更新日期: 2024-04-29

HgCdTe长波光伏探测器的表面漏电流及1/f噪声研究

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HgCdTe长波光伏探测器的表面漏电流及1/f噪声研究 4.5

在同一Hg1-xCdxTe晶片上(x=0.217)制备了单层ZnS钝化和双层(CdTe+ZnS)钝化的两种器件,对器件烘烤前后的暗电流和1f噪声进行了测试,烘烤前发现,ZnS钝化的器件在反偏较大时具有较大的表面隧道电流,而这种表面漏电流是ZnS钝化器件具有较大1f噪声电流的原因,通过高分辨x射线衍射中的倒易点阵技术(reciprocal spacemapping,RSM)研究了单双层钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响,发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷,而这些缺陷正是ZnS钝化器件具有较大表面漏电流和1f噪声的原因.经过高温烘烤后,ZnS钝化的器件暗电流和1f噪声增加,而双层钝化器件经过高温烘烤后性能提高.RSM的研究表明,高温烘烤后ZnS钝化的HgCdTe外延层产生大量缺陷,这些缺陷正是单层钝化器件表面漏电流和1f噪声电流增加的原因.

Hg_(1-x)Cd_xTe光伏探测器的表面漏电流机制及其钝化 Hg_(1-x)Cd_xTe光伏探测器的表面漏电流机制及其钝化 Hg_(1-x)Cd_xTe光伏探测器的表面漏电流机制及其钝化

Hg_(1-x)Cd_xTe光伏探测器的表面漏电流机制及其钝化

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表面漏电流能对hg1-xcdxte光伏探测器性能产生很大的影响,因此选择合适的钝化工艺尤其重要。本文主要论述了hg1-xcdxte光伏探测器表面漏电流机制及其钝化技术的发展状况。

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锑化铟光伏探测器中的应力感应漏电问题

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用一个栅极可控二极管器件来研究外加应力对锑化铟(insb)p~+/n光伏红外探测器的漏电影响。通过实验证实了外加应力与栅极之间在其对电流-电压(i-v)特性的影响方面是等效的。在p~+/n结附近,外加栅电压与感应电荷载流子密度之间引入一个显式解析关系式,并在液氮温度下、在一种栅电压和适宜应力下,利用瞬时测量i-v特性技术,取得了相当于某一给定应力下的局部感应表面及体内电荷载流子密度。对在压电-半导体器件中因栅电压或因应力感应所致的漏电位置也作了讨论。

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CdSe核辐射探测器的噪声与漏电流

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CdSe核辐射探测器的噪声与漏电流 4.4

对具有金属-半导体-金属(msm)结构的cdse探测器的噪声进行了实验观测,并对探测器中光生载流子的输运过程进行了分析,结果表明探测器的噪声是由从正极注入的空穴电流引起的.因此只有改变正极接触,才能有效地阻止空穴注入,从而消除探测器噪声.

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CdSe核辐射探测器的噪声与漏电流

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对具有金属-半导体-金属(msm)结构的cdse探测器的噪声进行了实验观测,并对探测器中光生载流子的输运过程进行了分析,结果表明探测器的噪声是由从正极注入的空穴电流引起的。因此只有改变正极接触,才能有效地阻止空穴注入,从而消除探测器噪声。

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3-4光伏探测器

3-4光伏探测器

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3-4光伏探测器 4.5

3.4光伏探测器(pv——photovoltaic) 光伏探测器——利用光生伏特效应制成的光电探测器,是结型探测器。 原理:在内建电场的作用下,电子——空穴对漂移至两端,形成电压。 §3.4.1光伏探测器的工作原理 一、热平衡下的pn结 1.几个物理参数 势垒高度 2ln ad d i nn qvkt n ? = 结区宽度 1/22[()()]adl ad nn wv qnn v εε+ =?- ? pn结电容1/20 1 [()()] 2 ad j add qnn ca nnvv εε? =? +- 2.pn结电流方程(伏安特性曲线) 1:正向导通部分2:反向截止部分3:反向击穿部分 / 00 qvkt diiei=- id:流过pn结的电流 i0:pn结的反向饱和电流 v:加在pn结上的正

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多通道Si—PIN探测器漏电流测量系统的设计和实现   4.6

中能望远镜是硬x射线望远镜卫星三大载荷之一,其探测器采用的是大面积si—pin探测器阵列。探测器的漏电流是影响x射线谱仪能量分辨率的一个关键因素。中能望远镜项目组在研发si—pin探测器的常温筛选环节中,将探测器漏电流作为一项重要考核指标。为了对探测器漏电流实现高精度、快速的测量,研制了多通道si—pin探测器漏电流测量系统。测量结果表明,使用该系统得到的漏电流结果精度较高,可直接应用到项目研制中去。

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钝化处理对CdZnTe Γ射线探测器漏电流的影响

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钝化处理对CdZnTe Γ射线探测器漏电流的影响 4.3

表面漏电流引起的噪声会限制cdznte探测器的性能,尤其对于共面栅探测器,漏电噪声的大小与器件的电极设计和表面处理工艺密切相关。研究了化学钝化的工艺条件对cdznte表面状态的影响,借助原子力显微镜、电子探针和微电流测试仪等手段,研究了czt表面形貌、组成等特性与器件电学性能之间的关系,有效地降低了器件的表面漏电流

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基于LabVIEW的窄隙室探测器漏电流自动监测系统

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基于LabVIEW的窄隙室探测器漏电流自动监测系统 4.5

利用图形化编程环境labview和数据采集卡ni4351,建立了一套tgc探测器高电压测试的漏电流自动监测系统,实现了漏电流的自动监测和记录,实时地显示了产生漏电流的时刻和漏电流的大小,获得了较好的监测效率和精度。

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激光对光伏探测器真空破坏的实验研究

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激光对光伏探测器真空破坏的实验研究 4.5

为了进一步研究激光对光电探测器的损伤破坏特性,以损伤面积和开路电压的变化为判断标准,实验研究了真空环境与大气环境中,脉冲激光辐照对光伏型探测器的破坏特性。选用无覆盖层的2cr10×2.5四象限硅光电池作为探测器试件,辐照光源为波长1064nm的nd∶yag脉冲激光器。分析讨论了真空及大气环境下,单脉冲及多脉冲激光打击时,光伏型探测器的破坏阈值及破坏形貌的区别及其成因。实验分析比较了不同环境下的破坏面积异同及其对光伏型探测器的影响。结果表明,真空环境中的破坏阈值明显低于大气环境,在本文中的实验条件下,其实际阈值约为大气中的40%。该研究在光电对抗及有效防护等方面有重要意义。

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PbTe中红外光伏探测器

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PbTe中红外光伏探测器 4.7

利用自主的分子束外延(mbe)技术在cdznte(111)基底上生长pbte半导体探测器材料,通过在pbte薄膜上沉积in2o3透明导电薄膜、zns绝缘保护层和in薄膜做电极,制成pbte结型中红外光伏探测器.在77k温度下,器件响应波长为1.5~5.5μm,实验测量的探测率为2×1010cm.hz1/2w-1,由r0a值计算的探测器峰值探测率达到4.35×1010cm.hz1/2w-1.随着温度的升高,截止波长发生蓝移,探测率降低.分析了影响探测器探测率和r0a值的主要因素.

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基于MOSFET漏电流温度特性的室温红外探测器

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基于MOSFET漏电流温度特性的室温红外探测器 4.7

基于mosfet的漏电流温度特性,提出了一种可与cmos工艺兼容的新型室温红外探测器。它采用在soi衬底上实现的mosfet作为探测红外灵敏元,在mosfet的钝化层上制作可提高红外吸收率的光学谐振腔,并利用硅微机械加工技术将soi的隐埋氧化层悬空,形成热绝缘微桥结构。mosfet在担当探测红外辐射灵敏元的同时,又作为放大处理电路的一部分,简化了电路。分析表明,探测器的探测率可高达109~1010cmhz1/2w-1。

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直接测量法测定CZT探测器漏电流与结电容

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直接测量法测定CZT探测器漏电流与结电容 4.5

为弥补czt探测器漏电流与结电容间接测量法的不足,采用直接测量法重新设计了测试方案。通过对czt探测器的测试,给出了更精确的漏电流与结电容的数值,并将之与间接测量法的数据作了相应的对比,为czt探测器的应用提供了更可靠的依据。

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漏电探测器 漏电探测器 漏电探测器

漏电探测器

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漏电探测器 4.3

以往的漏电检测仪器是利用零序电流互感器来检测配电线路和用电器具的泄漏电流的,当超出给定数值时便发出警报.这种方法由于只能感受到大的泄漏电流,所以不能区别开是由于绝缘老化或是由于大地杂散电容引起的正常电流,因而不能完全防止漏电灾害.绝缘老化引起的泄漏电流与电压是同相位的,而杂散电容引起的泄漏电流则超前电压90度,这项发明就是从这一点着眼来区别二者的.

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探测电缆老化的光纤直流漏电流法

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探测电缆老化的光纤直流漏电流法 4.7

电力电缆绝缘可靠性直接影响电气化铁道及其设备供电的安全稳定运行。合理选择故障测试设备,准确、快速查找电缆老化故障已经引起国内外专家学者的广泛关注。本文在分析电力电缆老化现象的基础上,探讨当前常用的老化探测方法,提出了光纤直流漏电流探测法,通过与以往的探测方法进行比较,表明光纤直流漏电流探测法能够有效降低环境干扰,提高测量精度。

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离子注入减小条形射线探测器表面漏电的研究

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离子注入减小条形射线探测器表面漏电的研究 4.3

选择高阻n型〈100〉单晶硅材料,x射线探测器为pin管结构.为了减少器件表面缺陷对暗电流的影响,在器件p区的两侧使用离子注入形成浅层低浓度n区,以减小器件的暗电流.通过对比实验发现,当n区的注量增大时,在相同反向偏压条件下,器件的暗电流密度随之减小,同时击穿电压也相应减小.为了减小器件的工作电压并进一步减小工作时的暗电流密度,还将器件的背面进行厚度减薄、抛光和ausb/au合金形成欧姆接触.对减薄后的器件进行iv特性测量,由于工作电压大幅降低,器件正常工作时的暗电流密度大幅度减小.同时在实验中发现温度对暗电流的影响非常大,将器件温度降低到-15℃时,暗电流密度可降低到1na·mm-2以下.

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悬式瓷制绝缘子泄漏电流与表面污秽的关系 悬式瓷制绝缘子泄漏电流与表面污秽的关系 悬式瓷制绝缘子泄漏电流与表面污秽的关系

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悬式瓷制绝缘子泄漏电流与表面污秽的关系 4.7

为研究泄漏电流与相对空气湿度和污秽度的关系,以人工雾室内的大量人工污秽试验为依据,试验研究了瓷制绝缘子表面泄漏电流随相对空气湿度及污秽程度的逐步提升而不断增长的规律。结果表明,泄漏电流同空气相对湿度和污秽度之间存在着非线性关系;随着相对空气湿度和绝缘子表面污秽度的增加,表面放电现象明显加剧,泄漏电流随之增大,泄漏电流中3次谐波占基波比例也随之增加;湿度达到≥55%时,泄漏电流增幅明显。

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漏电流传感器 (2)

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漏电流传感器 (2) 4.7

漏电流传感器 一、漏电流传感器的原理: 漏电流传感器用于直流ma级微小电流的隔离、穿孔式测量,可按用户需求定制不同可定制。 漏电流传感器环绕安装在直流回路的正负出线上,当装置运行时,实时检测各支路传感器输 出的信号,当支路绝缘情况正常时,流过传感器的电流大小相等,方向相反,其输出信号为 零;当支路有接地时,漏电流传感器有差流流过,传感器的输出不为零。因此通过检测各支 路传感器的输出信号,就可以判断直流系统接地支路。该原理选线精度高,不受线路分布电 容的影响。漏电流传感器零七五五三六六一五六零一 二、漏电流传感器的特点 1.可测量漏电流、小电流(微安、毫安级电流测量) 2.快速响应,无击穿现象 3.初级和次级高度隔离 4.极低的功耗 5.灵敏度高 6.穿孔式测量,安装简单,使用方便 三、漏电流传感器的应用 漏电流传感器广泛适用于电力、通信、气象、铁路、油田、建筑

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漏电流互感器

漏电流互感器

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漏电流互感器 4.7

1 ldct漏电流互感器 一.概述 此款传感器是专为各种电力设备的绝缘在线监测系统的交流泄漏电流采样而设计的。由于泄 漏电流通常为ma级,且必须用一匝穿芯结构,用常规互感器在如此小的安匝数下根本无法 测量。此款传感器采用“零磁通技术”自动补偿设计。使互感器始终处于理想的“零磁通” 工作状态,保证了其比值差和相位差的最高精度。自动补偿的设计几乎不受温度、振动及磁 滞回线的影响。由于采用无源结构,除有几个电阻外,再无任何电子部件,工作稳定可靠。 采用高导磁率的铁镍材料,其线性度、稳定性更高,性能更好。采用标准化设计,具有很好 的互换性。无需现场整定,只要安装完毕就可投入使用。 二。电气参数: 工作频率:50hz高频:0~100k 额定电流:300ma、500ma、1000ma 测量范围:0.5~2000ma(ac) 输出信号类型:1、mv/ma;2、变比电流输

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漏电流传感器 (3)

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漏电流传感器 (3) 4.5

漏电流传感器 一、漏电流传感器的介绍 信瑞达漏电流传感器依据互感器电磁隔离、磁调制工作原理将被测交流微电流、直流微 电流转换成直流电流、直流电压并隔离输出标准模拟信号或数字信号的装置,执行标准:gb/t 13850-1998。广泛应用于直流及交流供电系统的母线及各支路绝缘情况实时监测。 传感器通用技术条件:漏电流传感器的引用标准及规则是gb/t13850-1998,它的相对湿 度是≤93%,准确度等级是0.5、1.0级,贮藏条件是温度-40~70℃相对湿度是20~90%, 无凝露,工作温度是-10~55℃,平均无故障时间是≥80000h。 二、漏电流传感器的原理: 漏电流传感器用于直流ma级微小电流的隔离、穿孔式测量,可按用户需求定制不同可 定制。漏电流传感器环绕安装在直流回路的正负出线上,当装置运行时,实时检测各支路传 感器输出的信号,当支

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漏电流传感器

漏电流传感器

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漏电流传感器 4.5

漏电流传感器 一、漏电流传感器的介绍 信瑞达漏电流传感器依据互感器电磁隔离、磁调制工作原理将被测交流微电流、直流微 电流转换成直流电流、直流电压并隔离输出标准模拟信号或数字信号的装置,执行标准:gb/t 13850-1998。广泛应用于直流及交流供电系统的母线及各支路绝缘情况实时监测。 传感器通用技术条件:漏电流传感器的引用标准及规则是gb/t13850-1998,它的相对湿 度是≤93%,准确度等级是0.5、1.0级,贮藏条件是温度-40~70℃相对湿度是20~90%, 无凝露,工作温度是-10~55℃,平均无故障时间是≥80000h。 二、漏电流传感器的原理: 漏电流传感器用于直流ma级微小电流的隔离、穿孔式测量,可按用户需求定制不同可 定制。漏电流传感器环绕安装在直流回路的正负出线上,当装置运行时,实时检测各支路传 感器输出的信号,当支

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泄漏电流的测量(四)——关于照明电器产品标准泄漏电流测量的探讨 4.4

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泄漏电流的测量(三)——关于家用电器标准泄漏电流测量的探讨 4.8

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通过降低表面漏泄电流提高InAs/GaSb应变层超晶格探测器性能 通过降低表面漏泄电流提高InAs/GaSb应变层超晶格探测器性能 通过降低表面漏泄电流提高InAs/GaSb应变层超晶格探测器性能

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通过降低表面漏泄电流提高InAs/GaSb应变层超晶格探测器性能 4.8

基于ⅱ型中波红外和长波红外inas/gasb应变层超晶格的光电二极管可以用于民用和军用领域的各个方面。目前,这些领域最常用的探测器都是碲镉汞探测器。但是,碲镉汞合金的电子质量较小(约为0.009m_0),由于隧道效应的关系,它们会产生过多的暗电流。况且,大面积空间均匀性不足对于碲镉汞探测器来说依然是个

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光伏型InSb红外探测器低噪声前放设计

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光伏型InSb红外探测器低噪声前放设计 4.3

以光伏型insb红外探测器输出的微弱电流信号为依据对探测器的前置放大电路进行设计,并采用orcad电路仿真软件对所设计的低噪声、高增益放大电路的幅频响应、温度特性以及噪声进行了全面的分析和仿真。研究结果表明,该设计可以有效地提高信噪比和输出动态范围。

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杜新宇

职位:水利水电工程勘察设计人员

擅长专业:土建 安装 装饰 市政 园林

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