砷化镓衬底RFMEMS膜开关

据《科学时报》2009年10月23日报道,由中国科学院主持的\"砷化镓霍尔器件高技术产业化示范工程\"项目,近日在北京通过国家发改委验收。示范工程由北京华源科半光电子科技有限责任公司和浙江博杰电子有限公司共同承担,项

德信诚培训网 更多免费资料下载请进：http://www.***.***好好学习社区 薄膜开关生产作业标准 1.目的：依据市场策略、公司政策、客户需求等因素，为预防影响质量之变异 点发生，并加以控制，以降低成本，并维持产品质量在一定的水平，特 制定本作业标准。 2.适用范围 2.1.本标准适用在厂内生产薄膜开关的各生产加工过程，即从原料、印刷、斩 型、加工、组装至成品的整个制造过程。 2.2.包括：试生产、首件确认、生产、ipqc检验、成品检验、出货抽验、包装、 打单转货 2.3.不包括：生产排程作业、质量异常处理作业、成品仓储作业、原物料及半 成品仓储作业 3.流程图：

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薄膜开关的介绍 发布日期：2009-08-11浏览量：1191【字体：大中小】 薄膜开关的介绍 一、材料的种类 薄膜开关、面板的材质，除要求具有平整性和印刷适应性外，更主要的是要具有可挠性和高弹性的特点。 聚氯乙烯pvc\60℃\0.175~0.5/光面常温下对酸、碱和盐类稳定。耐磨性好，耐燃自熄，消声消震，电绝缘性好。热稳定性较差。低廉 普通标牌、面板 聚碳酸酯pc\-60~120℃光面透光率高，吸水性低，尺寸稳定性好，抗弯、抗拉、抗压强度十分优越，耐热性耐寒性、电绝缘 性和耐大气老化性优良。耐药品性较差，耐疲劳性较差，易产生应力开裂。一般适用范围最为广泛，除可满足大多数薄膜开关面板的要 求外，其中光面pc的高透光率更可满足带液晶显示窗的要求。 砂面聚酯(pet)\-30~120℃\0.1~0.2光面耐药品性良好，不溶于一般有机溶剂，不耐碱。具有优

什么叫薄膜开关？ 薄膜开关又称轻触式键盘，是采用pc，pvc，pet，fpc及双面胶等软性材料，运用 丝网印刷技术制作而 成的多平面组合密封的集图形、按键、标记符号显示、导电及电子开关功能于一体的塑胶 电子制品。 薄膜开关的最主要特点在于： 1、小巧轻便：一般的薄膜开关重量为几克到几十克不等，非常便于携带和拆装； 2、美观：现代完美的丝印技术，搭配上完美的设计，可以制作出您所需要的任何图 案； 3、密封：运用特有的技术，可以使薄膜开关具有防水，防油，防污染，防静电干扰等 功能； 4、导电性能优良：开关的电路可采用碳浆、银浆、铜铂等印刷，导电层可随意折叠； 且电阻可以控制 在您想需要的任何电阻，并且，采用特有的技术，所制成的薄膜开关甚至可以接受十 几万伏的高压电击而 不损伤其功能； 5、成本低：有的薄膜开关的售价甚至只有几分

线路circuitry面板 深圳市冠利得商标印刷有限公司 shenzhencordialitylabelprintingco.,ltd. 薄膜开关工艺流程图 membraneswitchestechniqueworkflowchart 材料进料检验 裁切 缩水 印刷 干燥 pqc 组装间片冲切，放弹片， 冲切 测试 材料进料检验 裁切 缩水 印刷 干燥 pqc 打凸 pqc 成品组装 成品冲切 打拼装套 测试 fqc oqc ok ng ng 不良报废 ng ok ok 不良报废 ng ok 不良报废 ng ok 不良报废 ng ok 不良报废 ng ok 不良报废 operation incoming storage 入库inspection

随着新材料,新工艺的不断运用,塑料标牌表面的精良和色彩艳丽程度亦在不断提高,已成为综台表面处理,加工成型,网版印刷3大技术的结晶,而薄膜开关大部分都沿用了塑料(片材)标牌的加工方法,但由于薄膜开关属功能性印刷品,所以在导电银浆印刷,干燥隔离层的气通设计和加工,主体键盘的设计与加工工艺方面有着更为严格的工艺规定和要求。

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薄膜开关材料说明 面膜材料：导电银、导电碳、电路pet；设备方面：为保证精度，在生产设备上花费 了大量资金，做到确保质量优、精度高，大幅面出片分辨率为2540dpi照排机，配日产阿 克发胶片，台湾产气动张网机（保证网目均匀），瑞士300目聚酯丝网（使用瑞士产张力 计进行控制，以保证精度），气动抽真空金属卤灯保证晒版质量，30kw、25米长红外线 烘道（温控均匀，保证丝印面膜、线路、尺寸稳定、牢固），5.6km*3uc固化机（保证 uv绝缘油、

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薄膜开关的工艺流程 -------------------------------------------------------------------------------- 发表时间：2007-05-2901:15阅览次数：331 作者：membraneswitch参与评论:0发送留言 生产工艺: 设计印前丝印成型模切检验 设计 ★根据营业员提供的产品样式和参数，绘制墨稿，由营业员 交与客户审核。客户认同后，设计师进行相关文件的设计并编制各 工序操作工艺及加工要求。 印前 ★印前包括下料、制版和调墨 ★下料：根据设计室编制的工艺选取相应的材料，并按设计工艺进 行裁切。 ★制版：按设计要求制作各印刷步骤的网版。 ★调墨：根据顾客要求及设计的工艺调制不同颜色的油墨。 丝印 ★根据设计的工艺、相应的操作指导书和企标印制面膜、上下线 路层、架

文章编号：1005-6122（2011）02-0084-04 五位rfmems开关延迟线移相器 * 金铃 （南京电子技术研究所，南京210013） 摘要：设计并研制了一种6～11ghz、超宽带5位rfmems开关延迟线移相器，器件实现了5位延迟：λ、 2λ、4λ、8λ、16λ。该器件采用微带混合介质多层板技术，分4层制作，尺寸为45mm×20mm。整个器件包括20个rf mems悬臂梁开关，用60～75v的静电压驱动。6～11ghz频带内，对32个相移态的测试结果表明：一般回波损耗 s11＜－10db，各状态平均插入损耗为－8～－10db；中心频率处，器件可实现的最大延迟位时延为1680ps，总时延为 3255ps。 关键词：开关延迟线移相器，微机电系统（mems），悬臂梁开关，微波混合介质多层

薄膜开关面板的图案设计文字说明 一、常见键体与指示窗的设计 键体外形与大小的设计，应从整个面板的大小及按键数量的多少 来考虑。按键太小，操作比较费力；按键太大，则影响美观，且不宜 按准有效操作区域。另外，如果按键凸起，应选择带圆角的矩形、圆 形、椭圆、长圆等外形比较圆滑的形状；按键不凸起时，则可选择任 意形状，以略大于后部电路触点为好。在键体上设置指示窗，一般情 况下，以左上角为好。指示窗的形状虽可自由设计，但应注意尽量与 键体的外形轮廓相适应，譬如，带圆角的键体，宜采用圆形指示窗， 方角键体宜采用方形或长方形指示窗，以增进外观的协调。在同一面 板上各单元内的指示窗位置及形状应趋于一致。 二、文字和图案设计 文字和图案是操作功能的媒介，具有直接向操作者提示功能的作 用，或对仪器性能作出解说。薄膜开关的面板，一般没有外置的元件， 它是以色块来表示模拟的键盘或元件，为此，文字和图案可

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采用快速热化学气相沉积方法在氧化铝和氮化铝陶瓷衬底上制备多晶硅薄膜及太阳电池。多晶硅薄膜的晶粒尺寸在经过区再结晶后增大且霍尔迁移率提高,但随后的薄膜生长发现薄膜出现裂纹,影响了电池的效率,在al_2o_3衬底上得到196mv开路电压,1．93ma短路电流；在ain衬底上得到310mv开路电压,5．31ma短路电流。

利用直流磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底和硅片衬底上制备出掺钛氧化锌(zno∶ti)透明导电薄膜。sem和xrd研究结果表明,两种衬底上的zno∶ti薄膜均为为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向。讨论了衬底对掺钛氧化锌透明导电薄膜光学、电学性能的影响。当玻璃衬底薄膜厚度为568nm时,薄膜电阻率达到最小值1.64×10-4ω.cm,硅衬底上薄膜厚度为641nm时有最小电阻率2.69×10-4ω.cm。两种衬底所制备薄膜都具有良好的附着性能,玻璃衬底薄膜样品在波长为500~800nm的可见光中平均透过率都超过了91%,硅衬底上薄膜样品的折射率约为2.05,zno∶ti薄膜可以用作薄膜太阳电池的透明电极。

在单晶si(100)衬底以及经过改型处理的侧壁为si(110)"v"型沟槽衬底上,分别采用液相沉积(lpd)和射频磁控溅射法(rfmagnetronsputtering)制备了srtio3(sto)薄膜.通过对沉积溶液的温度、衬底的表面处理方法、衬底的放置方式以及热处理工艺的优化,研究了利用lpd法制备具有较为致密均匀的sto薄膜的条件;通过对溅射功率、溅射气压、衬底温度以及退火温度等具体参数的优化,研究了利用射频磁控溅射法在较低的衬底温度下制备具有一定取向的sto薄膜的条件.结果表明,射频磁控溅射法制备的sto薄膜在结晶状态、择优取向和表面形貌优于液相沉积.

半导体激光器是光纤通信系统最有希望的光源.但是由于横模不稳定引起的l-i(光功率—电源)特性的扭曲,严重地影响了它的应用范围.因此,努力改进其性能,特别是控制其横模得到了广泛的重视.本文所报导的沟槽衬底条形激光器工艺简单,而且在沿结平面方向因第一外延层n-al_(0.3)ga_(0.7)as厚度变化引起了有效折射率的变化,产生了一定的波导作用,从而稳定了横模.同时这种激光器的作用区是圆弧形的,有利于跟光纤的耦合.沟槽衬底条形激光器的横向电流限制是用沟槽区外的p-n-p-n结构实现的.它的制造工艺主要是采用普通的化学腐蚀和液相外延.首先在(100)取向的n-gaas衬底上扩散zn形成一层厚约2微米的p-gaas,

本文用由于禁带变窄引起的吸收边漂移造成的电子吸收来研究了砷化镓高功率高速光导开关的延迟时间,给出了初始开态场、照射激光波长和温度对延迟时间的影响的简单公式.结果表明开关的半导体片对照射激光的吸收因子增大了开关的延迟时间,在计算中应该加以考虑.

研究了高增益砷化镓光导开关中电流丝的自发辐射能量。从砷化镓光导开关中电流丝的非平衡载流子复合出发,导出了电流丝的自发辐射能量公式,建立了电流丝自发辐射的理论模型。在电流丝达到稳定状态的条件下,计算了电流丝一端的辐射波长为875nm和四个峰值波长的自发辐射能量,其中峰值波长890nm的最大光输出能量与实验观察结果吻合,合理解释了电流丝的自发辐射现象,对应用这个模型计算其他辐射波长的光输出能量给予了支持,为进一步深入定量分析电流丝辐射的光致电离效应奠定了基础。

为提高聚光时太阳能砷化镓电池的效率,利用导热油作为换热介质,将砷化镓电池的聚光温度冷却,温度升高后的导热油把热量传给低沸点工质,促使工质汽化并进入膨胀机做功。对三种不同冷却方式下砷化镓电池的效率进行了实验对比,结果表明:以导热油为介质的冷却方式,与水冷和风冷相比,砷化镓电池的平均温度分别降低了5.75℃和40.04℃,其平均效率分别提高了1.83%和11.96%。

钢铁中痕量砷的测定(苯—碘化砷萃取—砷钼兰光度法)