电源招聘专家 负载开关的发展概况 负 载 开 关 基 本 电 路 功率 MOSFET是一种具有良好开关特性的器件：导通时其导通电阻 RDS(ON)很小；在关 断时其漏电流 IDSS很小。另外，它的耐压范围很宽，从几十 V到几百 V，漏极电源范围宽， 从 几 A 到 几 十 A ， 所 以 非 常 适 合 作 负 载 开 关 。 N沟道 MOSFET可以组成最简单的负载开关， 如图 1所示。负载接在电源与漏极之间 （负 载可以是直流电动机、散热风扇、大功率 LED、白炽灯泡或螺管线 圈等）。在其栅极上加一 个逻辑高电平，则 N-MOSFET导通，负载得电；在其栅极加一个逻辑低电平，则 N-MOSFET 关断，负载失电。 图1 用 MOSFET组成的负载开关 从图 1可以看出，负载开关接是在电源与负载之间，用逻辑电平来控制通、断，使负载 得 电或 失 电 的 功 率 器 件 。 由 于 开 关
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