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双极型晶体管

由两个背靠背PN结构成的以获得电压、电流或信号增益的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构:PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。

双极型晶体管基本信息

中文名称双极型晶体管
外文名称Bipolar Junction Transistor
实质电流控制器件
导电电子和空穴

双极型晶体管分类

晶体管分类:双极型晶体管和场效应管 双极型晶体管分类:NPN型管和PNP型管

双极型晶体管造价信息

市场价
信息价
询价

CPU226晶体管型

规格型号：
CPU226, DC PS, 24DE DC/16DA DC-CN
价格行情：
材料单位：
件
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
武汉运通达科技有限公司
报价时间：
2022-12-06

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CPU224晶体管型

规格型号：
CPU224, DC PS, 14DE DC/10DA DC-CN
价格行情：
材料单位：
件
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
武汉运通达科技有限公司
报价时间：
2022-12-06

查看价格

CPU222晶体管型

规格型号：
CPU222, DC 24V, 8DE DC/6DA DC-CN
价格行情：
材料单位：
件
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
武汉运通达科技有限公司
报价时间：
2022-12-06

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CPU224XP晶体管型

规格型号：
CPU224XP, DC PS, 14DE DC/10DA DC/2AE/1AA
价格行情：
材料单位：
件
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
武汉运通达科技有限公司
报价时间：
2022-12-06

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晶体管图示仪

规格型号：
品种:图表式显示仪表;规格型号:XJ4810/4812;产品说明:晶体管图示仪,两管曲线,电压500V,四种产品描述,有A,B自动转换.;
价格行情：
材料单位：
台
材料品牌：
XJ
材料税率：
13%
供应商：
重庆德源胜仪器有限公司
报价时间：
2022-12-06

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自行式铲运机双引擎

规格型号：
斗容量23m3
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
广州市2010年4季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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自行式铲运机双引擎

规格型号：
斗容量23m3
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
广州市2010年3季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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自行式铲运机双引擎

规格型号：
斗容量23(m3)
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
韶关市2010年7月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

自行式铲运机双引擎

规格型号：
斗容量23m3
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
广州市2010年1季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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自行式铲运机双引擎

规格型号：
斗容量[23](m3)
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
韶关市2009年11月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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IGBT绝缘栅双极型晶体管

规格型号：
FF300R12KE3
需求量：
4.0个
报价数：
2
材料品牌：
材料档次：
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2014-11-18

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晶体管图示仪

规格型号：
BJ4811A
需求量：
10台
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
普通
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2015-12-20

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晶体管测试仪

规格型号：
HP3326A
需求量：
10台
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2015-12-18

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晶体管图示仪

规格型号：
XJ-4810A
需求量：
5台
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
普通
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2015-10-21

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晶体管话筒U87Ai

规格型号：
技术指标: 声音工作原理:压力梯度传感器指向性:全向性,心型,8字型频响:20Hz-20KHz 灵敏度(1KHz-1KOHM):20/28/22mVPa × 输出阻抗:200ohms 负载阻抗
需求量：
2只
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2018-07-02

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双极型晶体管影响

BVcbo 是发射极开路时集电极-基极间的反向击穿电压，这是集电结所允许加的最高反向电压。是基极开路时集电极-发射极间的反向击穿电压，此时集电结承受的反向电压。 BVebo 是集电极开路时发射极-基极间的反向击穿电压，这是发射结所允许加的最高反向电压。 BVceo 这是共发射极组态的击穿电压，即基极开路时、集电极与发射极之间的击穿电压。由于在基极开路时，集电结是反偏、发射结是正偏的，即BJT处于放大状态。 温度对的影响: 是集电结加反向电压时平衡少子的漂移运动形成的，当温度升高时，热运动加剧，更多的价电子有足够的能量挣脱共价键的束缚，从而使少子的浓度明显增大，增大。 温度每升高10 时，增加约一倍。硅管的比锗管的小得多，硅管比锗管受温度的影响要小。 温度对输入特性的影响:温度升高，正向特性将左移。 温度对输出特性的影响:温度升高时增大。 光电三极管:依据光照的强度来控制集电极电流的大小。 暗电流ICEO:光照时的集电极电流称为暗电流ICEO，它比光电二极管的暗电流约大两倍;温度每升高25 ，ICEO上升约10倍。

双极型晶体管介绍

双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor) 双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度慢，输入阻抗小，功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。晶体管:用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管.

双极型晶体管常见问题

什么是单极型晶体管和双极型晶体管？

一、单极型晶体管在目前使用的pnp或npn面结型晶体管的工作中，包括金属-氧化物-半导体晶体管在内的场效应晶体管，只需要一种载流子，这种晶体管就叫做单极晶体管。单极晶体管即场效应晶体管，因为场效应晶体...
BJT双极结型晶体管的优缺点

优点是工作速度快，噪声小；缺点是不易集成，还有功耗太大。
单极型晶体管？

只用一种载流子进行导电的晶体管称为单极型晶体管。

双极型晶体管特点

输入特性曲线:描述了在管压降UCE一定的情况下，基极电流iB与发射结压降uBE之间的关系称为输入伏安特性，可表示为: 硅管的开启电压约为0.7V，锗管的开启电压约为0.3V。 输出特性曲线:描述基极电流IB为一常量时，集电极电流iC与管压降uCE之间的函数关系。可表示为: 双极型晶体管输出特性可分为三个区 ★截止区:发射结和集电结均为反向偏置。IE@0，IC@0，UCE@EC，管子失去放大能力。如果把三极管当作一个开关，这个状态相当于断开状态。 ★饱和区:发射结和集电结均为正向偏置。在饱和区IC不受IB的控制，管子失去放大作用，UCE@0，IC=EC/RC，把三极管当作一个开关，这时开关处于闭合状态。 ★放大区:发射结正偏，集电结反偏。 放大区的特点是: ◆IC受IB的控制，与UCE的大小几乎无关。因此三极管是一个受电流IB控制的电流源。 ◆特性曲线平坦部分之间的间隔大小，反映基极电流IB对集电极电流IC控制能力的大小，间隔越大表示管子电流放大系数b越大。 ◆伏安特性最低的那条线为IB=0，表示基极开路，IC很小，此时的IC就是穿透电流ICEO。 ◆在放大区电流电压关系为:UCE=EC-ICRC, IC=βIB ◆在放大区管子可等效为一个可变直流电阻。 极间反向电流:是少数载流子漂移运动的结果。 集电极-基极反向饱和电流ICBO :是集电结的反向电流。 集电极-发射极反向饱和电流ICEO :它是穿透电流。 ICEO与CBO的关系: 特征频率 :由于晶体管中PN结结电容的存在，晶体管的交流电流放大系数会随工作频率的升高而下降，当的数值下降到1时的信号频率称为特征频率。 双极型晶体管极限参数 ★最大集电极耗散功率如图所示。 ★最大集电极电流 :使b下降到正常值的1/2~2/3时的集电极电流称之为集电极最大允许电流。 ★极间反向击穿电压:晶体管的某一电极开路时，另外两个电极间所允许加的最高反向电压即为极间反向击穿电压，超过此值的管子会发生击穿现象。温度升高时，击穿电压要下降。

双极型晶体管文献

第五章双极型晶体管开关特性

第五章双极型晶体管开关特性

第五章双极型晶体管开关特性

格式：pdf

大小：8.4MB

页数： 69页

第五章双极型晶体管开关特性

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第五章双极型晶体管开关特性 (2)

第五章双极型晶体管开关特性 (2)

第五章双极型晶体管开关特性 (2)

格式：pdf

大小：8.4MB

页数： 67页

第五章双极型晶体管开关特性 (2)

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绝缘栅双极型晶体管基本简介

绝缘栅双极型晶体管 insulatedgatebipolartransistor,IGBT，集MOSFET和GTR的优点于一身，具有输入阻抗高、开关速度快、驱动电路简单、通态电压低、能承受高电压大电流等优点，已广泛应用于变频器和其他调速电路中。

碳化硅金属-半导体双极型晶体管的研究基本信息

批准号 60876061 项目名称 碳化硅金属-半导体双极型晶体管的研究 项目类别 面上项目 申请代码 F0405 项目负责人 张玉明 负责人职称 教授 依托单位 西安电子科技大学 研究期限 2009-01-01 至 2011-12-31 支持经费 40（万元）

绝缘栅双极型晶体管相关实例

IGBT作为开关使用时，为使通态压降UcE低，通常选择为氏E值为10一15v，此情况下通态压降接近饱和值。UGE值影响短路破坏耐量(时间)，耐量值为微秒级，UG。值增加，短路破坏耐量(时间)减少。门极电阻R。的取值影响开关时间，RG值大，开关时间增加，单个脉冲的开关损耗增加。但RG值减小时，di/dt增大，可能会导劲GBT误导通。R殖一般取几十欧至几百欧。主要参数Ic为集电极额定最大直流电流;U(BocES为门极短路时的集一射极击穿电压;尸C为额定l日ey日onshonshuong]!x一ng}ing丈}guon绝缘栅双极型晶体管(insulatedgatebiPolartransistor，IG召T)一种场控自关断的电力电子器件，又称绝缘门极双极型晶体管。此种晶体管在80年代迅速发展起来。IGBT的等效电路、图形符号如图(a)所示，图(b)、(c)分别为其转移特性和输出特性。IGBT的输人驱动级为N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管MOSFET，输出级为电力晶体管(GTR)，形成达林顿晶体管电路结构。因此IGBT兼有MOSFET高输人阻抗、快开关速度和GTR的高电流密度、低通态压降的优点，但IGBT的门极偏置(又称栅极偏置)对特啊性影响很大。门极偏置IGBT的导通和关断是由门极电压控制的。如图(b)所示，当门极电压UGE大于N沟道MOSFET的闭值电压(开启电压)UGE(th)时，MOSFET导通，从而给PNP管提供基极电流而使其导通;当门极电压小于氏E(th)啊时，MOSFET关断，PNP管无基极电流流过而截止。如图(。)所示，当IGBT导通时，工作在特性曲线电流上升区域，UGE增大时，UcE值减小。的最大耗散功率;UcE(sat)为集一射极间的饱和压降;IcE(、，为门极短路时集电极最大关断电流;Rth为结壳间的最大热阻;T为最高工作温度。发展表中列出了各代IGBT器件的典型特性参数。IGBT发展非常迅速，正在向高频、高压、大电流以及降低器件的开关损耗和通态损耗方向发展。已研制出电压高达RN任啊于二Go一』(a)它珑功勺(b)鲡电为50O0V，10DA/emZ流密度下UCE、。认，E，鲡鲡2.SV左右的IGBT。IGBT、功率MOSF-ET发展前景广阔，已成为中、小功率低压应用领域的主导器件。由于IGBT特性参数优越，，预计2000年功率达IMVA的GTR和GTO逆变器，将被IGBT逆变器所替代。UOE】>陇E，

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