●产品启动性能非常好。
它是采用串联谐振电路,彻底解决了可控硅中频启动困难的问题。
●产品几乎不产生高次谐波。
不会污染电网、变压器,开关不发热,不会干扰工厂内的电子设备运行。
●产品具有高可靠性。
主要元器件全部采用世界名厂生产的元器件,IGBT晶体管是德国西门子公司生产的。
●产品节约电能。
●产品水循环系统采用水热交换器和内外水循环系统。
内循环是蒸馏水,长期使用,设备内各水路不结垢不堵塞,大大减少了故障,节约了维修费用。
●产品能在熔炼过程中始终保持恒功率输出。2100433B
1、厚壁感应圈将提供更多的熔炼能量
厚壁感应圈与其它截面的感应线圈相比具有更大的载流截面,因此线圈电阻低,更多的能量可以用熔炼.并且由于四周管壁的厚度均匀,因此它的强度要比管壁不均匀、一边管壁较薄的线圈结构的强度高.也就是说荣泰的这种结构的线圈不易发生因电弧和膨胀而引起的损坏.
2、感应线圈的匝间开放空间提高了电效率,减少了水汽
经过反复实践思考,我们设计的感应线圈的匝间留有空间,这样能够士提高线圈载流的效率,并且可以让炉衬材料中的水汽很容易挥发.在无间隙式感应圈的炉体中,一个通常的问题是线圈常受到邻近线圈磁场的影响,从面使得阻抗增加.
3、线圈设计原理
线圈是感应炉的心脏,感应线圈在电流的作用下产生强大的磁场,此磁场使炉膛内的金属产生涡流而发热。线圈是电能转换成热能的关键所在,所以线圈的设计非常重要。本炉的线圈是结合感应炉的实际使用情况,根据电磁场原理,通过计算机专业软件的计算而确定的较佳方案,采用最新线圈反并绕技术(双感应圈并联),更好的聚集磁场,提高磁场搅拌力,感应线圈的设计功率与实际运行功率的误差不大于5%,线圈的绝缘,特别是匝间绝缘采用先进的绝缘处理办法来保证,专用的夹紧技术能有效地减少线圈的轴向振动。
4、开放式的炉底减少了水汽
开放式的炉底设计易于通气,避免了水分的积聚.并且万一漏炉发生,能降低损坏程度.
5、冷却环延长了炉衬的寿命
良好地冷却炉衬不仅能提供更好的绝热及阴热物性,而且可以提高炉衬的寿命.为了达到这种目的,荣泰在炉体设计时,在顶部和底部分别加了冷却环,这样水仅能够起到均匀炉衬温度的目的,而且降低了热膨胀.由于采用了低热耗,高强度的紫铜冷却环,大大提高了电炉的效率.
电源控制部分原理及优势:
(2)IGBT中频电源为一种恒功率输出电源,加少量料即可达到满功率输出,并且始终保持不变,所以熔化速度快;因逆变部分采用串联谐振,且逆变电压高,所以IGBT中频比普通可控硅中频节能;IGBT中频采用调频调功,整流部分采用全桥整流,电感和电容滤波,且一直工作在500V,所以IGBT中频产生高次谐波小,对电网产生污染工低。
(3)节能型IGBT晶体管中频电源比传统可控硅中频电源可节能15%-25%,节能的主要原因有以下几下方面:
A、逆变电压高,电流小,线路损耗小,此部分可节能15%左右,节能型IGBT晶体管中频电源逆变电压为2800V,而传统可控硅中频电源逆变电压仅为750V,电流小了近4倍,线路损耗大大降低。
B、功率因数高,功率因数始终大于0.98,无功损耗小,此部分比可控硅中频电源节能3%-5%。由于节能型IGBT晶体管中频电源采用了半可控整流方式,整流部分不调可控硅导通角,所以整个工作过程功率因数始终大于0.98,无功率损耗小。
B、 炉品热损失小,由于节能型IGBT晶体管中频电源比同等功率可控硅中频电源一炉可快15分钟左右,15分钟的时间内炉口损失的热量可占整个过程的3%,所以此部分比可控硅中频可节能3%左右。
(4)高次谐波干扰:高次谐波主要来自整流部分调压时可控硅产生的毛刺电压,会严重污染电网,导致其他设备无法正常工作,而节能型IGBT晶体管中频电源的整流部分 采用半可控整流方式,直流电压始终工作在最高,不调导通角,所以它不会产生高次谐波,不会污染电网、变压器,开关不发热,不会干扰工厂内其他电子设备运行。
(5)恒功率输出:可控硅中频电源采用调压调功,而节能型IGBT晶体管中频电源采用调频调功,它不受炉料多少和炉衬厚薄的影响,在整个熔炼过程中保持恒功率输出,尤其是生产不锈钢、铜、铝等不导磁物质时,更显示它的优越性,熔化速度快,炉料元素烧损少,降低铸造成本。
1、 超小型中频感应加热电源2、 顶出式或倾倒式熔炼炉体3、 补偿电容箱
短时间内,淘汰掉中频感应电炉还是不太现实的,这也是目前最主流的冶炼设备了。
原理上说应该都属于中频加热范畴。从字面区分,熔炼炉的功能就是把工料加热熔化成液态,再通过浇铸成型,通常用于铸造行业;中频加热炉则是把工料加热到不同要求的温度(根据材料和工艺而定),提供给机械设备压制成...
介绍了采用中频炉熔炼铸铁时,炉前w(C)量检测的常见问题:(1)如何选用适宜的炉前化学成分检测设备;(2)铁液熔清时检测铁液的w(C)量不准确或波动大;(3)球化处理后铁液的w(C)量检测结果波动大或偏差大;(4)检查球铁铸件本体成分时,w(C)量检测不准确造成偏差过大。对上述问题的原因进行了分析,并提出了相应的解决措施。最后指出,铁液中的w(C)量检测和铸件中的w(C)量检测,需要根据实际情况采取适宜的措施,才能获得准确的结果。
通过正交试验研究了轴承钢屑在中频感应电炉中的熔炼脱碳规律及脱碳措施,结果发现其熔炼过程中的脱碳反应主要集中发生在预热前后和预热化期,脱碳程度钢屑的锈蚀程度的加剧而加剧,未经预热前处理的一般轴承钢屑经重熔后,其碳质量分数可从1.0%降至0.6%,若进行熔炼前的预热前处理,则碳质量分数可降至0.3%,然而,在熔炼氧化期所使用的氧化铁皮进行的氧化脱碳效果有限。
串联中频炉与并联中频炉的选择
串联中频炉和并联中频炉的差别,源于它们所用的振荡电路不同,前者是用L、R和C串联,后者是L、R和C并联。作为铸造企业,是应该选择串联中频炉还是并联中频炉呢?虽然这需要根据自己的实际情况出发,但是首先还是要搞清楚二者有什么异同,各自有什么优缺点,然后才能做出正确的选择。
把串联中频炉与并联中频炉做了一个简单的比较,主要有以下区别:
1
串联中频炉的负载电路对电源呈现低阻抗,要求由电压源供电,因此,经整流和滤波的直流电源末端,必须并接大的滤波电容器。当逆变失败时,浪涌电流大,保护困难。
并联中频炉的负载电路对电源呈现高阻抗,要求由电流源供电,需在直流电源末端串接大电抗器。但在逆变失败时,由于电流受大电抗限制,冲击不大,较易保护。
2
串联中频炉的输入电压恒定,输出电压为矩形波,输出电流近似正弦波,换流是在晶闸管上电流过零以后进行,因而电流总是超前电压φ角。
并联中频炉的输入电流恒定,输出电压近似正弦波,输出电流为矩形渡,换流是在谐振电容器上电压过零以前进行,负载电流也总是越前于电压一φ角。这就是说,两者都是工作在容性负载状态。
3
串联中频炉是恒压源供电,为避免逆变器的上、下桥臂晶闸管同时导通.造成电源短路,换流时,必须曝证先关断,后开通。即应有一段时间(ta)使所有晶闸管都处于关断状态。此时的杂散电感,即从直流端到器件的引线电感上产生的感生电势,可能使器件损坏,因而需要选择合适的器件的浪涌电压吸收电路。此外,在晶闸管关断期间,为确保负载电流连续,使晶闸管免受换流电容器上高电压的影响,必须在晶闸管两端反并联快速二极管。
并联中频炉是恒流源供电,为避免滤波电抗I.d上产生大的惑生电势,电流必须连续。也就是说,必须保证逆变器上、下桥臂晶闸管在换流时,是先开通后关断,也即在换流期间(t)内所有晶闸管都处于导通状态。这时,虽然逆变桥臂直通,由于L足够大,也不会造成直流电源短路,但换流时间长,会使系统效率降低,因而需缩短t,即减小Lk值。
4
串联中频炉的工作频率必须低于负载电路的固有振荡频率,即应确保有台适的ta时间,否则会因逆变器上、下桥臂直通而导致换流的失败。
并联中频炉的工作频率必须略高于负载电路的固有振荡频率,以确保有合适的反压时问t,否则会导致晶闸管间换流失败;但着高得太多,则在换流时晶闸管承受的反向电压会太高,这是不允许的。
5
串联中频炉的功率调节方式有二:改变直流电源电压Ud或改变晶闸管的触发频率,即改变负载功率因数cosφ。
并联逆变器的功率调节方式,一般只能是改变直流电源电压Ud。改变cosφ虽然也能使逆变输出电压升高和功率增大,但所允许调节范围小。
IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。使用中当IGBT模块集电极电流增大时,所产生的额定损耗亦变大。同时,开关损耗增大,使原件发热加剧,因此,选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时,由于开关损耗增大,发热加剧,选用时应该降等使用。
IGBT Modules 在使用中的注意事项
由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,再触摸;在用导电材料连接模块驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块;尽量在底板良好接地的情况下操作。
在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压,但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此,通常采用双绞线来传送驱动信号,以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
此外,在栅极-发射极间开路时,若在集电极与发射极间加上电压,则随着集电极电位的变化,由于集电极有漏电流流过,栅极电位升高,集电极则有电流流过。这时,如果集电极与发射极间存在高电压,则有可能使IGBT发热及至损坏。
在使用IGBT的场合,当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态),若在主回路上加上电压,则IGBT就会损坏,为防止此类故障,应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。
在安装或更换IGBT模块时,应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻,最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇,当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热,而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查,一般在散热片上靠近 IGBT模块的地方安装有温度感应器,当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。
中频炉打结料也称中频炉炉衬材料、中频炉耐火材料、中频炉干振料、中频炉捣打料,分酸性、中性、碱性打结料。
酸性打结料是以高纯石英、熔融石英为主要原料,以复合添加剂为烧结剂;中性打结料是以氧化铝、高铝材料为主要原料,以复合添加剂为烧结剂;碱性打结料是以高纯电熔刚玉、高纯电熔镁砂、高纯尖晶石作为主要原料,以复合添加剂为烧结剂。
酸性、中性、碱性打结料广泛应用在无芯中频炉、有芯感应炉中,作为中频炉打结料用以熔化灰口铸铁、球墨铸铁、可煅铸铁、蠕墨铸铁及铸铁合金,熔化碳钢、合金钢、高锰钢、工具钢、耐热钢、不锈钢,熔化铝及其合金,熔化紫铜、黄铜、白铜及青铜等铜合金等。
中频炉打结料