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更新时间:2024.05.18
纳米薄膜小论文

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纳米技术在薄膜中的应用与发展 摘要 :近年来纳米技术的发展研究是一个热烈的话题,受到了广泛的关注。 而纳米薄膜材料是一种新型材料, 由于其特殊的结构特点, 时期作为功能材料和 结构材料都具有良好的发展前景。 本文简单介绍了纳米薄膜材料的性能、 制备方 法,应用领域等几个方面,为初步认识和了解纳米薄膜材料有推动作用。 关键字:纳米技术 ,薄膜 ,材料 纳米技术在今天已经不是个陌生的话题,所谓纳米技术,是指在 0.1~100纳 米的尺度里,研究电子、原子和分子内的运动规律和特性的一项技术。这是 21 世纪最有竞争力的技术之一。 科学家们在研究微观粒子结构与性能过程中, 发现 在纳米尺度下的原子或分子, 可以表现出许多新的特性, 而利用这些特性制造具 有特定功能的设备与仪器,能够在改善人们的日常生活中起到相当显著的作用。 纳米技术是一门交叉性很强的综合学科,研究的内容涉及现代科技的广阔领域。 而

双壳层ZnO/CdSe/CdTe纳米电缆阵列的光伏应用

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以ZnO纳米棒阵列作为核,通过电化学沉积方法成功制备了致密的单壳层或者双壳层ZnO/CdTe/CdSe,ZnO/CdTe和ZnO/CdSe纳米电缆阵列光电极。对于ZnO/CdSe/CdTe纳米电缆阵列,有序且具有闪锌矿结构的CdSe和CdTe纳米壳层的厚度分别为10-20nm和7-15nm,两者之间形成了连续致密的界面层。利用未接触之前体材料之间的能带偏移和接触之后费米能级的调整,对于双壳层纳米电缆阵列,推导出在CdSe/CdTe和CdTe/CdSe界面的能级调校。对比在ZnO/CdTe/CdSe纳米电缆中CdTe/CdSe界面之间形成的负能带偏压-0.16eV,对于ZnO/CdSe/CdTe纳米电缆,CdTe的能带在CdSe的能带之上,因而在CdSe/CdTe界面之间成了0.16eV的正导带偏压。这样一个阶梯式的能带排列以及质密的界面接触,不仅使纳米电缆沿着径2向具有很少的晶界,同时沿轴向电子传输速率得到加快。因此,在45mW/cm的AM1.5G模拟光照2下,ZnO/CdSe/CdTe纳米电缆阵列光电极的饱和光电流密度高达~14.3mA/cm,明显高于ZnO/CdTe/CdSe,ZnO/CdSe和ZnO/CdTe纳米电缆阵列。

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