高压二极管阵列

百度文库 1 常用稳压二极管技术参数 型号稳压值(v) 稳定电流 (ma) 功率(mw)型号稳压值(v) 稳定电流 (ma) 功率(mw) ma103035400ma218018201000 ma10333.35400ma220020201000 ma10363.65400ma222022101000 ma10393.95400ma224024101000 ma10434.35400ma22702751000 ma10474.75400ma23003051000 ma10515.15400ma23303351000 ma10565.65400ma23603651000 ma10626.25400ma30474.75150

发光二极管的工作电压 发光二极管简称为led。由镓（ga）与砷（as）、磷（p）的化合物制成的二极管，当 电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管，在电路及仪器中作为指 示灯，或者组成文字或数字显示。磷砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二 极管发黄光。 它是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能；常简写为led。发光二极管与普通 二极管一样是由一个pn结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从p 区注入到n区的空穴和由n区注入到p区的电子，在pn结附近数微米内分别与n区的电子 和p区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态 不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同，释放出的能量越多，则发出的光的波长 越短。常用的是发红光、绿光或黄光的二极管。 发光二极管的反向击穿电压

型号 最大耗散功 率(w) 额定电压(v) 最大工作 电流(ma) 可代换型号 1n7080.255.640bwa54、2cw28-5.6v 1n7090.256.2402cw55/b、bwa55/e 1n7100.256.8362cw55a、2cw105-6.8v 1n7110.257.5302cw56a、2cw28-7.5v、2cw106-7.5v 1n7120.258.2302cw57/b、2cw106-8.2v 1n7130.259.1272cw58a/b、2cw74 1n7140.2510252cw18、2cw59/a/b 1n7150.2511202cw76、2dw12f.bs31-12 1n7160.2512202cw61/a、2cw77/a 1n7170.2513182cw62/a、2dw

发光二极管(led)失效分析 时间:2009-12-2715:17来源:unknown作者:11点击:1次 发光二极管(led)失效分析2009年06月27日星期六12： 17led(light-emitting-diode中文意思为发光二极管)是一种能够将电能转化 为可见光的半导体，它改变了白炽灯钨丝发光与节能灯三基色粉发光的原理，而 采用电场发光。据 发光二极管(led)失效分析2009年06月27日星期六12： 17led(light-emitting-diode中文意思为发光二极管)是一种能够将电能转化 为可见光的半导体，它改变了白炽灯钨丝发光与节能灯三基色粉发光的原理，而 采用电场发光。据分析。 led的特点非常明显。 寿命长、光效高、无辐射与低功耗。led的光谱几乎全部集中于可见光 频段。 其发光

1 姓名：刘玉东学号：2111403132电子与通信工程2班 led(发光二极管) 摘要 发光二极管led是一种能发光的半导体电子元件。是一种透过三价与五价元素所组成 的复合光源这种电子元件早在1962年出现，早期只能发出低光度的红光，被hp买价专利 后当作指示灯利用。之后发展出其他单色光的版本，时至今日能发出的光已遍及可见光、红 外线及紫外线，光度也提高到相当的光度。而用途也由初时作为指示灯、显示板等；随着白 光发光二极管的出现，近年续渐发展至被用作照明。 1.led图片 2.led的发展史 20世纪50年代，英国科学家发明了第一个具有现代意义的led,并于60年代面世， 但此时的led只能发出不可见的红外光。在60年代末，发明了第一个可以发出可见的 红光的led。到了七八十年代，又发明出了可以发出橙光、绿光、黄光的led。90年代 由

led发光二极管 半导体发光器件包括半导体发光二极管（简称led）、数码管、符号管、米字管及点阵式 显示屏（简称矩阵管）等。事实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单 元都是一个发光二极管。 一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用 （一）led发光原理 发光二极管是由ⅲ-ⅳ族化合物，如gaas（砷化镓）、gap（磷化镓）、gaasp（磷砷 化镓）等半导体制成的，其核心是pn结。因此它具有一般p-n结的i-n特性，即正向导 通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下， 电子由n区注入p区，空穴由p区注入n区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部 分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示。 假设发光是在p区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发 光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光

巧用发光二极管 发光二极管问世以来，在多数应用实例中，人们往往只 注意到它的发光指示用，对于发光二极管在某些场合下的特 殊用途，尚开发利用得很不够。本文针对这一问题，进行如 下的探讨。 根据发光二极管的内部结构和特性参数可知，发光二极 管的核心部分是ｐｎ结。因此它具有一般ｐ－ｎ结的ｉ－ｖ 特性，即正向导通，反向截止、击穿特性等。发光二极管的 正向压降约为１．５－３：ｏｖ，反向电压值有的还可达到 １００ｖ，正向电流值一般在１０－２０ｍａ，极限值可达 ３０－５０ｍａ，甚至大于５０ｍａ（高亮大功率）。 例１：发光二极管是一种降压元件 在日常生活和各种电子制作及电子实验中，有时我们需 要各种不同规格的电压值，利用发光二极管做降压元件，可 以弥补上述方法的不足。在小电流稳压时，常采用稳压二极 管来稳定电压，在设计电路时，还应考虑到稳压管的一些特 性。比如：稳定电流１＂是由额定功率ｐｚ和稳定电压ｖｚ

发光二极管简介

二极管的开关原理

二极管开关的通断是受两端压极控制教学课件

通过对发光二极管(led)路灯现场测试,并在实验室进行数据验证,然后采用dialux软件模拟高压钠灯照度数据,与led路灯进行能效分析比较,得出led路灯的节能情况,为深圳市政府推广led路灯提供数据参考。

p系列线性光电二极管阵列图像传感器 14μm,singleoutput,512,1024,2048像素 特点 扩展光谱范围—200到1000nm 40mhz像素读出率且70hz行速率 >2500:1动态范围 5v时钟 14μm的正方形像素，100％的填充因子 超低图像滞后 电子曝光及抗模糊控制 说明 在p系列线阵传感器中,perkinelmer结合最好的高灵敏度光电二极管阵列探测特性和高速电 荷耦合扫描,为提高先进的图像应用需求提供坚实地解决方案. 这些高性能成像系统,低噪声、高灵敏度、令人印象深刻的电荷存储能力,和无延迟的动态成 像以方便地单输出架构形式.这些14μm方形连续像素图像传感器减少图像信息最低损失和 人工修饰,而独特的光电二极管结构提供延展低于250nm出色的蓝色响应并进入到紫外线. 仅要求5v时钟的两相ccd读出

当前,低压稳压管二极管的需求日益增加,国内生产厂家采用的制造工艺也各不相同。本文介绍了几种常用稳压二极管芯片制造工艺:合金法、外延法和扩散法等,分析各种制造工艺的在低压稳压管芯片中的应用,并对未来的工艺发展方向提出自己的看法。

为了实现高精度、大面积的立靶坐标测量,提出了一种大面积激光光幕子弹弹着点坐标测试的新方法.采用4个扇形激光光幕相互交叉组合成大面积矩形光幕,利用光电二极管阵列测量激光光幕的光强,当子弹穿过激光光幕时,相应的光电二极管接收到信号,经信号采集和处理电路计算出子弹弹着点的坐标.对有效靶区1m×1m的原理样机进行7.62mm枪弹实弹射击实验,实验结果表明坐标测量精度达到2mm.该方法结构简单,易构造较大面积的靶面,其最大有效靶区可达到10m×10m.

一、概述我厂一九七一年开始生产zq型硅整流二极管,其管帽外形如图1所示。材料为t_2紫铜。管帽外表面有五十个直齿花纹。生产初期,用棒料进行车削加工,原材料利用率只有24％,生产效率也很低,根本满足不了生产的需要。

精品文档 精品文档 led发光二极管参数 简介： led是发光二极管(lightemittingdiode,led)的简称，也被称作发光二极管，这种半 导体组件一般是作为指示灯、显示板，它不但能够高效率地直三丰光电接将电能转化为光能， 而且拥有最长达数万小时～10万小时的使用寿命，同时具备不若传统灯泡易碎，并能省电 等优点。 发光二极管简称为led。由镓（ga）与砷（as）、磷（p）的化合物制成的二极管，当 电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管，在电路及仪器中作为指 示灯，或者组成文字或数字显示。磷砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二 极管发黄光。 它是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能；常简写为led。发光二极管与普 通二极管一样是由一个pn结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后， 从p区

1S1832二极管说明

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本文将详细介绍高隔离度pin二极管开关在建设工程领域中的应用。首先，我们将解释高隔离度pin二极管开关的工作原理和特点。然后，我们将探讨其在建设工程中的优势和应用案例。最后，我们将对比高隔离度pin二极管开关与传统开关的差异，并总结文章内容。

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LED发光二极管17页PPT