PoP叠层封装工艺

元器件内芯片的堆叠大部分是采用金线键合的方式( Wire Bonding), 堆叠层数可以从2 层到8 层。STMICRO 声称迄今厚度达40 微米的芯片可以从两个堆叠到八个(SRAM, flash, DRAM)，40 微米的芯片堆叠8 个总厚度为1.6mm，堆叠两个厚度为0.8mm。

器件内置器件(PiP, Package in Package), 封装内芯片通过金线键合堆叠到基板上,同样的堆叠通过金线再将两个堆叠之间的基板键合,然后整个封装成一个元件便是PiP(器件内置器件)。PiP 封装的外形高度较低，可以采用标准的SMT 电路板装配工艺，单个器件的装配成本较低。 但由于在封装之前单个芯片不可以单独测试，所以总成本会高(封装良率问题)，而且事先需要确定存储器结构，器件只能由设计服务公司决定，没有终端使用者选择的自由。

元件堆叠装配(PoP, Package on Package), 在底部元器件上面再放置元器件，逻辑+存储通常为2到4 层，存储型PoP 可达8 层。 外形高度会稍微高些，但是装配前各个器件可以单独测试，保障了更高的良品率，总的堆叠装配成本可降至最低。 器件的组合可以由终端使用者自由选择， 对于3G 移动电话，数码相机等这是优选装配方案。

各种堆叠封装工艺成本比较

电路板装配层次的 PoP

Amkor PoP 典型结构

当前半导体封装发展的趋势是越来越多的向高频、多芯片模块(MCM)，系统集成(SiP)封装，堆叠封装(PiP, PoP)发展，从而传统的装配等级越来越模糊，出现了半导体装配与传统电路板装配间的集成，如倒装晶片(Flip Chip)直接在终端产品装配。半导体装配设备中的特征功能开始出现在多功能精细间距贴片机上，同时具有较高的精度，又有助焊剂应用的功能。可以说，元件堆叠技术是在业已成熟的倒装晶片装配技术上发展起来的。

自2003 年前元件堆叠技术大部分还只是应用在闪存及一些移动记忆卡中，2004 年开始出现了移动电话的逻辑运算单元和存储单元之间的堆叠装配。 在此财政年度内整个堆叠技术市场的平均增长率达60%。 预计到2009 年增长率达21%，其中移动电话对于堆叠装配技术的应用将占整个技术市场的17%, 3G 手机，MPEG4 将大量采用此技术。

移动通信产品关键是要解决"带宽"的问题，通俗的讲就是高速处理信号的能力。这就需要新型的数字信号处理器，解决方案之一就是在逻辑控制器上放置一枚存储器(通常为动态存储器)，实现了小型化，功能也得以强化。 而成熟的倒装晶片技术促成了这一技术大量应用的可能。基本上我们可以利用现有的SMT 现有的和下游资源及现成的物流供应链导入此技术进行大批量生产。