a1(2lo)声子模随温度而变化的现象给出了一定的理论解释。

第三代半导体材料在led产业中的发展和应用3 雷　通,王小平,王丽军,张　雷,吕承瑞,王隆洋 (上海理工大学理学院,上海200093) 摘要　　led产业目前发展非常迅速,led白光照明和全色显示的前景被普遍看好。宽禁带半导体在led产 业中的应用是推动led产业向前发展的一个重要动力,并已成为很多国家研究和开发的热点。目前宽禁带半导体 在led产业中发展很快,其应用越来越广泛,相关技术也日渐成熟。综述了几种具有代表性的第三代半导体材料在 led产业中的发展和应用以及各自面临的问题。 关键词　　宽禁带半导体材料　sic　gan　zno　金刚石　发光二极管 中图分类号:tn312.8;tn304 developmentandapplicationofthe3rd2generation2se

利用光谱下转换效应来改善太阳能电池的短波长光谱响应被认为是一种可行的方法.文章采用掺有稀土元素铈(ce)的钇铝石榴石(yag∶ce)荧光粉作为光谱下转换材料,将该荧光粉引入到单晶硅太阳能电池的玻璃板与聚乙烯-聚醋酸乙烯酯共聚物(eva)胶膜之间,来改善单晶硅太阳能电池的短波长光谱响应.测试结果表明,在波长小于480nm的范围内,含有yag∶ce荧光粉的单晶硅太阳能电池的外量子效率高于不含yag∶ce荧光粉的单晶硅太阳能电池,从而改善了单晶硅太阳能电池的转换效率.

用硅晶体管芯替代光敏电阻和光电池周天翔（浙江长兴县教学仪器站３１３１００）３ｄｄ１５一类硅大功率晶体管芯受到光照后，它的ｂｅ结相当于一片小型的硅光电池，它的ｅｃ极之间，相当于一只性能很好的光敏电阻（图１）．图１管脚排列图用万用表ｒ×１０ｋ档，黑表笔（...

太阳能光伏发电之单晶硅、多晶硅、非晶硅电池的区别 光伏发电主要是靠电池来吸引太阳能转化为电能，在安装光伏电站前，还需要对电池有个明 确的了解，这样才能更好地选择光伏产品。目前市面上的太阳能电池主要有单晶硅、多晶硅 与非晶硅电池，今天就来告诉大家三种电池各有什么特征和优缺点！ 1、外观上的区别 从外观上面看的话，单晶硅电池的四个角呈现圆弧状，表面没有花纹；而多晶硅电池的四个 角呈现方角，表面有类似冰花一样的花纹；而非晶硅电池也就是我们平时说的薄膜组件，它 不像晶硅电池可以看出来栅线，表面就如同镜子一般清晰、光滑。 ▲单晶硅电池 ▲多晶硅电池 ▲薄膜组件 2、使用上面的区别 对于使用者来说，单晶硅电池和多晶硅电池没有太大的区别，它们的寿命和稳定性都很好。 虽然单晶硅电池平均转换效率要比多晶硅高1％左右，但由于单晶硅电池只能做成准正方形 （四边都是圆弧状），因此当组成太

用硅晶体管芯替代光敏电阻和光电池周天翔（浙江长兴县教学仪器站３１３１００）３ｄｄ１５一类硅大功率晶体管芯受到光照后，它的ｂｅ结相当于一片小型的硅光电池，它的ｅｃ极之间，相当于一只性能很好的光敏电阻（图１）．图１管脚排列图用万用表ｒ×１０ｋ档，黑表笔（...

单晶硅硅太阳能电池PPT课件

发光二极管 发光二极管简称为led。由含镓（ga）、砷（as）、磷（p）、氮（n）等的化合物 制成。 发光二极管应用情况： 随着发光二极管高亮度化和多色化的进展,应用领域也不断扩展.从下边较低光通量的指 示灯到显示屏,再从室外显示屏到中等光通量功率信号灯和特殊照明的白光光源,最后发展到 右上角的高光通量通用照明光源.2000年是时间的分界线.在2000年已解决所有颜色的信号 显示问题和灯饰问题,并已开始低、中光通量的特殊照明应用,而作为通用照明的高光通量白 光照明应用,似乎还有待时日,需将光通量进一步大幅度提高方能实现.当然,这也是个过程,会 随亮度提高和价格下降而逐步实现。 1.led显示屏 自20世纪80年代中期,就有单色和多色显示屏问世,起初是文字屏或动画屏.90年代初, 电子计算机技术和集成电路技术的发展,使得led

综述了近年来我国硅材料工业的发展状况,提出了加强投资、提高效益、开拓市场等进一步加快发展的设想。

综述了近年来我国硅材料工业的发展状况,提出了加强投资、提高效益、开拓市场等进一步加快发展的设想。

半导体发光材料的受激发光存在下面三种情况,1.本征辐射,导带中的电子直接与价带中的空穴复合发射光子,光子的能量等于禁带宽度hv=eg,而禁带宽度eg取决于具体的晶体结构。2.激子复合产生辐射,在温度较低时在禁带中形成束搏态

单晶硅太阳能电池与多晶硅太阳能电池区别和共同点 单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成 许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶 核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在 物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶 硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的 半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必 须达到九个9。目前，人们已经能制造出纯度为十二个9的单晶硅。单晶硅是电 子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。 多晶硅是制造单晶硅的原料。 单晶硅太阳能电池转化的效率更高些！ 单晶硅与多晶硅的区别在于它们的原子结构排列单晶是有序排列多晶是 无序排列主要是有它们的