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更新时间:2024.04.27
LED发光机理(精)

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LED 发光二极管的发光机理详细图解 LED 发光二极管的发光机理 1.p-n 结电子注入发光 图 1、图 2表示 p-n结未知电压是构成一定的势垒;当加正向偏置时势垒下降, p区和 n 区的多数载流 子向对方扩散。由于电子迁移率 μ比空穴迁移率大得多,出现大量电子向 P 区扩散,构成对 P区少数载流 子的注入。这些电子与价带上的空穴复合,复合时得到的能量以光能的形式释放。这就是 P-N 结发光的原 理。 P-N 结发光的原理图 1 P-N 结发光的原理图 2 发光的波长或频率取决于选用的半导体材料的能隙 Eg。如 Eg的单位为电子伏( eV) , Eg=hv/q=h c/( λq) λ=hc/(qEg)=1240/Eg (nm) 半导体可分为置接带隙和间接带隙两种,发光二极管大都采用直接带隙材料,这样可使电子直接从导 带跃迁到价带与空穴复合而发光,有很高的效率。反之,采用间接带隙材

LED发光机理

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LED 发光二极管的发光机理详细图解 LED 发光二极管的发光机理 1.p-n结电子注入发光 图 1、图 2表示 p-n 结未知电压是构成一定的势垒;当加正向偏置时势垒下降, p 区和 n 区的多数载流子向对方扩散。由于电子迁移率 μ比空穴迁移率大得多,出现大量电子向 P 区扩散,构成对 P区少数载流子的注入。这些电子与价带上的空穴复合,复合时得到的能 量以光能的形式释放。这就是 P-N 结发光的原理。 P-N 结发光的原理图 1 P-N 结发光的原理图 2 发光的波长或频率取决于选用的半导体材料的能隙 Eg。如 Eg 的单位为电子伏 (eV) , Eg=hv/q=h c/( λ q) λ =hc/(qEg)=1240/Eg (nm) 半导体可分为置接带隙和间接带隙两种, 发光二极管大都采用直接带隙材料, 这样可使 电子直接从导带跃迁到价带与空穴复合而发光,有很高的效率。反之,采用间

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