一种改进型低压低功耗电压基准源
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本文提出了一种改进型的低压、低功耗基准参考源,通过分析原偏置电流对性能的影响,利用MOS管的亚阈值区特性,在原电路的基础上做了改进,提高了性能参数。与原电路比较,输出电压波动由2.83mv降低至0.86mv,温度变化(-25oC至125oC)由83.3ppm/oC提高至51.3ppm/oC,并在低频时具有较高的电源抑制比(79dB@1kHz)。
锑化铟晶体管工作电压低、开关快
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