音控门限电平

音控门限电平(threshold level of voice-operated circuit)是1997年公布的铁道科学技术名词。

音控门限电平基本信息

中文名 音控门限电平 外文名 threshold level of voice-operated circuit
所属学科 铁道科学技术 公布时间 1997年

《铁道科学技术名词》第一版。

音控门限电平造价信息

市场价 信息价 询价
材料名称 规格/型号 市场价
(除税)
工程建议价
(除税)
行情 品牌 单位 税率 供应商 报价日期
人防电控门 品种:电控密闭门;开启方式:单扇;型号:DMP1020; 查看价格 查看价格

鑫烨

13% 太原市鑫烨人防工程有限公司
人防电控门 品种:电控密闭门;开启方式:单扇;型号:DMP1320; 查看价格 查看价格

鑫烨

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人防电控门 品种:电控密闭门;开启方式:单扇;型号:DM1020; 查看价格 查看价格

鑫烨

13% 太原市鑫烨人防工程有限公司
人防电控门 品种:电控密闭门;开启方式:单扇;型号:DM1320; 查看价格 查看价格

鑫烨

13% 太原市鑫烨人防工程有限公司
人防电控门 品种:电控密闭门;开启方式:单扇;型号:DM1520; 查看价格 查看价格

鑫烨

13% 太原市鑫烨人防工程有限公司
人防电控门 品种:电控密闭门;开启方式:单扇;型号:DMP1520; 查看价格 查看价格

鑫烨

13% 太原市鑫烨人防工程有限公司
电控密闭门 品种:电控密闭门;开启方式:单扇;型号:DM1320; 查看价格 查看价格

甲东人防

13% 云南甲东人防设备制造有限责任公司
电控密闭门 品种:电控密闭门;开启方式:单扇;型号:DM1020; 查看价格 查看价格

靖凯

13% 浙江利明人防设备有限公司
材料名称 规格/型号 除税
信息价
含税
信息价
行情 品牌 单位 税率 地区/时间
电动门 普通 查看价格 查看价格

m 惠州市惠东县2019年3季度信息价
电动门 普通 查看价格 查看价格

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材料名称 规格/需求量 报价数 最新报价
(元)
供应商 报价地区 最新报价时间
电平扒炉 700×600×250/380V/7.8KW(具体详见右图)1. 特有 CSQA 卫生设计认证,有效节省清洁时间2. 18-10 全不锈钢独立机身结构3. 抛光 FE510D 耐热铬镍合金烹饪面板|1个 3 查看价格 广州厨房重地信息科技有限公司 广东   2020-08-27
电平扒炉 609X616X406|5个 1 查看价格 佛山市南海远东厨房设备厂 广东  佛山市 2015-05-06
电平转换器 主流考虑|1个 3 查看价格 南京天溯自动化控制系统有限公司 广东   2020-06-15
台式电平扒炉 600×600×350 220V/5KW|1.0套 2 查看价格 佛山市南海富铖达厨房设备有限公司    2015-08-27
电平转换模块 K-SH2154|7758个 1 查看价格 南京消防集团有限公司福州办事处 福建  福州市 2015-05-05
数字选平电平 HX-D11|8台 1 查看价格 成都天大仪器设备有限公司 四川  成都市 2015-06-23
数字选平电平 HX-D12|3台 1 查看价格 成都天大仪器设备有限公司 四川  成都市 2015-07-27
门限位器 详见表|1000副 3 查看价格 广东顶固集创家居股份有限公司 广东   2022-05-29

1997年,经全国科学技术名词审定委员会审定发布。

音控门限电平常见问题

音控门限电平文献

浅谈动态噪声开关门限电平的设计 浅谈动态噪声开关门限电平的设计

格式:pdf

大小:262KB

页数: 4页

评分: 4.8

1引言在HFC双向网络维护中,汇聚噪声及其它各类噪声干扰一直是不可根除的问题。虽然能通过缩小光节点覆盖范围,提高设备器件及线缆性能,加强施工工艺等方法使问题得到一定的缓解,但如何进一步有效降低噪声的影响程度,提高回传通道质量,仍然是广电人探索和追求的目标。动态噪声开关(DNIS)技术就是在这种情况下诞生的一种新技术,其通过突发式的回传通道开关,有效降低CMTS处、光站处、甚至是楼栋放大器处汇聚的各类侵入干扰噪声,从而提高整体回传通道的稳定性。

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门限电流感应器 门限电流感应器

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大小:262KB

页数: 未知

评分: 4.5

产品简介:与仪表电路绝缘,通过光隔离器输出。 应用范围:感应器设计用来测量范围是10mA到50A的直流电。 实践经验:已应用。合作方式:技术转让,获准协议,成品销售。

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receiver threshold-signal level

当调频接收机输入载波噪声比下降到某一特定电平时,输入信噪比开始急剧下降,产生这种突变的临界点所对应的特定电平。

U :上门限,U-:下门限

门限宽度

↑ → 比较器灵敏度↓ → 抗干扰能力增强

有关。

在nMOSFET晶体管的基体由p类型硅组成,正面地充电流动孔作为载体。 当正面电压是应用的在门, 电场造成孔从接口被排斥,创造a 势垒区包含固定消极地被充电的接受器离子。 在门电压的进一步增加最终造成电子出现于接口,在什么称逆温层,或者渠道。 电子密度在接口同一样孔密度在中立粒状材料称门限电压历史的门电压。 实际上门限电压是有足够的电子在做MOSFET来源之间的一个低抵抗举办的道路和排泄的逆温层的电压。

如果门电压在门限电压之下,晶体管被关闭,并且理想地没有潮流从流失到晶体管的来源。 实际上,有潮流甚而为门偏心在门限之下(次于最低限度的漏出)潮流,虽然它是小的并且随门偏心变化指数地。

如果门电压在门限电压之上,晶体管在渠道起动,由于那里是许多电子在氧化物硅接口,创造低抵抗渠道,潮流可能从流失流动到来源。 重大电压在门限之上,这个情况被要求强的反向。 渠道逐渐变细,当 vD > 0 因为电压下落由于当前流动在抗拒渠道减少支持渠道的氧化物领域,当流失接近。2100433B

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