通过对电容套管介质损耗试验,我们能够有效地发现因电容套管制造工艺不良或末屏断裂而引起的内部局部放电缺陷,及早地避免因绝缘缺陷而引发的套管爆炸事故,介质损耗试验中通常会遇到电容量Cx及介质损值tgδ的异常变化,文章针对主绝缘介损值变化异常,而电容量变化不显著的问题进行分析及处理,有效的判断出是末屏小套管锈蚀引起的介质损耗测试数据异常,建议对电容套管的末屏绝缘状况引起关注。
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