丝光沸石/氧化铝陶瓷膜的合成及渗透分离性能

氧化铝陶瓷及相关陶瓷

随着大功率模块与电力电子器件的发展,陶瓷表面金属化已得到广泛应用。直接敷铝技术是基于氧化铝陶瓷基板发展起来的一种陶瓷表面金属化技术。在介绍直接敷铝基板的制备方法和性能特点的基础上,重点讨论影响al-al2o3润湿性能的因素以及这些因素对氧化铝陶瓷基板敷铝过程的影响,同时展望了dab基板在功率电子系统、汽车工业等方面的应用前景。

氧化铝陶瓷及相关陶瓷PPT课件

氧化铝陶瓷的低温烧结技术 氧化铝陶瓷是一种以ａｌ２ｏ３为主要原料，以刚玉（α—ａｌ ２ｏ３）为主晶相的陶瓷材料。因其具有机械强度高、硬度大、高频 介电损耗小、高温绝缘电阻高、耐化学腐蚀性和导热性良好等优良综 合技术性能，以及原料来源广、价格相对便宜、加工制造技术较为成 熟等优势，氧化铝陶瓷已被广泛应用于电子、电器、机械、化工、纺 织、汽车、冶金和航空航天等行业，成为目前世界上用量最大的氧化 物陶瓷材料。然而，由于氧化铝熔点高达２０５０℃，导致氧化铝陶 瓷的烧结温度普遍较高（参见表一中标准烧结温度），从而使得氧化 铝陶瓷的制造需要使用高温发热体或高质量的燃料以及高级耐火材 料作窑炉和窑具，这在一定程度上限制了它的生产和更广泛的应用。 因此，降低氧化铝陶瓷的烧结温度，降低能耗，缩短烧成周期，减少 窑炉和窑具损耗，从而降低生产成本，一直是企业所关心和急需解决 的重要课题。 目前，对氧化铝

本文主要介绍了流延法生产氧化铝陶瓷基板的工艺。研究了原料粒度分布对基板微观结构的影响,用流延法制备了96％氧化铝陶瓷基板,并对基板表面被釉,试验了基板的性能,研究了基板生产过程中一些关键的因素。

低温烧结氧化铝陶瓷

氧化铝陶瓷制作工艺简介 氧化铝陶瓷目前分为高纯型与普通型两种。高纯型氧化铝陶瓷系ａｌ２ｏ３ 含量在９９．９％以上的陶瓷材料，由于其烧结温度高达１６５０—１９９０℃， 透射波长为１～６μｍ，一般制成熔融玻璃以取代铂坩埚：利用其透光性及可耐 碱金属腐蚀性用作钠灯管；在电子工业中可用作集成电路基板与高频绝缘材料。 普通型氧化铝陶瓷系按ａｌ２ｏ３含量不同分为９９瓷、９５瓷、９０瓷、８５ 瓷等品种，有时ａｌ２ｏ３含量在８０％或７５％者也划为普通氧化铝陶瓷系 列。其中９９氧化铝瓷材料用于制作高温坩埚、耐火炉管及特殊耐磨材料，如陶 瓷轴承、陶瓷密封件及水阀片等；９５氧化铝瓷主要用作耐腐蚀、耐磨部件；８ ５瓷中由于常掺入部分滑石，提高了电性能与机械强度，可与钼、铌、钽等金属 封接，有的用作电真空装置器件。其制作工艺如下： 一粉体制备： 将入厂的氧化铝粉按照不同的产品要求与不同成型工艺制

浅析氧化铝陶瓷制作工艺

采用固态粒子烧结法制备氧化铝管式陶瓷膜中的过渡层,以正交实验法系统研究过渡层配方的三种原料:三氧化二铝(al2o3),聚乙烯醇(pva),烧结助剂二氧化锆(zro2)各自质量分数以及涂膜次数对氧化铝陶瓷膜过渡层料液通量的影响。最终得出最佳工艺配方组合:ω(al2o3)=23%,ω(zro2)=12%,ω(pva)=4%,涂膜2次。并结合压汞法得出的孔径分布图和孔隙率推论:膜层孔径分布越窄,孔隙率越大,则膜通量越大。

采用正交试验法对黑色氧化铝陶瓷实验配方进行优化;采用一次、二次合成法分别制备了黑色氧化铝陶瓷;对黑色氧化铝陶瓷进行了xrd物相分析、烧结体断面sem分析,测试了烧结体的体积密度、体积电阻率、介电常数和介电损耗。结果表明,黑色氧化铝陶瓷最佳配方为:al2o391wt.%、滑石2.0wt.%、fe2o33wt.%、coo0.5wt.%、nio1wt.%、mno22.5wt.%;一次、二次合成法制备的黑色氧化铝陶瓷的体积密度分别为3.71g/cm3、3.69g/cm3,体积电阻率分别为6.8×1012ω·cm、7.1×1012ω·cm,介电常数分别为18.6、18.8,介电损耗分别为0.015、0.014。

以马尔可夫链近似模拟丝光沸石脱铝过程．用ｍｏｎｔｅｃａｒｌｏ方法计算脱铝丝光沸石中骨架ｓｉ－ａｌ近邻分布｛ｓｉ（ｎ－ａｌ）；ｎ＝０－４｝和ａｌ－ａｌ次邻分布｛ａｌ（ｍ－ａｌ）；ｍ＝０－３｝随铝浓度的演化．为使ｓｉ－ａｌ近邻分布与对脱铝丝光沸石样品的２９ｓｉｍａｓｎｍｒ观测相符，而得到丝光沸石弱酸铝易于解脱的结论，这个结论与八面沸石弱酸铝易于解脱相反．根据计算丝光沸石脱铝的开始阶段，强酸中心，ａｌ（０－ａｌ）．的数量急剧下降，由此预言脱铝丝光沸石的酸性将明显低于相同ｓｉ／ａｌ的原粉，这个预言不难直接得到实验检验．

热喷涂氧化铝涂层技术被大量应用在纺织机械行业,而其结构特点决定了这种涂层塑形变形能力差,对应力集中和裂纹敏感。本文通过对氧化铝涂层常见失效形式进行分析,并提出对策,以期提高工件使用寿命、减少生产成本。

1 氧化铝陶瓷片的散热原理是什么 氧化铝陶瓷片制品是目前应用较广泛的一种新型精密陶瓷、电子工业陶瓷 片、功能陶瓷产品。由于氧化铝陶瓷片原料昂贵和形成工艺的特殊性，目前氧化 铝陶瓷片主要用于高技术，如冶金、化工、电子、国防、航天及核技术等高科技 领域。 氧化铝陶瓷片属于特种陶瓷，具有高强度、高硬度、抗磨损、耐腐蚀、耐高 温、绝缘等优异特性，备受多种行业关注，在集成电路芯片和航空光元器件等方 面拥有其他导热绝缘材料无法比拟的优势。 目前，市场对氧化铝陶瓷散热片的需求日益增大，在暖气片散热原理大受追 捧的同时，也催生了散热片原理公司的快速发展。散热片的原理等一系列相关经 营的公司应运而生，并得到了迅猛的发展。 接下来就让小编带你来看看导热绝缘材料的相关情况吧~带你了解导热绝缘 材料~ 氧化铝陶瓷在整个陶瓷行业中的应用较为广泛，在性能上也属于非常优越。 其导热、绝缘、散热已是基本

丝光沸石是优良的吸附剂和工业生产对二甲苯的实用催化剂。脱铝是使丝光沸石改性的有效方法。chen报道了脱铝丝光沸石对环己烷的吸附量在硅铝比为15～50范围内随硅铝比增加而减少,而在50～90范围内变化很小。张红浪等用高温水蒸气处理结合酸洗的方法脱铝,得到不同硅铝比的丝光沸石,并研究了脱铝对其结构、酸性和催化性能的影响。本

β″-al2o3陶瓷在钠硫电池中,兼具固体电解质和隔膜功能,其电阻对钠硫电池的性能影响很大。以氧化铝室的异丙醇悬浊液为电泳液,添加不同量的17-99号pva作为成膜助剂,在30v的电压条件下电泳沉积4min,在1580℃下烧结10min制得β″-al2o3陶瓷。结果表明pva用量(质量分数)为0.3%时制得的β″-al2o3结构紧密、电导率最优。

从基材性能告诉你氮化铝和氧化铝陶瓷基 板工艺有什么不同 氮化铝陶瓷基板和氧化铝陶瓷基板都同属于陶瓷基板，他们的制作工艺大致是一样 的，都有都才可以采用薄膜工艺和厚膜工艺，dbc工艺、htcc工艺和ltcc工艺，那 么不同的什么呢？ 氮化铝和氧化铝陶瓷基板工艺的不同主要是因为基材的性能和结构决定了，他们 烧结温度的不同。 氮化铝陶瓷基板的结构和性能原理： 1、氮化铝陶瓷(aluminiumnitrideceramic)是以氮化铝(ain)为主晶相的陶瓷。 2、ain晶体以〔ain4〕四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属 六方晶系。 3、化学组成ai65.81%，n34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶 无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。 4、为一种高温耐热材料。热膨胀系数(4.0-6.0)x10(-6)

氧化铝陶瓷及其金属化技术

以商业α-al_2o_3粉体为原料,mgo为烧结助剂,采用放电等离子烧结技术(sps)制备亚微米晶氧化铝陶瓷.系统研究了烧结温度、烧结助剂含量对亚微米晶氧化铝陶瓷的致密化过程及显微结构的影响.分析结果表明,1250℃以及0.05wt%分别是最佳的烧结温度和烧结助剂含量;在此条件下获得的亚微米晶氧化铝陶瓷,其相对密度达到99.8%td(theoreticaldensity),平均晶粒尺寸约0.68μm,显微硬度(hv5)达到20.75gpa,在3～5μm中红外范围内直线透过率超过83%.当mgo掺杂量超过0.1wt%时,第二相mgal_2o_4形成,引起光散射,降低红外透过率.

广州昂泰电子有限公司 __________________________________ 氧化铝陶瓷片性能参数表 项目单位氧化铝96%a12o3 密度g/cm333.92 吸水率%0 热膨胀系数10-6/k8.5 杨氏弹性模量gpa340 泊松比/0.22 硬度（hv）mpa1650 弯曲强度（室温）mpa310 弯曲强度（700°c）mpa230 抗压强度（室温）mpa2200 断裂韧性mpa'm??4.2 导热率（室温）w/m.k25 绝缘强度kv/mm10 热敏抗阻k/w0.3 长期工作温度（℃）1480 比电阻率ω?mm2/m＞1016 最高使用温度（无载荷）°c1750 耐酸碱腐蚀性能/强 耐火度°c2000

陶瓷金卤灯发展的关键——多晶氧化铝陶瓷泡壳(下)

本文简述了陶瓷金卤灯的特征特性,分析了灯对陶瓷材料的要求,对比了某些陶瓷材料的结构成分及对陶瓷灯的影响,对国产陶瓷材料及泡壳进行了分析研究并给出了部分分析结果。

采用静态自蔓延铝热剂房制备陶瓷内衬钢管，添加物ｓｉｏ２６对反应过程及陶瓷衬层显微组织成份有很大的影响，直接影响反应速度和内衬层的表面质量。同时，内衬层的密度，气孔状，抗热震性能均有一定变化，而抗蚀性能和抗磨性能对ｓｉｏ２量的变化反应不明显，适量的ｓｉｏ２对陶瓷衬层的质量有利。