德国欧司朗公司开发出高性能蓝白光LED原型硅芯片

为了实现高光效、高显色性且色温可调的白光led,对四种单基色蓝、绿、黄、红光led的混光进行了研究。基于yoshi-单色光模型和光的叠加原理,通过改变四种led芯片的组合方式(峰值波长、相对光功率配比),对不同色温区的混合白光的显色指数(ra)、色品质数(qa)和光视效能(k)进行了仿真计算和光谱优化选择。结果表明:在2700~6500k色温范围内,峰值波长为445nm,500nm,560nm,620nm的组合可以得到高ra值和高qa值;峰值波长为445nm,535nm,590nm,615nm的组合可以得到较高k值。此外还分析了组合白光led光谱参数对ra、qa、k及相关色温的影响。

运用基于蒙特卡罗的光线追迹方法,对采用"光转换"兼"多色混合"技术的白光led的显色指数、相关色温、光通量、光辐射功率、荧光粉颗粒密度和色坐标进行了仿真计算和优化选择。通过改变红、绿、蓝三种led芯片的组合方式和红、绿、黄三种荧光粉的混合方式及各色荧光粉的密度,在保证有合理的光通量输出的条件下,得到了不同色温区的高显色指数白光led。从显色指数角度看,冷白、正白和暖白光应分别选择bbb芯片+绿、红色荧光粉、bbb芯片+黄、红色荧光粉和rbb芯片+黄色荧光粉组合。实验上测试了采用这几种组合方式的白光led光谱、显色指数、色温、光通量和色坐标,实验数据与仿真结果基本吻合。

该文测量了基于三基色芯片的白光led光谱及其随温度的变化,提出利用双高斯模型拟合测量光谱,并基于此研究了光谱参数变化对光视效能如s/p与ler参数的影响规律。结果表明,三基色白光led中绿光波长的选取对于获得高s/p光源最为重要,蓝光峰值波长红移引起s/p和ler的同时上升,适度优化对同时获得高光学质量和高视觉质量有益,蓝光和红光半高宽变化较绿光而言对光视效能的影响更加明显。同时,该文还研究了s/p和ler的温度敏感特性,发现s/p和ler随温度变化呈相反变化趋势。

第20卷　第3期 2005年6月 液　晶　与　显　示 chinesejournalofliquidcrystalsanddisplays vol120,no13 jun.,2005 文章编号:100722780(2005)0320250204 多芯片集成大功率白光led照明光源 吴海彬1,2,叶　光2,王昌铃2 (11福州大学机械工程学院,福建福州　350002,e2mail:wuhb@fzu.edu.cn; 21福建省苍乐电子企业有限公司,福建福州　350007) 摘　要:通过对自行设计的集成功率型1w白光led进行测试,发现当持续点亮900h时,其 光通量衰减只有12%,比传统支架型封装的白光led明显慢,而色温飘移也不明显。1w白 光led的色温可以覆盖

使用发射波长为395～400nm的近紫外led芯片来激发发射峰值波长分别在615,505和445nm的红绿蓝三基色荧光粉,建立三基色荧光粉混光理论模型,制作不同色温下高显色指数白光发光二极管,研究其光电特性。实验结果表明,采用近紫外激发的三基色白光器件色温为3000～9000k范围内,其显色指数均能保持在80～90之间;当色温大于5000k时,显色指数可以达到85;测试结果与理论计算吻合良好。最后,实验证明加入tio2粉末可消除白光led中残余近紫外线,三基色荧光粉白光led色度参数受工作电流变化的影响较小。

近紫外芯片激发三基色荧光粉制作的白光LED

使用近紫外半导体芯片激发红绿蓝三基色荧光粉,制作了白光发光二极管(led),并研究了其光电特性。结果表明,采用发射峰值波长分别在613、495和451nm的红绿蓝荧光粉,在波长400nm左右半导体芯片激发下的白光led,其显色指数ra最大为82;使用yag荧光粉代替绿色荧光粉后,ra提高到93。测试结果还表明,当工作电流从5ma增加到60ma时,制备的白光led的相关色温(tc)ra的变化率分别为+9.7%和-1.0%。

为了实现led驱动电路的无色偏高集成度要求,提出一种新型全集成的可调光白光led驱动芯片。该芯片在无需外部电感、电容的同时完成了白光led的驱动,并实现了片内集成的调光功能,可用于需要高集成度或避免电磁干扰的场合;芯片采用脉冲宽度调制(pwm)的方式来实现调光功能,在获得大范围亮度调节的同时可以避免色彩偏移现象的发生;芯片内部采用一种无外置电容的低压差线性稳压器(ldo)作为功率变换单元,具有较高的稳定性和转换速度。采用csmc0.5μm混合信号模型进行了仿真,结果表明,该芯片可以提供占空比在0到100%之间固定变换的峰值为350ma的输出电流,实现了大范围的亮度调节功能。

设计了一种升压型恒流led驱动芯片,驱动电流可由外接电阻从15~300ma任意调整,输入电压为2.8~5.5v,输出电压最高可达38v。设计固定开关频率为1mhz,应用时只需很小的外接电感即可。相对于其他驱动器电路,该驱动器增加了过压保护电路,无需外接稳压二极管,降低了应用成本。采用上华0.5μmbcd工艺完成芯片的设计,传输效率高达94%。

新型tps6106x系列专业dc／dc转换器不仅可支持2．7v至6v的输入电压．而且能够为多达3、4以及5个串行led供电。tps61060、tps61061以及tps61062器件集成了电流为400ma的mosfet及同步整流器．从而消除了采用外部串行肖特基二极管的麻烦。此外．1mhz电固定开关频率使转换器能够使用更小、低数值(iowvalue)的外部组件．如10mh的电感器与220nf的输出电容器。

欧司朗光电半导体成功地将暖白光led光源的发光效率提高到142lm/w,创下了新的实验室记录。在2755k的相关色温(cct)下,led的显色指数(cri)高达81。这些数值均在标准条件下测得:室温下,采用脉冲模式,工作电流密度为350ma/mm2。

LED基础知识-白光LED封装

欧司朗光电半导体公司的研究人员经过研究,现已成功在硅衬底上生产出了氮化镓led芯片,取代了目前普遍使用的较为昂贵的蓝宝石衬底。这种新的制造技术有望大幅降低发光二极管(led)的生产成本,进一步推动其普及进程。硅是一种标准半导体材料,作为led衬底具有尺寸大、成本低、易加工、导电好等优异性能。但技术难点在于硅与氮化镓的热膨胀系数不同,在制造过程

白光led—封装工艺 发布时间：2007-4-6来源：led导航网 一、led封装工艺 led器件的封装工艺是一个十分重要的工作。否则，led器件光损失严重，光通和光效低，光色不均匀，使用寿命短， 封装工艺决定器件使用的成败。当前所发展的白色led的典型的传统结构难以适应作为照明光源的要求，模粒、支架、封装 用的树脂，光学结构等有待采用新设计思想、新工艺和新材料，以臻工艺完善，适合固体照明光源的发展。人们一方面继承， 更重要的是摈弃旧的框框，创新性推出有自己特色的照明用新白光led光源。以下几个问题应优先发展： 1、取光率。外量子效率低，折射率物理屏障难以克服。 2、导热。 3、光色均匀和光通高的封装工艺； 4、封装树脂，高透过率，耐热，高热导率，耐uv和日光辐射及抗潮的封装树脂。 5、涂敷荧光粉胶工艺，目前滴胶工艺落后，成品率低，一致性差，劳动强度

第1页共12页 白光led,白光led封装技术 对于普通照明而言，人们需要的主要是白色的光源。1998年发白光的led开发成功。这种led是将gan芯片和钇铝石榴石（yag） 封装在一起做成。gan芯片发蓝光（λp=465nm，wd=30nm），高温烧结制成的含ce3+的yag荧光粉受此蓝光激发后发出黄色 光，峰值550nm。蓝光led基片安装在碗形反射腔中，覆盖以混有yag的树脂薄层，约200-500nm。led基片发出的蓝光部分 被荧光粉吸收，另一部分蓝光与荧光粉发出的黄光混合，可以得到得白光。现在，对于ingan/yag白色led，通过改变yag荧光粉 的化学组成和调节荧光粉层的厚度，可以获得色温3500-10000k的各色白光。 白光就是有各种颜色光组成的,平常的太阳光,日光灯都属于白光 白

vlpc0601a2、vlpci201a2j、vlpc1201a2是3款安装了6个或12个高亮度led的冷白光led模块。

按2(sr0.99,eu2+0.01)o-0．16b2o3-0．84p2o5配料以固相法合成蓝色荧光粉。该荧光粉在还原性气氛中,分别在1100,1150,1200℃和1250℃下进行焙烧。对不同温度下制成的样品进行x射线衍射分析,确定样品的晶体结构及晶相组成。通过测定样品的激发光谱和发射光谱,研究了焙烧温度对荧光粉结构的影响。结果表明:在1200℃下合成的荧光粉sr6bp5o20为单一相,属四方晶系,p4/mmm空间群,晶胞参数分别为a=0．9794nm;c=0．9516nm,对应发射谱中478nm的发射峰;在低于1200℃下合成的荧光粉中含有α-sr3(po4)2和α-sr2p2o72个晶相,对应发射谱中420nm的发射峰。

白光led的发光效率的提高方法？ 检举|2008-12-2209:16 满意回答 led的发光效率其实分为两大块：内量子效率和外量子效率，对于内量子效率 通俗讲也就是电子跃迁产生光子的效率。如何提高效率就是1.降低非辐射跃迁－ －减少非辐射的复合中心（主要是晶体缺陷）2.形成稳定的需要的能级差－－a. 有效掺杂b.降低结温 其实现在这部分技术相当成熟了，国外有很多的相关文献可以参考，基本可以达 到80％甚至90％以上 而外量子效率远没有这样高，也就是光子产生了，却无法有效放出，被led吸 收产生为热能导致结温升高，同时降低内量子效应才是问题的关键。 一、透明衬底技术 ingaalpled通常是在gaas衬底上外延生长ingaalp发光区gap窗口区制 备而成。与ingaalp相比，gaas材料具有小得多的禁带宽度，因此，当短波长

自制高亮度白光led灯 上传者：jackwang浏览次数:1252 高亮度白光led灯(以下简称白光灯)具有光色好(与日光接近)，节能(电光转换效率远高于白炽 灯，也高于荧光灯，是一种冷光源)，寿命长(寿命是荧光灯的几倍(白炽灯的几十倍),环保无污 染的特点成为白炽灯和荧光灯的有力挑战者。但其不足之处是目前价格较高。目前，白光灯已 发展到第二代；第一代白光灯的价格已大幅下降，φ5白光灯的价格已降到0.25/只，拆机φ5 白光灯的价格为0.2／只，此价格已经可以接受。笔者不久前以每只0.16元的价格邮购了几十 只拆机件φ5白光灯，用它制作了几只照明灯，效果不错，现向爱好者作一介绍。 市电220v1.2w白光led照明灯 用一只易拉罐的球形罐底，用剪刀修圆，在上面钻出20个小孔，小孔的分布呈圆形，尽量 制作得美观些，孔的大

研究了低能电子束辐照对gan基白光led发光性能的影响。利用电子束模拟空间电子辐射,对白光led灯板进行电子束辐照,并与辐照前的灯板比较,研究其光学性能,尤其是色度学性能的变化。试验结果表明,在电子束辐照后,led的光效退化,色温增强,蓝光峰值波长蓝移,荧光粉激发作用增强。最后总结了辐照前后的平均蓝光峰值波长、黄光相对峰强以及色温的变化值与辐照剂量的对应关系。同时对实验结果进行机理分析和讨论。本实验对照明用白光gan基led的辐照研究以及改性实验有指导作用。

高亮度白光led灯制作 高亮度白光led灯(以下简称白光灯)具有光色好(与日光接近)，节能(电光转换效率远高于 白炽灯，也高于荧光灯，是一种冷光源)，寿命长(寿命是荧光灯的几倍(白炽灯的几十倍),环 保无污染的特点成为白炽灯和荧光灯的有力挑战者。但其不足之处是目前价格较高。据介绍， 在深圳1瓦白光灯的价格要十几元，3瓦、5瓦灯的价格更高迭数十元之多，因而难以推广 使用。目前，白光灯已发展到第二代；第一代白光灯的价格已大幅下降，φ5白光灯的价格 已降到0.25/只，拆机φ5白光灯的价格为0.2／只，此价格已经可以接受。笔者不久前以每 只0.16元的价格邮购了几十只拆机件φ5白光灯，用它制作了几只照明灯，效果不错，现向 爱好者作一介绍。 市电220v1.2w白光led照明灯 用一只易拉罐的球形罐底，用剪刀修圆，在上面钻

采用440nm短波长ingan/gan基蓝光led芯片激发高效红、绿荧光粉制得高显色性白光led,研究了不同胶粉配比对led发光性能的影响,结果表明,a胶、b胶、绿粉、红粉比重在0.5:0.5:0.2:0.03时,在440nm蓝光激发下呈现了有两个谱带组成的发光光谱,分别是峰值为535nm的特征光谱和643nm的特征光谱,胶粉通过均匀调配后能够有效的进行混光产生低色温白光,实验中最低色温可达3251k,显色指数高达88.8,这比传统蓝光激发yag荧光粉制得的白光led色温更低,显色指数提高了26%。