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更新时间:2024.06.11
大抛光模磁流变超光滑平面抛光技术研究

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近年来,随着信息电子技术、光电技术及半导体照明技术的迅速发展,超光滑平面元器件需求越来越大,这些表面要求达到亚纳米级表面粗糙度、微米级面形精度且无表面和亚表面损伤,传统超精密抛光技术由于耗时、成本高、易产生表面损伤,难以满足大批量生产的要求。磁流变加工被认为是一种极具前景的获取低损伤镜面的技术手段,然而,传统磁流变加工方法抛光点面积小,加工效率低。为解决上述问题,本文在比较分析国内外超光滑表面加工技术的基础上,提出了一种大抛光模磁流变超光滑平面抛光技

光电效应3

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光电效应和普朗克常量的测定 一、实验目的 了解光电效应的基本规律;学会用光电效应法测普朗克常量;测定并画出光电 管的光电特性曲线。 二、实验仪器 水银灯、滤光片、遮光片、光电管、光电效应参数测试仪。 三、实验原理 光电效应: 当光照射在物体上时,光子的能量一部分以热的形式被物体吸收,另一部分则 转换为物体中一些电子的能量,使部分电子逃逸出物体表面。这种现象称为光电效 应。爱因斯坦曾凭借其对光电效应的研究获得诺贝尔奖。在光电效应现象中,光展 示其粒子性,同时也提出了光的量子性。 光电效应装置: S为真空光电管。内有电极板, A、K极板分别为阳极和阴极。 G为检流计(或 灵敏电流表)。无光照时,光电管内部断路, G中没有电流通过。 U为电压表,测 量光电管端电压。由于光电管相当于阻值很大的“电阻”,与其相比之下检流计的 内阻基本忽略。故检流计采用“内接法”。 用一波长较短(光子能量较大)的单色

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