屏蔽技术

屏蔽技术是利用金属材料对于电磁波具有较好的吸收和反射能力来进行抗干扰的。根据电磁干扰的特点选择良好的低电阻导电材料或导磁材料,构成合适的屏蔽体。利用铜或铝等低电阻材料制成的容器,将需要防护的部分包起来或者利用导磁性良好的铁磁材料制成的容器将需要防护的部分包起来。屏蔽一般分为三种:静电屏蔽、磁场屏蔽和电磁屏蔽。 

屏蔽技术基本信息

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屏蔽技术源于欧洲,它是在普通非屏蔽布线系统的外面加上金属屏蔽层,利用金属屏蔽层的反射、吸收及趋肤效应实现防止电磁干扰及电磁辐射的功能,屏蔽技术综合利用了双绞线的平衡原理及屏蔽层的屏蔽作用,因而具有非常好的电磁兼容(EMC)特性。欧洲大多数的最终用户会选择屏蔽布线系统,尤其在德国,大约95%的用户安装是屏蔽系统,而另外的5%安装的为光纤。

目前屏蔽几乎是已为越来越多的用户所认识它在电磁兼容方面的良好性能也正在为越来越多的用户所认可。市场上的屏蔽布线产品除了进口于欧洲,越来越多的厂 商也提供屏蔽布线产品。在最新发布的北美布线TIA/EIA-568-B标准中屏蔽电缆和非屏蔽电缆同时被作为水平布线的推荐媒介,从而结束了北美没有屏 蔽系统的历史。在中国越来越多的用户,尤其是涉及到保密和辐射强烈的项目,开始关注和使用屏蔽系统,甚至是六类屏蔽系统。

屏蔽技术拥有一套完整的屏蔽、接地理论和产品系列,提供最完整、最全面的电缆、部件及端到端全屏蔽解决方案以满足当今网络日益提升的需求。当然,目前业界对屏蔽布线系统的一些争论,也可能使用户不是十分的屏蔽技术 。

FTP电缆的屏蔽原理不同于双绞的平衡抵消原理,FTP电缆是在四对双绞线的外面加一层或两层铝箔,利用金属对电磁波的反射、吸收和趋肤效应原理(所谓趋 肤效应是指电流在导体截面的分布随频率的升高而趋于导体表面分布。频率越高,趋肤深度越小,即电磁波的穿透能力越弱)有效地防止外部电磁干扰进入电缆,同 时也阻止内部信号辐射出去干扰其它设备的工作。2100433B

屏蔽技术造价信息

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屏蔽技术常见问题

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屏蔽技术文献

屏蔽电缆的屏蔽效能及其测量 屏蔽电缆的屏蔽效能及其测量

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屏蔽电缆的屏蔽效能及其测量 作者: 刘建鹏 作者单位: 中国电子技术标准化研究所 刊名: 安全与电磁兼容 英文刊名: SAFETY & EMC 年,卷(期): 2001(3) 被引用次数: 2次 参考文献(2条) 1. IEC 61917.Cables,cable assemblies and connectors - introduction to electromagnetic (EMC) screening measurements 1998 2. IEC 1196-1.Radio - frequency cables - Partl:Generic specification - General,definitions,require ments and test methods 1995 本文读者也读过(10条) 1. 孙超 .张伟 屏蔽电缆转移阻抗测试方法的比较 [

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电缆的内屏蔽和外屏蔽的作用 电缆的内屏蔽和外屏蔽的作用

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1 / 2 电缆的内屏蔽和外屏蔽的作用 屏蔽就是对两个空间区域之间进行金属的隔离,以控制电场、磁场和电磁 波由一个区域对另一个区域的感应和辐射。具体讲,就是用屏蔽体将元部件、 电路、组合件、电缆或整个系统的干扰源包围起来,防止干扰电磁场向外扩 散;用屏蔽体将接收电路、设备或系统包围起来,防止它们受到外界电磁场的 影响。因为屏蔽体对来自导线、电缆、元部件、电路或系统等外部的干扰电磁 波和内部电磁波均起着吸收能量(涡流损耗)、反射能量(电磁波在屏蔽体上 的界面反射)和抵消能量(电磁感应在屏蔽层上产生反向电磁场,可抵消部分 干扰电磁波)的作用,所以屏蔽体具有减弱干扰的功能。 (1)当干扰电磁场的频率较高时,利用低电阻率的金属材料中产生的涡 流,形成对外来电磁波的抵消作用,从而达到屏蔽的效果。 (2)当干扰电磁波的频率较低时,要采用高导磁率的材料,从而使磁力线 限制在屏蔽体内部,防止扩散到屏蔽的空

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屏蔽体的有效性用屏蔽效能(SE)来度量。屏蔽效能的定义如下:

SE=20lg(E1/E2) (dB)

式中:E1 =没有屏蔽时的场强 E2 =有屏蔽时的场强

如果屏蔽效能计算中使用的是磁场强度,则称为磁场屏蔽效能,如果屏蔽效能计算中使用的是电场强度,则称为电场屏蔽效能。屏蔽效能的单位是分贝(dB),下表是衰减量与分贝的对应关系:

屏蔽前

屏蔽后

衰减量

屏蔽效能

1

0.1

90%

20dB

1

0.01

99%

40dB

1

0.001

99.9%

60dB

1

0.0001

99.99%

80dB

1

0.00001

99.999%

100dB

一般民用产品机箱的屏蔽效能在40dB以下,军用设备机箱的屏蔽效能一般要达到60dB,TEMPEST设备的屏蔽机箱屏蔽效能要达到80dB以上。屏蔽室或屏蔽舱等往往要达到100dB。100dB以上的屏蔽体是很难制造的,成本也很高。

摘要

1、屏蔽的商业必要性;

2、屏蔽的概念;

3、电路之间、屏蔽之间更大(的间距)、矩形(或不规则)的屏蔽外形更好,以避免共振;

4、趋肤效应 (很难挡住低频)

5、孔隙 (很难挡住高频)

6、低频(磁场)屏蔽

7、截至波导

8、导体垫圈(用于填缝)

9、可视组件的屏蔽(如显示皮、指示灯、键盘)

10、通风(散热)孔的屏蔽

11、用喷漆或电镀的塑料来屏蔽

12、非金属屏蔽

13、屏蔽室的安装

14、板级电磁屏蔽

1、屏蔽的商业必要性

笔者提出的一个重要概念:

一个项目在计划阶段就要考虑屏蔽问题,这样花费在屏蔽措施上的成本才会最低。

若等到问题暴露出来再去查漏补缺,往往需要付出相当大的代价。

屏蔽措施往往带来费用和仪器重量的增加,若能以其他EMC方式加以解决,就尽量减少屏蔽。(言下之意屏蔽是最后一招)

对于PCB应注意以下两点:

1、使导线及元器件尽量靠近一块大的金属板(这个金属板不是指屏蔽体)

2、使电气部件及线路尽量靠近地层(减少层间信号的电磁干扰、地层可以吸收部分干扰 )这样,即使是需要加屏蔽,也可以降低对屏蔽效能(SE shiedling effectiveness)的需求。

2、屏蔽的概念

屏蔽相当于一个滤波器,放置于电磁波的传播路径上,对其中的一部分频段形成高阻抗。阻抗比越大,屏蔽效能越好。

对于一般金属,0.5mm的厚度就能对1MHz的电磁波产生较好的屏蔽效果,对100MHz能有非常好的屏蔽效果,问题在于薄层金属屏蔽对1MHz以下或孔隙来说,屏蔽效果就不行了,本文重点介绍这方面。

3、大的间距、矩形屏蔽会更好

(1) 电路之间、屏蔽之间更大的间距能够减少相互干扰;

(2) 矩形(或不规则)的屏蔽外形,能够尽量避免频率共振;正方形的外壳往往容易引起共振;

但总的来说,电路板一般位于屏蔽体内,其元器件、线路等都会改变预期的共振频率点,所以不必太操心。

4、趋肤效应

趋肤深度

工程上定义从表面到电流密度下降到表面电流密度的0.368(即1/e)的厚度为趋肤深度或穿透深度Δ:

式中:

μ-导线材料的磁导率;

γ=1/ρ-材料的电导率;

k-材料电导率(或电阻率)温度系数;

上图:不同频率下三种金属的趋肤效应深度(频率越高,深度越浅,越趋肤);趋肤效应以传导的角度看,是希望趋肤深度深的,那表示导线的利用率高;但是对于屏蔽,是希望趋肤深度浅的,这样就能以较薄的金属屏蔽更多的电磁频段;50Hz的趋肤深度5~15mm,很难屏蔽……

用于屏蔽的金属应有良好的导电及导磁性能,厚度根据干扰的最低频率所产生的趋肤深度来定。一般1mm的低碳钢板或者1μm的镀锌层就能满足一般的应用。(这也是实际中常看到机箱壁上镀锌的原因)

5、孔隙

如果屏蔽体的整个壳体是无缝无孔的,那么对于30MHz的电磁波来说,要达到100dB的衰减效果不是难事。问题就在于他们不是无缝无孔的:

在一个完美的屏蔽壳体上开一个洞,相当于构成一个半波共振缝隙天线,屏蔽效能SE与孔的最大尺寸d、电磁波波长λ关系如下:

那么对于之前提到的30MHz,波长10m,假设有一个USB口(孔径对角线尺寸10mm),换算下来SE为54dB,d越大,SE越小。

我们常用到的电磁波频段:

我们在常规应用中制造出的干扰及谐波频段:

孔隙、平率与屏蔽效能的大致关系:

要达到40dB的SE,通常需要用导体垫圈、弹簧夹指来进行密封,注意内部元件与屏蔽罩的间距、数据总线与开孔和缝隙之间的距离。

还要注意,当屏蔽体中有电流,且电流的前进方向上有孔缝挡路,迫使电流绕行时,将引起孔缝类似天线而发射磁场,通过孔缝变化的电压产生磁场。

6、低频磁场的屏蔽

采用高磁导率的合金材料(如非晶合金、坡莫合金),按一定规格制成屏蔽罩,可大幅度减小磁场影响。

7、截至波导

8、垫圈

采用良导体,用于填缝,能承受一定的挤压变形,抗腐蚀、经久耐用.

9、可视组件的屏蔽

10、通风孔的屏蔽

将通风孔做成两种形式:

(1)金属网格(类似蜂窝铝板)

(2) (截至)波导

11、用喷漆或电镀的塑料

因为开模塑料美观轻便,所以时常使用,对这种情况,一般在塑料杯面喷涂导电材料,因为导电层厚度不可能太厚(微米级),实际效果不怎么样。

对于二类电器(class II),还可能增加静电放电(ESD)的可能性。

二类电器:这类电器采用双重绝缘或加强绝缘,没有接地要求。

12、非金属屏蔽

如碳纤维或导电聚合物(导电塑料),但是无论如何其SE都不及金属的好。

13、屏蔽罩的安装

14、板级屏蔽

电磁波在穿过屏蔽体是发生衰减是因为能量有了损耗,这种损耗可以分成两个部分:反射损耗和吸收损耗。

反射损耗:当电磁波入射到不同媒质的分界面时,就会发生反射,使穿过界面的电磁能量减弱。由于反射现象而造成的电磁能量损失称为反射损耗,用字母R表示。当电磁波穿过一层屏蔽体时要经过两个界面,要发生两次反射。因此,电磁波穿过屏蔽体时的反射损耗等于两个界面上的射损反耗总和。反射损耗的计算公式如下:

R=20lg(ZW/ZS) (dB) 式中: ZW= 入射电磁波的波阻抗 ,ZS=屏蔽材料的特性阻抗

|ZS|=3.68×10-7(fμrσr)1/2式中: f= 入射电磁波的频率 ,μr=相对磁导率,σr=相对电导率

吸收损耗:电磁波在屏蔽材料中传播时,会有一部分能量转换成热量,导致电磁能量损失,损失的这部分能量成为屏蔽材料的吸收损耗,用字母A表示,计算公式如下:

A=3.34t(fμrσr)1/2 (dB)

多次反射修正因子:电磁波在屏蔽体的第二个界面(穿出屏蔽体的界面)发生反射后,会再次传输到第一个界面,在第一个界面发射再次反射,而再次到达第二个界面,在这个界面会有一部分能量穿透界面,泄漏到空间。这部分是额外泄漏的。应该考虑进屏蔽效能的计算。这就是多次反射修正因子,用字母B表示,大部分场合,B都可以忽略。

SE = R A B

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