基于超声波的功率半导体高温封装技术介绍 作者：张曹 天津爱沐阳光科技 一、行业背景 以碳化硅（ SiC）和氮化镓（ GaN）为代表的第三代功率半导体材料，是近些 年发展起来的新型半导体材料， 具有更宽的禁带宽度、 更好的热导率， 更适合当 前高功率器件的需要。 但高功率、高压的功率器件或模块会带来一个芯片散热的问题。 现有的封装 技术是基于铅基合金， 如典型的 92.5Pb/5Sn/2.5Ag合金，在真空共晶炉中实现芯 片与陶瓷电路板的贴片封装，很难满足散热与耐热冲击要求，主要原因如下： （1）铅基合金的热导率仅为 30-40W/m.k 左右，耐温仅到 250℃ （3）铅基合金还存在含铅、高污染问题。 因此耐高温、无铅化的贴片封装技术一直是业内的研发重点。 一个技术路线是纳米银浆，使用纳米级的银粉末可以低温融化的特点，在 200-300℃左右烧结，在芯片与陶瓷电路板之间形成一个导热的银层，
基片集成波导(SIW)具有损耗低、性能好、易于集成等优点,作为一种新型的导波技术已经被广泛地用于微波与毫米波电路。但是对于微波低频段,基片集成波导器件的尺寸偏大。最近,一种新的导波结构——半模基片集成波导(HMSIW)被提出。与基片集成波导相比,半模基片集成波导保留了基片集成波导的优点,同时在尺寸上缩小近一半,损耗也更低。本文提出了两种结合半模基片集成波导与基片集成波导技术的三分贝功率分配器,仿真结果与实验结果一致。
半功率相关专题
- 自动无功补偿器如何接线
- 接线箱按半周长怎么划分
- 检修电源箱的供电半径
- 供电中的有功与无功
- 为什么要安装无功电能表
- 无功补偿电容有哪些规格
- 无功补偿控制器电流信号
- 无功补偿装置可以省电吗
- 无功补偿电容接线图
- 无功补偿柜怎么接线
- 怎样确定消火栓的保护半径和消防水枪的充实水柱长度
- 在线式中等功率(1~10KVA)UPS选择原则
- 功率参数对超音速等离子制备高铝铜合金涂层组织影响
- 基于RBF—BP组合神经网络短期风电功率预测
- 基于DSP技术功率电感5kW离网型光伏逆变器设计
- 功率放大器知识
- 基于RENESAS半导体单相远程费控智能电表设计
- 具有最大功率跟踪控制太阳能LED路灯智能控制系统
- 基于LabVIEW光纤线路光功率信号实时采集系统
- 某半地下车库基坑围护（土钉墙深层搅拌桩）施工方案
- 基于振动成型法半刚性基层配合比设计和施工技术
- 某厂大功率燃煤锅炉燃气改造建设项目职业病危害预评价
- 建筑工程材料、成品、半成品场内运输和操作损耗统计表
- 基于动态扇区双开关表PWM整流器直接功率控制系统
- 建筑工程材料、成品、半成品场内运输及操作损耗统计表
- 基于计算机仿真技术新型半主动悬架建模及动力学分析
- 技术质量部施工安全工作总结与技术部半年工作总结汇编