微软之星Q27W+

1,描述 串行 flash 存储器 W25Q128BV 为那些对空间大小，引脚数，功耗有限制的系统提供了 一个存储解决方案。 25Q 系列的灵活性和性能比一般的串行 flash 设备要高。利用串行 FLASH 可以实现代码映射到 RAM ，直接通过 DUAL/QUAD SPI 方式来执行代码，存储 声音，文本，数据。W25Q128BV 供电范围为 2.7—— 3.6V，在激活状态下电流功耗低到 4MA ， 睡眠状态下则降低到 1UA。所有的 25Q 系列都提供节省空间的封装。 W25Q128BV 由 65536 可编程的页组成的，每页有 256 个字节。一次最多可以写 256 个 字节。可以一次擦除 16页（4KB sector erase），128 页（32KB block erase）,256 页 (64KB block erase),或者擦除一整片。 W25Q128BV 有 40

W25Q32BV Publication Release Date: October 04,2013 - 1 - Revision I 3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI W25Q32BV - 2 - Table of Contents 1. GENERAL DESCRIPTION ............................................................................................................... 5 2. FEATURES ........................................................................................