采用轧膜成型工艺制备大功率超薄型峰鸣器用压电陶瓷。该陶瓷是三方 /四方相共存PSN -PBZT(0 .0 2Pb(Sb0 .5Nb0 .5)O3 - 0 .98PbxBa1-x(Zr0 .55Ti0 .45)O3 )压电陶瓷。研究了烧结温度对三方 /四方相共存PSN -PBZT陶瓷性能的影响 ,利用XRD和SEM研究了烧结温度对其结构的影响。结果表明 ,随着烧结温度的升高 ,材料的晶格常数轴率比Ct/at 逐渐升高 ,ar 有所降低 ,同时 ,材料的晶粒尺寸增大 ,材料的介电常数和机电耦合系数增大。但是 ,烧结温度太高将导致其介电常数和机电耦合系数降低 ,这是由于出现玻璃相和游离氧化锆稀释铁电相所致。
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