VDMOS场效应功率晶体管具有双极型和一般MOS器件的优点。但这种器件作为高速高位开关电路应用时 ,由于驱动电压发生电路的设计中存在某些因素会影响整个开关电路的性能和整个电路的体积、重量和价格。针对这些影响因素 ,设计了一个VDMOS高速高位开位电路。该电路具有开关速度高 ,体积小 ,重量轻、价格廉等优点。该电路经过实际应用 ,在开关技术性能方面取得了满意的结果
本文分析了高速开关阀的开关过程中不同阶段线圈电流对其开关时间的影响。在仿真分析的基础上,设计了低端MOSFET管控制的高、低电压驱动电路,建立了驱动电路的PSPICE模型。仿真结果表明,该电路可减小高速开关阀的开关时间,提高其响应频率。
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