谐振腔增强型光电探测器的性能分析

shine-youtechnologyco.,ltd addr:3f,bld.5,shangshainnovativescience&techpark,futian,shenzhen,china,518048 tel:+86-755-29812573email:info@shine-you.comhttp://www.***.*** 微型封装（minican）ingaaspin光电探测器 特点： 微型封装，封装尺寸≤2.41mm 高响应 工作电压5v 超低暗电流 单针脚密封 工作温度-40～+85℃ 应用： 光纤通信 数据/图像传输 光纤传感 光测量仪器仪表 最大额定值： 工作温度（℃）-40～+125 存储温度（℃）-50～+125 正向电流（ma）4/8 反向电压（v）≥

光电探测器原理及应用

光电探测器概述

常用光电探测器

要正确选择光电探测器，首先要对探测器的原理和参数有所了解。 1.光电探测器 光电二极管和普通二极管一样，也是由pn结构成的半导体，也具有单方向导电性， 但是在电路中它不作为整流元件，而是把光信号转变为电信号的光电传感器件。 普通二极管在反向电压工作时处于截止状态，只能流过微弱的反向电流，光电二极 管在设计和制作时尽量使pn结的面积相较大，以便接收入射光。光电二极管在反向电压工 作下的，没有光照时，反向电流极其微弱，叫暗电流；有光照时，反向电流迅速增加到几十 微安，称为光电流。光的强度越大，反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流变化， 这就可以把光信号转换为电信号，称为光电传感器件。 2.红外探测器 光电探测器的应用大多集中在红外波段，关于选择红外波段的原因在这里就不再冗 余了，需要特别指出的是60年代激光的出现极大地影响了红外技术的发展，很多重要的激 光器件都在红外波段，

最小标准模型(msm)结构的光电探测器主要分为光导型和肖特基型两种。制备得到了肖特基型的氮化镓(gan)msm结构紫外光电探测器,采用这种结构的器件主要是因为其暗电流低、响应时间快、响应度大、寄生电容小等优点。msm形状的叉指电极是通过传统的紫外光刻和湿法刻蚀得到的,并采用au作为金属电极。得到的肖特基型gan紫外光电探测器的暗电流在1v偏压下为3.5na,器件在1v偏压下的最大响应度值出现在362nm处,大小为0.12a/w,器件的上升时间小于10ns,下降时间为210ns。并对器件响应时间的影响因素进行了深入的分析。

**资讯http://www.***.***

研制了一种gaas基波长可调谐共振腔增强型探测器.采用分子束外延设备生长in_(0.25)ga_(0.75)as/gaas量子阱作为器件的有源区,无偏压时器件的响应峰波长在1071nm,器件在21v的直流调谐电压下,实现了波长大于23nm的调谐.统计结果表明,当调谐电压大于5v时,调谐电压与响应波长之间具有稳定、精确的对应关系,且近似线性调谐,同时对器件响应峰的特性进行了理论分析.

4-3光电探测器的放大电路

红外光电探测器的设计

光电探测器件-光电子探测成像器件的设计

第二章光电探测器1.

主要综述三代红外光电探测器的材料体系与研究现状,以及分析红外光电探测器的未来发展趋势。首先,简述红外光电探测器及其三个发展阶段。然后,论述适于三代红外光电探测器发展的碲镉汞(hgcdte)、量子阱光探测(qwips,quantum-wellphotodetectors)、二类应变超晶格(sls,type-ⅱstrained-layersuperlattices)和量子点红外光探测(qdips,quantumdotirphotodetectors)四个材料体系,以及介绍它们在三代红外光电探测器方面的研究进展。最后,分析未来红外光电探测器的材料选择及发展趋势。

为了给航天仪器提供一个长期实时的绝对标准,解决航天仪器测量绝对精度低并且长期稳定性下降的问题,介绍了一种采用微机械技术把绝对辐射计微型化的新型光电探测器,把它作为定标基准源引入光谱仪定标系统。通过分析计算,给出了这种可作为定标基准源的微型化绝对辐射计esr的各项具体设计参数,理论分析证明设计是可行的,目前正处于实现阶段,该新型光电探测器的研制成功将使我国航天仪器的绝对定标精度提高一个量级。

针对光电探测器阵列型告警系统的体制特点,在分析已知编码规律的基础上,提出了一种基于激光脉冲到达时间的综合信号分选和码型识别算法。通过对该算法采用c++语言进行仿真表明:该算法具有处理速度快、精度高的特点,能显著提高系统的信号分选和码型识别能力。

阐述了光电探头线性测量原理和方法,提出了基于双光源叠加法,利用积分球混光完成辐照度叠加,测量了超高亮led随内部电流变化的光谱特性,测量结果证明:辐照光源使用超高亮led的可行性。设计中以计算机编程自动控制实现智能化和自动化完成光电探测器的线性测量为宗旨,对系统的各部分结构、原理、特点及创新性进行分析。讨论了测量系统的不确定度来源与处理方法。对硅光电探头进行多次线性测量,重复精度优于±0.5%,测量结果证明:该系统设计自动化程度和精度较高,可以作为光电探测器线性测量装置。

基于红外发光二极管hg505和光敏三极管3du5,设计了红外光电探测系统电路。该系统中传感器部分,红外信号采用单音脉冲方式发射、采用滤波和选通方法接收,增强了探测系统在工作时的抗干扰能力,适用于距离探测。

西班牙的一支研究团队已制造出了一种将等离激元透镜与胶状量子点活动区域结合起来的小而灵敏的光电探测器。巴塞罗那光子科学研究所的西尔克·迪登霍芬(silkediedenhofen)及其同事利用由胶状pbs量子点制成的红外探测器,把一个扁平靶心结构等离激元透镜集成到sio2-si基质上,这个等

通过在硅pin结构的基础上进行改进,采用硅p+pin结构,研制出650nm增强型光电探测器。详细介绍了器件结构设计和制作工艺。对器件响应度、暗电流和响应速度等参数进行计算与分析。实验结果表明,器件响应度达0.448a/w(λ=650nm),暗电流达到0.1na(vr=10v),上升时间达到3.2ns。

增加一层单层的纳米级微粒,就能显著地改变物质结构的光学性质。最近我们提供了一个实际例子:在薄薄的硅在绝缘层上(soi)的光电探测器上,增加一层纳米微粒的银(ag)层,其光学吸收能力(吸收波长λ≈800nm)会增加大约20倍。图1上部表示soi样品的几何图形以及纳米微粒层的一张扫描电子显微镜(sem)成像图,微粒的平均直径d=108nm。这种光电探测器是由一个p-n结所组成的,而

allen-bradley公司推出一种称为“10000系列光电开关”的新颖光电探测器。这种探测器的某些特性,例如接收功率的数字显示以及对被测目标的学习功能,使得这种探测器使用起来特别简便和可靠。调节参数随时由一个基于模糊逻

photoconductivedetector利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件.随着电子科学技术的日趋成熟,光电探测器的应用将更加广泛.本文阐述了光电探测器的发展、工作原理、结构、种类及应用.