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更新时间:2024.04.27
三相电压型逆变器课程设计 (2)

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实用文案 文案大全 三相电压型逆变器 一.电力电子器件的发展: 1.概述: 1957 年可控硅 (晶闸管 )的问世,为半导体器件应用于强电领域的自动控 制迈出了重要的一步,电力电子开始登上现代电气传动技术舞台,这标志着 电力电子技术的诞生。 20 世纪 60 年代初已开始使用电力电子这个名词,进 入 70 年代晶闸管开始派生各种系列产品,普通晶闸管由于其不能自关断的 特点,属于半控型器件,被称作第一代电力电子器件。随着理论研究和工艺 水平的不断提高,以门极可关断晶闸管( GTO)、电力双极性晶体管( BJT) 和电力场效应晶体管 (Power-MOSFET )为代表的全控型器件迅速发展, 被 称作第二代电力电子器件。 80 年代后期,以绝缘栅极双极型晶体管 (IGBT) 为代表的复合型第三代电力电子器件异军突起,而进入 90 年代电力电子器 件开始朝着智能化、功率集成化发展,这代表了电力电

三相电压型逆变器课程设计

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实用文案 文案大全 三相电压型逆变器 一.电力电子器件的发展: 1.概述: 1957 年可控硅 (晶闸管 )的问世,为半导体器件应用于强电领域的自动控 制迈出了重要的一步,电力电子开始登上现代电气传动技术舞台,这标志着 电力电子技术的诞生。 20 世纪 60 年代初已开始使用电力电子这个名词,进 入 70 年代晶闸管开始派生各种系列产品,普通晶闸管由于其不能自关断的 特点,属于半控型器件,被称作第一代电力电子器件。随着理论研究和工艺 水平的不断提高,以门极可关断晶闸管( GTO)、电力双极性晶体管( BJT) 和电力场效应晶体管 (Power-MOSFET )为代表的全控型器件迅速发展, 被 称作第二代电力电子器件。 80 年代后期,以绝缘栅极双极型晶体管 (IGBT) 为代表的复合型第三代电力电子器件异军突起,而进入 90 年代电力电子器 件开始朝着智能化、功率集成化发展,这代表了电力电

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