本文用分子轨道法处理半导体化合物靶中射程参数问题,提出了理论模型和计算方法. 处理中发现Ⅲ-Ⅴ族化合物一般呈正偏离偏差,Ⅱ-Ⅵ族化合物呈负偏离偏差.且发现偏离系数γ只与靶的化学键有关,而在一定的能量范围内,与注入能量及离子的关系不大. 对于呈闪锌矿和纤锌矿的半导体化合物,本文用sp~3杂化轨道处理它们的约化重叠积分S_(AB)问题,得出了普适的离子性△与γ系数关系,发现Ⅲ-Ⅴ族化合物的S_(AB)呈正值,而Ⅱ-Ⅵ族化合物的S_(AB)呈负值,这是引起γ不同的主要原因之一. 文内对呈负偏离的He~+→CdS、CdTe,H~+→CdTe及B~+→CdHgTe系统,正偏离的Si~+→GaAs,Li~+→Al_2O_3,Be~+→InP和 N~+→GaP系统的 Se(E)和射程参数 R_p等实测值与计算值作了比较,均得到了满意结果.
环境空气质量标准 质量分级编辑 环境空气质量功能区分类 环境空气功能区分为二类： 一类区为自然保护区、风景名胜区和其他需要特殊保护的区域； 二类区 为居住区、商业交通居民混合区、文化区、工业区和农村地区。 环境空气质量标准分级 环境空气质量标准分为二级 一类区执行一级标准 二类区执行二级标准 GB编辑 4.2 环境空气功能区质量要求一类区适用一级浓度限值， 二类区适用二级浓度限值。 一、 二类环境空气功能区质量要求见表 14.3 本标准自 2016 年 1 月 1 日起在全国实施。基本 项目（表 1）在全国范围内实施；其他项目（表 2） 即 0.123ppm~0.155ppm 由国务院环境保护行政主管部门或者省级人民政府根据实际情况，确定具体实施方式。 4.4 在全国实施本标准之前， 国务院环境保护行政主管部门可根据 《关于推进大气污染联防 联控工作改善区域空气质量的指导意见》 等文件要
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