低导通电阻沟槽栅极LIGBT的模拟

针对异形截面环件壁薄、断面形状较复杂的特点,可用辗压工艺成形内沟槽环件。利用有限元数值模拟技术,研究了辗压过程中金属变形流动特点、成形规律等,并分析了轧制孔型、摩擦因数、进给速度对成形效果的影响。结果表明:采用辗压成形内沟槽环件,工艺过程简单;轧制孔型、摩擦因数对成形效果影响较大。

基于仿生微小非光滑表面具有减黏降阻特性的基本思想,在高速转动旋成体表面布置不同深度和间距的三角形沟槽.采用rngκ-ε模型对其三维流场进行模拟,分别计算表面光滑旋成体与表面具有三角形沟槽的旋成体壁面阻力系数,对比两者壁面剪应力大小可知,将三角形沟槽布置于高速旋转的旋成体表面,可降低旋成体在高速转动时壁面的空气阻力,从而降低动力消耗,并且沟槽深度和间距均对旋成体壁面阻力产生不同影响.与光滑旋成体相比,三角形沟槽旋成体最大减阻率为12.060%.

vishay宣布发布其新型p通道trenchfet第三代技术的首款器件——si7137dp,该20vp通道mosfet采用so-8封装,具备业内最低的导通电阻。

为增加镀锌钢板电阻点焊电极寿命,在普通铬锆铜电极表面沉积镍和金属陶瓷涂层后,研究涂层电极与无涂层普通电极的寿命.结果表明,相同条件下,涂层电极使用寿命大约是普通电极使用寿命的2.5倍;涂层电极抗塑性变形能力明显高于普通电极;普通电极端面有明显坑蚀、裂纹、合金层、自愈合层,而电极表面涂层能有效防止镀锌钢板电阻点焊过程中由于锌的扩散导致的粘连、剥离,从而减少合金元素zn向电极端面的扩散,防止锌和电极合金形成脆性金属间化合物.

-75- 惠斯通电桥测检流计灵敏度 电桥种类较多，用途各异。按其工作状态，可分为平衡电桥和非平衡电桥；按其工 作电源可分为交流电桥和直流电桥两大类。直流电桥又有单臂电桥和双臂电桥之分，即 常说的惠斯通电桥和开尔文电桥。惠斯通电桥适用于测量中等大小阻值的电阻，测量范 围为10~106。 1.实验目的：（1）了解惠斯通电桥的结构和测量原理。（2）掌握用自搭惠斯通电桥测量 电阻。（3）学习电桥测电阻的不确定度计算方法。 2.实验仪器：直流稳压电源，检流计，滑线变阻器，电阻箱（三个），保护电阻（附短 路开关），待测电阻，导线 3．实验原理 (1)惠斯通电桥的线路原理 图5-1为惠斯通电桥的原理图，待测电阻rx和r1、r2、r0四个电阻构成电桥的四个 “臂”，检流计g连通的cd称为“桥”。当ab端加上直流电源时，桥上的检流计用来检 测其间有无电流及比较“桥

电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从去年4月份开始以"电力电子器件知识"为题开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。

电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从去年4月份开始以＂电力电子器件知识＂为题开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。

随着金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistors,mosfets)等比缩小迈向45nm技术节点,金属栅极已应用于新型mosfet器件,改善了与高k栅介质的兼容性,并消除了传统多晶硅栅极的栅耗尽及硼穿透等效应.文章综述了pmos器件金属栅极材料的发展历程、面临的主要问题以及未来的研究趋势等.

在某蒸汽轮机末级静叶叶栅压力面中后部表面上设置了"后仰"的除湿沟槽,通过全三维两相流动数值模拟,探讨了该除湿沟槽的除湿机理。数值计算结果表明,设计的除湿沟槽能在槽道内建立起沿叶高方向的负压力梯度,正是因这种压力分布使槽道内的流体具有向上运动的能力,这样便于沟槽内的液体水向叶片顶部端壁汇聚,进而排流出叶栅流道。计算结果还表明,该除湿沟槽对蒸汽流道的汽动参数(压力和干度等)分布几乎没有形成影响。

利用有限元分析软件marc对"沟槽蒙皮"结构的激光焊接过程进行三维数值模拟,涉及了激光焊接复合热源模型的确定,热力学边界条件的简化,数值模拟温度场的验证,以及残余变形和应力分布结果的分析和讨论。研究了结构上规则排列的多道焊缝的施焊顺序对焊接残余应力和变形的影响。结果表明,不同焊接顺序所产生的变形状态相同,变形量有区别,而残余应力的分布则不同,以由外向中的对称顺序进行焊接时,结构的焊后残余变形最小,残余应力的分布比较均匀,峰值最小。

通过器件模拟并结合实验结果,在已有pin(positiveintrinsicnegative)和dpd(doublephoto-diodes)探测器电路模型基础之上,对带浅沟槽隔离(sti)准pin结构的dpd探测器电路模型进行了探讨。模拟了由深n阱和浅沟槽给dpd带来的性能上的改变,同时结合实验结果,从响应电流和探测器的等效串联电阻两方面对电路模型进行了修正,得到了符合该器件的较准确电路模型。

电阻点焊是在汽车车身装配过程中应用最广泛的一种焊接工艺,点焊工艺过程的效率依赖于电极头的寿命,而电极头水冷效果的好坏与连续工况下电极头的寿命直接相关。围绕电阻点焊工艺过程中冷却水的冷却作用问题,运用数值模拟的方法,真实地模拟了电极头冷却腔内流体流动的情况,并对冷却水作用和电极头对流换热的问题进行了详尽的分析,为进一步提高电极头水冷效果,延长电极头寿命奠定了基础。

1 梧州学院学生实验报告 成绩：指导教师： 专业：机械设计制造及其自动化班别：3班实验时间：2001.9.14 实验人：马科学号：1001901317同组实验人：林垂高 实验名称：实验十二用惠斯登电桥测电阻 实验目的：1．掌握用惠斯登电桥测电阻的原理。 2．学会用惠斯登电桥测电阻。 3．了解电桥灵敏度的概念以及提高电桥灵敏度的几种方法。 实验仪器：电阻箱、灵敏电流计、滑线变阻器、待测电阻、直流电源、箱式惠斯登电桥、 毫安表、开关与导线等。 【实验原理】 惠斯登电桥又称单臂电桥，通常用 来测量中值电阻，它是由四个电阻 432,,rrr和xr联成一个封闭四边形， 在四边形的对角a和b上接入直流电 源，对角c和d之间接入检流计而组 成，如图所示。图中四边形的每一条边 称为电桥的一个臂，而cd这条对角线 就是所谓“桥

文章以有限元分析软件msc.marc为平台,建立了微小型薄壁内沟槽铜管钢球高速旋压缩径成形的三维弹塑性有限元模型,对缩径过程的变形机理、应力应变分布和受载情况进行了分析;同时,进行了成形过程实验研究。模拟与实验结果表明,沟槽底部的等效应力应变远大于齿形和沟槽管外表面,钢球与沟槽管接触区受三向压应力作用;等效应变沿轴向呈分层分布,沿周向呈间隔分布;轴向进给速度过大,沟槽管容易出现扭曲变形,轴向拉拔力和钢球承受载荷也相应增大。模拟结果揭示的规律与实验结果相一致。该研究有助于改进缩径工艺,提高加工效率。

惠斯通电桥测电阻 实验目的 1．了解惠斯通电桥的构造和测量原理 2．熟悉调节电桥平衡的操作步骤 3．了解提高电桥灵敏度的几种途径 实验仪器 万用电表、电阻箱、检流计、滑动变阻器、直流电源、待测电阻、电键、 导线、箱式电桥 实验原理 1．惠斯通电桥工作原理 图（一）是惠斯通电桥电路。四个电阻r1（rx）、r2、r3、r4，称作电 桥的四个桥臂，组成四边形abcd。对角bd之间连接检流计g，构成“桥”， 用以比较桥两端的电位。当b和d两点的电位相等时，检流计g指零，即 ig＝0，电桥达到了平衡状态。此时有 adabuudcbcuu（1） 即4211riri（2） 3221riri（3） 两式相除，得 3 4 2 1 r r r r（3’） 或者4231rrrr（4） 上两式表明：当电桥达到平衡时，电桥相邻臂电阻之比相等，或者说电 桥相对臂电阻之

沈阳城市学院 物理实验报告 实验题目 用惠斯通电桥测电阻 姓名学号 专业班级实验室号 实验成绩指导教师 实验时间2014年10月24日 物理实验室制 实验目的 1、理解并掌握惠斯通电桥测电阻的原理和方法 2、学会自搭惠斯通电桥，并学习用交换法减小和修正系统误差 3、了解电桥灵敏度的概念 4、学习使用箱式惠斯通电桥测中值电阻 实验仪器 名称型号 直流电阻电桥qj24 直流电源wyk-303 滑线式惠斯通电桥 多盘十进制电阻器zx21 变阻器bx7-13 待测电阻 万用表ut39a 导线 请认真填写 实验原理（注意：原理图、测试公式） ig=0 则uac=uaducb=udb 由欧姆定律得： 检流计中无电流流过，故 整理得：或 通常称r1/r2为比例臂，而r0称为比较臂，所以电桥 由桥臂、检流计和电源三部分组成。

南昌大学物理实验报告 实验名称：惠斯登电桥测电阻 专业班级：0 学生姓名：0学号：0 实验地点：0 座位号：0 实验时间：0 实验目的 1、掌握惠斯通电桥测电阻的原理和方法。 2、学会正确使用箱式电桥测电阻的方法。 3、了解提高电桥灵敏度的几种途径 实验器材 1．箱式惠斯通电桥2.各型号电阻 实验原理 电桥法测量是一种很重要的测量技术。由于电桥法线路原理简明，仪器结构简 单，操作方便，测量的灵敏度和精确度较高等优点，使它广泛应用于电磁测量，也 广泛应用于非电量测量。电桥可以测量电阻、电容、电感、频率、压力、温度等许 多物理量。同时，在现代自动控制及仪器仪表中，常利用电桥的这些特点进行设计、 调试和控制。 电桥分为直流电桥和交流电桥两大类。直流电桥又分为单臂电桥和双臂电桥， 单臂电桥又称为惠斯通电桥，主要用于精确测量中值电阻。双臂电桥又称为开

低电压、低导通电阻单力双掷模拟开关ADG819

基于lam4420反应离子刻蚀(rie)设备和cl2气体开发了适用于沟槽栅igbt的深槽等离子刻蚀工艺。通过调整hbr、o2和sf6等添加气体含量得到了无底切、底角圆滑、槽壁斜度3°左右、深度6μm的沟槽;通过系统优化气体流量、气压、电极间距和rf功率等工艺参数,得到了<5%的硅片内不均匀性,刻蚀速率可达800nm/min。在完成cf4/ar刻蚀和牺牲氧化等后续工艺后,槽型得到进一步改善。

vishay宣布发布其新型p通道trenchfet第三代技术的首款器件——si7137dp，该20vp通道mosfet采用so-8封装，具备业内最低的导通电阻。

基于传输电压开关理论的单栅极set电路设计

adum5230与adum6132是为电机驱动、等离子显示器以及电源和太阳能电池转换器中的逆变器而设计的。在这两款器件中，集成的隔离转换器可为高端输出与任何外部缓冲器电路供电，无须配置额外的外部电源。