第二章干法刻蚀的介绍 2. 1刻蚀、干法刻蚀和湿法腐蚀 2. 1 .1关于刻蚀 刻蚀，是指用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。 刻蚀的基 本目的，是在涂胶 (或有掩膜 )的硅片上正确的复制出掩膜图形 [1]。 刻蚀，通常是在光刻工艺之后进行。 我们通常通过刻蚀， 在光刻工艺之后，将想要的图 形留在硅片上。从这一角度而言，刻蚀可以被称之为最终的和最主要的图形转移工艺步骤。 在通常的刻蚀过程中，有图形的光刻胶层〔或掩膜层 )将不受到腐蚀源显著的侵蚀或刻蚀， 可作为掩蔽膜， 保护硅片上的部分特殊区域， 而未被光刻胶保护的区域， 则被选择性的刻蚀 掉。 2.1.2 干法刻蚀与湿法刻蚀 在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法腐蚀。 干法刻蚀， 是利用气态中产生的等离子体， 通过经光刻而开出的掩蔽层窗口， 与暴露于 等离子体中的硅片行物理和化学反应，刻蚀掉硅片上暴露的
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