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更新时间:2024.04.28
硅片背面铜污染的清洗

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H2SO4/H2O2/H2O、HNO3/HF和HF/H2O2/H2O为半导体芯片生产过程中三种去除硅片背面铜污染的化学清洗液。在单片湿法清洗机上采用这三种化学液对直径300 mm具有类似于实际生产中铜污染的硅片进行了清洗,结果发现H2SO4/H2O2/H2O在清洗过程中不对硅片表面的Si3N4膜产生损伤,但铜污染的去除效率较低;HNO3/HF和HF/H2O2/H2O对Si3N4膜产生微量刻蚀,从而去除扩散至硅片内部铜污染,从而显示出较佳的去除效果。通过比较HF/H2O2/H2O中HF体积分数与Si3N4膜刻蚀深度和清洗后铜原子浓度,HF的体积分数为1.5%时,可以使硅片表面铜原子浓度降至1010cm-2以下,并且Si3N4膜厚的损失小于1 nm。

剑麻与石灰对铜污染土壤的修复

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通过盆栽试验研究了剑麻与石灰对铜污染土壤的修复,以海南砖红壤为供试土壤,在未污染土壤中加入重金属Cu,设高、中、低三个污染水平,平衡两周后在重金属污染土壤上施入不同浓度的石灰,而后植入对Cu有较大耐性的植物剑麻。120d后收获分析。研究了不同Cu污染水平和石灰处理水平下剑麻植株的长势及剑麻体内重金属含量,结果如下:Cu轻度污染土壤剑麻生长受影响不大,Cu中度污染土壤剑麻可以生长,当浓度达到2000mg/kg时剑麻受毒害死亡。加入石灰后剑麻的生物学产量有明显提高,Cu轻度污染土壤上石灰最佳施入量为3375kg/hm2,该条件下其剑麻移走的Cu量明显高于单种植剑麻的移走量,Cu中度污染土壤其最佳用量为4500kg/hm2,该组合下从土壤中移走的Cu几乎是单种植剑麻的两倍,在Cu重度污染的土壤中,随着石灰用量增加可促进剑麻的生长。

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