基于单分子层去除机理芯片化学机械抛光材料去除模型

磨料是化学机械抛光(cmp)中重要的组成部分,是决定抛光平坦化的重要影响因素。采用两步法制备了新型的氧化硅包覆聚苯乙烯(ps)核壳型复合磨料,采用扫描电子显微镜(sem)、透射电子显微镜(tem),x射线能量色散谱(edx)等对复合磨料进行了表征。结果表明所制备的复合磨料具有核壳结构,且表面光滑。随后复合磨料对比硅溶胶对铜化学机械抛光进行研究,采用原子力显微镜(afm)观测表面的微观形貌,并测量了表面粗糙度。经过复合磨料抛光后的铜片粗糙度为0.58nm,抛光速率为40nm/min。硅溶胶抛光后的铜片的粗糙度是1.95nm,抛光速率是37nm/min。

在化学机械抛光过程中，抛光垫表面沟槽形状是决定抛光垫性能的重要影响因素之一，它会直接影响抛光效果。在分析几种常规抛光垫表面沟槽结构形状的特性的基础上，介绍了新型抛光垫沟槽的研究进展，分析了几种新型抛光垫表面沟槽对抛光效果的影响，为化学机械抛光用的抛光垫表面沟槽特性的深入研究与分析提供参考。

抛光垫表面沟槽是决定抛光垫性能的重要因素之一。介绍了抛光垫表面沟槽的形状、尺寸和倾斜角度等因素对抛光过程的影响规律,认为:负螺旋对数型沟槽抛光垫的性能最佳,沟槽的深度和宽度会影响加工区域抛光液的平均驻留时间、混和效率及成分,沟槽的倾斜角度也会影响抛光效率,-20°倾斜角抛光垫的抛光效率最高。

采用有限元数值方法分析微电子材料化学机械平坦化(cmp)工艺过程中材料的变形和去除机理,得到作用在磨料颗粒上的力与名义压力、磨粒含量以及垫板几何和力学特性之间的关系,进而建立起一个材料去除率(mrr)模型。利用该模型预测得到的材料去除率与悬浮液中磨料颗粒含量以及压力间的关系与已有的实验结果相吻合,合理解释了实验观察到的现象。

抛光后光学元件仍然存在亚表面损伤,它降低光学元件的抗激光损伤能力和光学性能,为去除抛光亚表面损伤以提升光学元件使用性能,需要对其进行准确检测和表征。首先,采用恒定化学蚀刻速率法和二次离子质谱法分别检测水解层深度和抛光杂质的嵌入深度。然后,使用原子力显微镜检测亚表面塑性划痕的几何尺寸。通过分析表面粗糙度沿深度的演变规律,研究浅表面流动层、水解层和亚表面塑性划痕间的依存关系。最后,建立抛光亚表面损伤模型,并在此基础上探讨抛光材料去除机理。研究表明:水解层内包括浅表面流动层、塑性划痕和抛光过程嵌入的抛光杂质;石英玻璃水解层深度介于76和105nm之间;抛光过程是水解反应、机械去除和塑性流动共同作用的结果。

主要介绍自动化机械抛光工艺的设计理念以及常用的抛光方式并论述抛光工艺的技术工序.通过详细的分析了解工艺进展状况,为更好地发展自动化机械抛光工艺提供文字参考.

材料去除率是表征双面抛光加工效率的重要参数,也是影响工件表面质量的关键因素。基于双面抛光加工中工件运动过程的分析,通过向量法构建了工件上任一点的运动轨迹及其相对速度的数学模型。运用preston模型,建立双面抛光过程中材料去除特性方程,并辅助计算机软件模拟了不同工艺条件下的材料去除特性。最后,通过微通道板的双面抛光实验,研究了不同工艺参数下的材料去除量,验证了理论模拟的正确性。

化学气相沉积(cvd)制备的金刚石膜表面粗糙且厚薄不均匀,在许多情况下不能直接使用,必须对其进行抛光。本文研究了不同型号的金刚石微粉对cvd金刚石厚膜研磨的影响,通过对研磨结果的比较分析,优化出一种高质量高效率的抛光方法,即先采用w40和w28金刚石微粉,分别研磨2h,然后用w0.5金刚石微粉研磨4h。经扫描电子显微镜(sem)和原子力显微镜(afm)测试分析表明:金刚石膜的平均去除率为12.2μm/h,粗糙度ra由4.60μm降至3.06nm,说明该抛光方法能实现金刚石膜高质量、高效率的抛光。

不锈钢抛光材料抛光辊轮特性 汉通研磨：不锈钢抛光材料抛光辊轮应用于面积较大的不锈钢板材、不同金属板材的打磨、抛光，可 选择不同磨料对表面处理。抛光材料抛光辊轮包括：尼龙抛光轴辊、拉丝刷辊、飞翼轮轴辊、尼龙轮拼辊、 卷紧轮等，用于电梯制造、不锈钢板材卷板、厨具制造、铜铝板材制品、人造大理石、高档木地板、线路 板等拉丝抛光。常规及特殊规格可订做，欢迎咨询汉通客服。 抛光材料抛光辊应用范围：电梯制造、不锈钢板材卷板、厨具制造、铜铝板材制品、人造大理石、高 档木地板、线路板等拉丝抛光。 抛光材料抛光辊产品特性：在高速自动抛光机上使用打磨板材时产生高温时飞翼轮轴辊不会熔粘上板 材，可以加水或液体使用、锋利、耐用、自锐、防堵、光洁度高。 抛光材料辊轮加工范围： 直径：7.5cm--35.0cm（3寸--14寸） 厚度：20.0cm--150.0cm（8寸--60寸） 砂号：46#-

对将军红、济南青花岗石进行了磨削、抛光实验,并选取抛光后的花岗石中的矿物辉石、斜长石和石英,分别在扫描电镜和透射电镜下做了大量的微观观察和测定,研究了矿物的抛光层、抛光面及其形成机理,提出了花岗石抛光层、抛光面是在抛光过程中矿物表层微粒化、微粒表面熔融、发生塑性变形而成的观点。

提出一种采用模糊贴近度的评判方法,有效实现农业机械的分类评判。通过建立评判集中每个评判元素的评判因素集,然后通过判别待评判的农业机械评价指标因素集与评判因素集的贴近度,判别农业机械的所属类别。

添加MnS改善材料机械加工性能的机理

本文立足于嵌入式控制芯片的显著特征,结合笔者多年相关工作经验,详细分析了机械控制系统中嵌入式控制芯片的具体应用,剖析了机械控制系统中嵌入式控制芯片的应用前景。希望能为提高嵌入式控制芯片在机械控制系统中的应用水平提供部分理论支撑。

较粗糙的表面是影响金刚石厚膜广泛使用的因素之一。本文对cvd金刚石厚膜进行了机械抛光的正交实验研究。实验结果表明,影响抛光效率的因素依次为抛光盘的磨粒、转速、正压力和抛光面积。采用较大粒度的磨盘,适当增加转速和压力有利于提高抛光的效率。此外用xrd方法对机械抛光前后的膜的残余应力进行了测定和对比分析,结果表明,经过机械抛光,残余拉应力明显减小。

为解决不锈钢电热水壶在手工抛光方式中存在的污染严重、抛光效率低和质量不稳定等问题,成功自主研发了一套电水壶曲面自动化机械抛光系统,该系统采用了多磨具多工位的抛光方法,可夹持三个水壶同时进行抛光,提高了抛光效率。为确保水壶表面抛光质量,规划了螺旋式刀具路径,同时提出了基于示教法的抛光刀位数据生成方法,并利用nurbs曲线拟合的方法对刀具轨迹进行优化。实验结果证明,与手工抛光方式相比较,该方法大大提高了抛光质量和效率。

提出了一种新的支持向量机(supportvectormachines,svm)机械系统状态组合预测模型。应用fpe(finalprincipleerror)准则优化样本的维数,采用时域内的振动烈度和频域内的特征频率分量作为预测机械系统状态的敏感因子,构建了预测模型。支持向量机采用新型的结构风险最优化准则,预测能力强、鲁棒性好。采用径向基函数和ε损失函数,将该模型应用于实验台和旋转注水机组的状态预测,取得了较好的效果。这表明利用支持向量机的组合预测模型,可以降低设备维修代价,提高设备的安全性和可靠性。

生态环境2004,13(1):98-101http://www.***.*** ecologyandenvironmente-mail:editor@eco-environment.com 基金项目：国家科技部“十五”重大专项（2002aa601023）；江苏省高校省级重点实验室开放基金项目（kjs03071） 作者简介：张军（1976－），男，博士研究生，研究方向为水污染控制和生态毒性学。e-mail:zhj530@sina.com 收稿日期：2003-06-13 表面流人工湿地中氮磷的去除机理 张军，周琪，何蓉 同济大学环境科

为实现对桡足类生物泄露风险的高效控制,以猛水蚤为研究对象,开展了常规净水工艺对桡足类生物的去除作用机理及效果研究,重点研究了猛水蚤去除与絮体颗粒形态特性关系和在石英砂滤床的分布规律.结果表明:优化操作条件下,混凝沉淀和过滤对猛水蚤去除率均可达99%,最佳工况包括快速搅拌300r/min(1min)、中速搅拌150r/min(5min)和低速搅拌75r/min(5min),聚合氯化铝(pac)投加量10mg/l,沉淀时间0.5h,滤速9m/h,过滤周期1d.混凝对猛水蚤的去除效率主要决定于猛水蚤与絮体的有效吸附,絮体颗粒粒径越大、分形维数越低,猛水蚤去除率越高;过滤水冲刷携带引起的被动迁移,是导致猛水蚤穿透砂滤池的主要原因,适当降低滤速和缩短过滤周期,控制猛水蚤被动迁移规模,可以达到提高猛水蚤去除率效果.

主要对地下渗滤污水处理系统氮磷去除机理进行分析和研究，研究结果显示，在标准的水力负荷作用下，对氨氮、总磷的实际去除率较高，系统对总氮具有良好的去除效果，一定程度上提高了系统对污染物质的实际去除效果。地下渗滤系统中的硝化以及反硝化作用具有良好的去除进水总氮效果，土壤吸附于沉淀作用是地下渗滤系统去除磷的主要途径。

金相组织检验工序，包括试样制备，试验侵蚀，显微组织 检验，显微照相等五步。抛光是金相试样磨制工序中的最后一 道工序，其目的是消除试样细磨时在磨面上留下的细微磨痕， 便之成为平整光亮无痕的镜面。抛光由机械抛光、电解抛光、 化学抛光等方法。现就电解抛光和机械抛光进行讨论，分析他 们的区别。 1概念上区别 1.1机械抛光 机械抛光是是一种机械物理过程。粗抛时用帆布或粗呢， 细抛时用绒布、细呢或丝绸等。抛光过程中要不断向抛光布上 倒入适量的水与cr2o3（或al2o3、mgo等）悬浮液。试样的磨面 应平正地压在旋转的抛光盘上，压力不宜过大，并使试样从抛 光盘边缘到中心不断地作径向往复移动。待试样表面磨痕全 部被抛掉而呈现光亮镜面时，抛光即可停止，并将试样用水或 酒精洗干净后转入浸蚀。 1.2电解抛光 电解抛光是电化学溶解过程，以被抛工件为阳极，不溶性

在玻璃微流控芯片通道表面用硅烷化试剂二氯二甲基硅烷进行处理后,二氯二甲基硅烷与玻璃通道表面的硅羟基反应,硅烷基覆盖在原来的硅羟基上,其结果为电渗流减小甚至完全消除.进一步采用全势能线性糕模轨道分子动力学方法,对表面反应的微观结构进行了理论计算,计算结果表明硅羟基中的氢原子与二氯二甲基硅烷中的氯原子结合形成稳定的hcl分子结构而脱离,从而使硅烷基覆盖在表面上.

:生物芯片机器人是生命科学中用于研究基因的关键设备之一。阐述了一种生物芯片探针组装机器人,并介绍了硬件、软件以及控制系统。对机械手卡具的关键技术进行了分析研究,完成了机械手卡具的设计,并运用于生物芯片探针组装机器人,为生物芯片机器人提供了一种新的、具有普遍应用价值的机构