芯片测试

设计初期系统级芯片测试。 SoC的基础是深亚微米工艺,因此,对Soc器件的测试需要采用全新的方法。由于每个功能元件都有其自身的测试要求,设计工程师必须在设计初期就做出测试规划。

芯片测试基本信息

中文名 芯片测试 工    具 ATPG工具
个晶体管 1亿 软    件 测试软件

此外,测试软件也面临着深亚微米工艺和频率不断提高所带来的新的测试问题。过去测试静态阻塞故障的ATPG测试模式已不再适用,在传统工具上添加功能模式却难以发现新的故障。较好的方式是,对过去的功能模式组进行分类以判断哪些故障无法检测,然后创建ATPG模式来捕获这些遗漏的故障类型。

随着设计容量的增大以及每个晶体管测试时间的缩短,为了找到与速度相关的问题并验证电路时序,必须采用同步测试方法。 同步测试必须结合多种故障模型,包括瞬变模型、路径延迟和IDDQ。

业界一些公司认为,将阻塞故障、功能性故障以及瞬变/路径延迟故障结合起来也许是最为有效的测试策略。对深亚微米芯片和高频率工作方式,瞬变和路径延迟测试则更为重要。

要解决同步测试内核时的ATE精度问题,并降低成本,就必须找到一种新的方法,这种方法能简化测试装置的接口 (瞬变和路径延迟测试要求测试装置接口处时钟准确),同时能保证测试期间信号有足够的精确度。

由于SoC内存块中极有可能存在制造缺陷,因此存储器BIST必须具备诊断功能,一旦发现问题,存在缺陷的地址单元就可以映射到备用地址单元的冗余内存,检测出的故障地址将放弃不用,避免舍弃整个昂贵的芯片。

对小型嵌入式内存块进行测试,无需另加门电路或控制逻辑。例如,向量转换测试技术可将功能模式转换为一系列的扫描模式。

与BIST方法不同,旁路内存块的功能输入不需要额外的逻辑电路。由于不需要额外的测试逻辑,SoC开发工程师可复用过去形成的测试模式。

高级ATPG工具不仅能并行测试宏而且能够确定是否存在冲突,以及详细说明哪些宏可并行测试,哪些宏为什么不可以并行测试。此外,即使宏时钟与扫描时钟相同(如同步存储器),这些宏也可得到有效测试。

芯片测试造价信息

市场价 信息价 询价
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EM芯片,带喷码/IC原装飞利浦芯片 ID钥匙扣卡类别:十一、读卡器系列;说明:S50; 查看价格 查看价格

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密集双面板上的测试点还不够多,每个复杂的芯片都必须配备边界扫描电路。如果没有边界扫描,板级的制造缺陷查找就相当困难,甚至无法查找。借助于边界扫描,板级测试就极为容易,并且与芯片内的逻辑电路无关。边界扫描也可在生产的任一阶段将ATPG模式配置到芯片的扫描链上。 解读词条背后的知识 查看全部

    • ICSOCKETMAN 5年IC测试座工程师经验,IC老化功能测试等

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      2021-04-201
    • ICSOCKETMAN 5年IC测试座工程师经验,IC老化功能测试等

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      百度上的定义是ic测试座(测试插座)是对ic器件的电性能及电气连接进行测试来检查生产制造缺陷及元器件不良的一种标准测试设备。实际上,芯片测试座,又称IC socket,其实定义没有那么复杂,它只是为了满足某种芯片某种测试需求的内联器(interposer)。它是一个IC和P...

      2020-05-060
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      测试是维护电子产品质量与品牌的关键一步,也是决定产品成本的关键一步文︱罗艺图︱网络测试验证是半导体厂商进行成品合格率(良率)管理的主要方法,它贯穿于集成电路设计开发、生产制造的全流程,每一个环节的测试结果都对最终良率有影响,综合测试结果是判断一颗芯片产品能否在市场上销售的关...

      2019-12-230
    • 企查查财经 企查查科技有限公司

      格力电器公开“芯片测试装置”专利

      企查查APP显示,近日,格力电器(000651)公开“用于芯片测试装置的装载器及芯片测试装置”专利,公开号为CN112710872A。企查查专利摘要显示,本发明提出了一种用于芯片测试装置的装载器及芯片测试装置,其中,所述装载器包括:底座部件,具有放置芯片的凹槽,并能将所述芯...

      2021-04-280
    • 知识百科人李先生 律师,山东圣义律师事务所,生活领域创作者

      中芯国际芯片测试获得通过,荷兰深紫外光刻机可以直接出口中国

      中国已完成中芯国际N 1工艺的流片和测试,所有IP全部自主化国产化,功能测试一次通过!这个宣布对于世界来说,可以说石破天惊!这意味着中国可以摆脱高端光刻机的束缚,就能够生产N 1工艺的芯片,N 1工艺芯片接近台积电7nm工艺水平。测试获得通过,就意味着下一步小规模的量产。既...

      2020-10-170

为SoC设备所做的逐块测试规划必须实现:正确配置用于逻辑测试的ATPG工具;测试时间短;新型高速故障模型以及多种内存或小型阵列测试。对生产线而言,诊断方法不仅要找到故障,而且还要将故障节点与工作正常的节点分离开来。此外,只要有可能,应该采用测试复用技术以节约测试时间。在高集成度IC测试领域,ATPG和IDDQ的可测试性设计技术具备强大的故障分离机制。

需要提前规划的其他实际参数包括:需要扫描的管脚数目和每个管脚端的内存数量。可以在SoC上嵌入边界扫描,但并不限于电路板或多芯片模块上的互连测试。

尽管芯片尺寸在不断减小,但一个芯片依然可封装几百万个到上1亿个晶体管,测试模式的数目已经增加到前所未有的程度,从而导致测试周期变长,这一问题可以通过将测试模式压缩来解决,压缩比可以达到20%至60%。对现在的大规模芯片设计,为避免出现容量问题,还有必要找到在64位操作系统上可运行的测试软件。

芯片测试常见问题

  • LED芯片 封装

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  • 电路板BGA芯片和其他封装芯片如何同时贴片?

    芯片一个一个贴,先用热风枪融锡

  • led灯哪种芯片好

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芯片测试文献

芯片可靠性测试 芯片可靠性测试

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芯片可靠性测试 质量(Quality)和可靠性( Reliability)在一定程度上可以说是 IC 产品的生命, 好的品质,长久的耐力往往就是一颗优秀 IC 产品的竞争力所在。在做产品验证 时我们往往会遇到三个问题, 验证什么,如何去验证,哪里去验证,这就是 what, how , where 的问题了。 解决了这三个问题,质量和可靠性就有了保证,制造商才可以大量地将产品 推向市场,客户才可以放心地使用产品。 本文将目前较为流行的测试方法加以简 单归类和阐述,力求达到抛砖引玉的作用。 Quality 就是产品性能的测量,它回答了一个产品是否合乎 SPEC的要求,是 否符合各项性能指标的问题; Reliability 则是对产品耐久力的测量,它回答了一 个产品生命周期有多长,简单说,它能用多久的问题。所以说 Quality 解决的是 现阶段的问题, Reliability 解决的是一段

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EPON ONU芯片的硬件验证与测试平台设计 EPON ONU芯片的硬件验证与测试平台设计

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介绍了SHU 2006 ONU芯片的硬件验证与测试平台系统,利用该验证平台实现了SHU 2006 ONU芯片的功能以及TBI高速接口的时序测试。在该验证平台上,100M以太网的FTP数据传输速率可以达到8Mb/s。

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芯片封装测试的定义? 什么是芯片封装? 思科微电子芯片研发技术中心

芯片组SIS芯片

SiS 620芯片组

SiS 620是SiS家族最早推出的整合型芯片组,该芯片组支持P6总线协议,支持Celeron/PentiumⅡ/PentiumⅢ,北桥芯片上集成了独立的64位2D/3D图形处理器--SiS 6326,可选择外接2MB,4MB或8MB同步显存,支持230MHz RAMDAC。通过UMA(统一存储结构)可以把主内存作为帧缓冲使用,它还支持液晶显示器输出,2D性能较佳,但3D性能较弱,所以未能得到个人用户的支持,但在商用领域却使用得较为广泛。

SiS 630芯片组

SiS 630芯片组继SiS620之后,SiS又推出了高整合,高性能的SiS630系列(包括630、630E、630S)。SiS630系列芯片组整合程度相当高,它将南,北桥芯片合二为一,并且整合了3D图形芯片SiS300/301.SiS 300/301是一款真正128位的3D图形加速引擎,支持许多3D特效,据称它比SiS 6326快5倍,性能大概与NⅥDIA的TNT2显卡相当。另外,SiS 301还可以接驳第二台CRT显示器或电视机,可以满足用户的不同需要。

SiS650芯片组

SiS650芯片组主要由北桥芯片SiS650和南桥芯片SiS961组成,支持DDR333,DDR266和PC133内存,最高可达3GB内存容量,支持新一代的Pentium4,并且采用矽统独创的MuTIOL技术,提供高达533M/s的超高带宽与南桥SiS961相连。而且内部集成了矽统自行研发的256位 2D\3D绘图芯片SiS315,并拥有高达2GB/s的显示内存数据宽带。而且南桥SiS961芯片具备强大的功能,支持AC'97声卡,10 /100M自适应以太网卡,V.90Modem,6组PCI插槽以及6个USB接口等等,在功能上强过它以往推出的整合芯片组。

SiS 730S芯片组

SiS 730S是业界第一颗支持AMD Athlon处理器平台的整合单芯片。与SiS 630相比,除了处理器接口协议不同以外,其余没有任何改变。SiS 730S将一块BGA(672根针脚)封装的北桥逻辑芯片、SiS 960超级南桥芯片及128位的SiS 300图形芯片整合为单芯片。可支持3D立体眼镜、DVD硬件加速与双重显示输出,以及内建3D立体音效、56kbps Modem、100Mbps以太网卡(Fast Ethernet)、1/10Mbps家庭网络(Home PNA)、ATA/100接口、ACR接口,另外,最多支持6USB设备接入的2个USB控制器。该芯片特别设计可供升级的AGP 4X接口,以满足消费者额外的需求。而共享式显存设计最大可以由主内存中分配64MB内存作为SiS 300的显示缓存使用(可以在4/8/16/32/64MB之间选择共享容量)。支持3GB内存的SiS 730S最多可以使用3条DIMM插槽接入,最大支持单条512MB SDRAM。

1、BGA(ballgridarray)

球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200,是多引脚LSI用的一种封装。

封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如,引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方;而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm见方。而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题。

该封装是美国Motorola公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初,BGA的引脚(凸点)中心距为 1.5mm,引脚数为225。也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。BGA的问题是回流焊后的外观检查。尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为,由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理。

美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC和GPAC)。

2、BQFP(quadflatpackagewithbumper)

带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用

此封装。引脚中心距0.635mm,引脚数从84到196左右(见QFP)。

3、碰焊PGA(buttjointpingridarray)

表面贴装型PGA的别称(见表面贴装型PGA)。

4、C-(ceramic)

表示陶瓷封装的记号。例如,CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。

5、Cerdip

用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECLRAM,DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距2.54mm,引脚数从8到42。在日本,此封装表示为DIP-G(G即玻璃密封的意思)。

6、Cerquad

表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。散热性比塑料QFP 好,在自然空冷条件下可容许1.5~2W的功率。但封装成本比塑料QFP高3~5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、 0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。

7、CLCC(ceramicleadedchipcarrier)

带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形。

带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ-G(见QFJ)。

8、COB(chiponboard)

板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。

9、DFP(dualflatpackage)

双侧引脚扁平封装。是SOP的别称(见SOP)。以前曾有此称法,已基本上不用。

10、DIC(dualin-lineceramicpackage)

陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).

11、DIL(dualin-line)

DIP的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。

12、DIP(dualin-linepackage)

双列直插式封装。插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器 LSI,微机电路等。引脚中心距2.54mm,引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为 skinnyDIP和slimDIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分,只简单地统称为DIP。另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为 cerdip(见cerdip)。

13、DSO(dualsmallout-lint)

双侧引脚小外形封装。SOP的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。

14、DICP(dualtapecarrierpackage)

双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利

用的是TAB(自动带载焊接)技术,封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI,但多数为定制品。另外,0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本,按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定,将DICP命名为DTP。

15、DIP(dualtapecarrierpackage)

同上。

日本电子机械工业会标准对DTCP的命名(见DTCP)。

16、FP(flatpackage)

扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP或SOP(见QFP和SOP)的别称。部分半导体厂家采用此名称。

17、flip-chip

倒焊芯片。裸芯片封装技术之一,在LSI芯片的电极区制作好金属凸点,然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同,就会在接合处产生反应,从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固LSI芯片,并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。

18、FQFP(finepitchquadflatpackage)

小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采用此名称。

19、CPAC(globetoppadarraycarrier)

美国Motorola公司对BGA的别称(见BGA)。

20、CQFP(quadfiatpackagewithguardring)

带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP之一,引脚用树脂保护环掩蔽,以防止弯曲变形。

在把LSI组装在印刷基板上之前,从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L形状)。这种封装在美国Motorola公司已批量生产。引脚中心距0.5mm,引脚数最多为208左右。

21、H-(withheatsink)

表示带散热器的标记。例如,HSOP表示带散热器的SOP。

22、pingridarray(surfacemounttype)

表面贴装型PGA。通常PGA为插装型封装,引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA在封装的底面有陈列状的引脚,其长度从1.5mm到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法,因而也称为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm,比插装型PGA小一半,所以封装本体可制作得不怎么大,而引脚数比插装型多(250~52,是大规模逻辑LSI用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。

23、JLCC(J-leadedchipcarrier)

J形引脚芯片载体。指带窗口CLCC和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。

24、LCC(Leadlesschipcarrier)

无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频IC用封装,也称为陶瓷QFN或QFN-C(见QFN)。

25、LGA(landgridarray)

触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227触点(1.27mm中心距)和447触点(2.54mm中心距)的陶瓷LGA,应用于高速逻辑

LSI电路。LGA与QFP相比,能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外,由于引线的阻抗小,对于高速LSI是很适用的。但由于插座制作复杂,成本高,基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。

26、LOC(leadonchip)

芯片上引线封装。LSI封装技术之一,引线框架的前端处于芯片上方的一种结构,芯片的中心附近制作有凸焊点,用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比,在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。

27、LQFP(lowprofilequadflatpackage)

薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm的QFP,是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。

28、L-QUAD

陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高7~8倍,具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝,芯片用灌封法密封,从而抑制了成本。是为逻辑 LSI开发的一种封装,在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚(0.5mm中心距)和160引脚(0.65mm中心距)的LSI逻辑用封装,并于1993年10月开始投入批量生产。

29、MCM(multi-chipmodule)

多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM-L,MCM-C和MCM-D三大类。

MCM-L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高,成本较低。

MCM-C是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件,与使

用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM-L。

MCM-D是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al作为基板的组件。

布线密谋在三种组件中是最高的,但成本也高。2100433B

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