三极管

三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。

三极管基本信息

中文名称 三极管 外文名称 Bipolar Junction Transistor
别名 晶体三极管 发明时间 1947年
材料 半导体 应用领域 实现电流放大
功能 控制电路

三极管的分类

a.按材质分: 硅管、锗管 b.按结构分: NPN 、 PNP。如图所示。c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.

d. 按功率分:小功率管、中功率管、大功率管

e.按工作频率分:低频管、高频管、超频管

f.按结构工艺分:合金管、平面管

g.按安装方式:插件三极管、贴片三极管

三极管造价信息

市场价 信息价 询价
材料名称 规格/型号 市场价
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工程建议价
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行情 品牌 单位 税率 供应商 报价日期
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材料名称 规格/型号 除税
信息价
含税
信息价
行情 品牌 单位 税率 地区/时间
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特征频率fT

:当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作.

fT称作增益带宽积,即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数,便可得出特征频率fT。随着工作频率的升高,放大倍数会下降.fT也可以定义为β=1时的频率.

电压/电流

用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围.

hFE

电流放大倍数.

VCEO

集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压.

PCM

最大允许耗散功率.

封装形式

指定该管的外观形状,如果其它参数都正确,封装不同将导致组件无法在电路板上实现.

什么是三极管 (也称晶体管)在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称,我们常说的三极管,可能是 如图所示的几种器件,

可以看到,虽然都叫三极管,其实在英文里面的说法是千差万别的,三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇

电子三极管 Triode 这个是英汉字典里面"三极管"这个词汇的唯一英文翻译,这是和电子三极管最早出现有关系的,所以先入为主,也是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三极管的东西,实际翻译的时候是绝对不可以翻译成Triode的,否则就麻烦大咯,严谨地说,在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇!!!

电子三极管 Triode (俗称电子管的一种)

双极型晶体管 BJT (Bipolar Junction Transistor)

J型场效应管 Junction gate FET(Field Effect Transistor)

金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称

V型槽场效应管 VMOS (Vertical Metal Oxide Semiconductor )

注:这三者看上去都是场效应管,其金属氧化物半导体场效应晶体管 、V型槽沟道场效应管 是 单极(Unipolar)结构的,是和 双极(Bipolar)是对应的,所以也可以统称为单极晶体管(Unipolar Junction Transistor)

其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管

VMOS是在 MOS的基础上改进的一种大电流,高放大倍数(跨道)新型功率晶体管,区别就是使用了V型槽,使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升,但是同时也大幅增加了MOS的输入电容,是MOS管的一种大功率改进型产品,但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管

三极管常见问题

  • 三极管的三极管的分类

    a.按材质分: 硅管、锗管b.按结构分: NPN 、 PNP。如图所示。c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.d. 按功率分:小功率管、率管、大功率管e.按工作频率分:低频管、高频管、超...

  • 三极管的分类?

    晶体三极管的种类很多,分类方法也有多种。下面按用途、频率、功率、材料等进行分类: 1,按材料和极性分有硅材料的NPN与PNP三极管.锗材料的NPN与PNP三极管;2,按用途分有高、中频放大管、低频放大...

  • 三极管是什么?

    三极管是什么?—半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流 放大和开关作用。 三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成...

1947年12月23日,美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里,3位科学家--巴丁博士、布菜顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。他们在导体电路中正在进行用半导体晶体把声音信号放大的实验。3位科学家惊奇地发现,在他们发明的器件中通过的一部分微量电流,竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流,因而产生了放大效应。这个器件,就是在科技史上具有划时代意义的成果--晶体管。因它是在圣诞节前夕发明的,而且对人们未来的生活发生如此巨大的影响,所以被称为"献给世界的圣诞节礼物"。另外这3位科学家因此共同荣获了1956年诺贝尔物理学奖。

晶体管促进并带来了"固态革命",进而推动了全球范围内的半导体电子工业。作为主要部件,它及时、普遍地首先在通讯工具方面得到应用,并产生了巨大的经济效益。由于晶体管彻底改变了电子线路的结构,集成电路以及大规模集成电路应运而生,这样制造像高速电子计算机之类的高精密装置就变成了现实。

三极管判断类型

脚位判断

三极管的脚位判断,三极管的脚位有两种封装排列形式,如右图: 三极管是一种结型电阻器件,它的三个引脚都有明显的电阻数据,测试时(以数字万用表为例,红笔+,黑笔-)我们将测试档位切换至 二极管档 (蜂鸣档)标志符号如右图: 正常的NPN结构三极管的基极(B)对集电极(C)、发射极(E)的正向电阻是430Ω-680Ω(根据型号的不同,放大倍数的差异,这个值有所不同)反向电阻无穷大;正常的PNP 结构的三极管的基极(B)对集电极(C)、发射极(E)的反向电阻是430Ω-680Ω,正向电阻无穷大。集电极C对发射极E在不加偏流的情况下,电阻为无穷大。基极对集电极的测试电阻约等于基极对发射极的测试电阻,通常情况下,基极对集电极的测试电阻要比基极对发射极的测试电阻小5-100Ω左右(大功率管比较明显),如果超出这个值,这个元件的性能已经变坏,请不要再使用。如果误使用于电路中可能会导致整个或部分电路的工作点变坏,这个元件也可能不久就会损坏,大功率电路和高频电路对这种劣质元件反应比较明显。

尽管封装结构不同,但与同参数的其它型号的管子功能和性能是一样的,不同的封装结构只是应用于电路设计中特定的使用场合的需要。

要注意有些厂家生产一些不规范元件,例如C945正常的脚位是BCE,但有的厂家出的此元件脚位排列却是EBC,这会造成那些粗心的工作人员将新元件在未检测的情况下装入电路,导致电路不能工作,严重时烧毁相关联的元器件,比如电视机上用的开关电源。

在我们常用的万用表中,测试三极管的脚位排列图:

先假设三极管的某极为"基极",将黑表笔接在假设基极上,再将红表笔依次接到其余两个电极上,若两次测得的电阻都大(约几K到几十K),或者都小(几百至几K),对换表笔重复上述测量,若测得两个阻值相反(都很小或都很大),则可确定假设的基极是正确的,否则另假设一极为"基极",重复上述测试,以确定基极.

当基极确定后,将黑表笔接基极,红表笔笔接其它两极若测得电阻值都很少,则该三极管为PNP,反之为NPN

判断集电极C和发射极E,以NPN为例:

把黑表笔接至假设的集电极C,红表笔接到假设的发射极E,并用手捏住B和C极,读出表头所示C,E电阻值,然后将红,黑表笔反接重测.若第一次电阻比第二次小,说明原假设成立.

结构和类型

晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种,

从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。

发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集结结。基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。

三极管的封装形式和管脚识别

常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类,引脚的排列方式具有一定的规律,

底视图位置放置,使三个引脚构成等腰三角形的顶点上,从左向右依次为e b c;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,则从左到右依次为e b c。

国内各种类型的晶体三极管有许多种,管脚的排列不尽相同,在使用中不确定管脚排列的三极管,必须进行测量确定各管脚正确的位置,或查找晶体管使用手册,明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。

电流放大

晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数,用符号"β"表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值,但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。

工作状态

截止状态:当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管这时失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,我们称三极管处于截止状态。

放大状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并处于某一恰当的值时,三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,这时基极电流对集电极电流起着控制作用,使三极管具有电流放大作用,其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb,这时三极管处放大状态。

饱和导通状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并当基极电流增大到一定程度时,集电极电流不再随着基极电流的增大而增大,而是处于某一定值附近不怎么变化,这时三极管失去电流放大作用,集电极与发射极之间的电压很小,集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。

根据三极管工作时各个电极的电位高低,就能判别三极管的工作状态,因此,电子维修人员在维修过程中,经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压,从而判别三极管的工作情况和工作状态。

多用电表检测

三极管基极的判别:根据三极管的结构示意图,我们知道三极管的基极是三极管中两个PN结的公共极,因此,在判别三极管的基极时,只要找出两个PN结的公共极,即为三极管的基极。具体方法是将多用电表调至电阻挡的R×1k挡,先用红表笔放在三极管的一只脚上,用黑表笔去碰三极管的另两只脚,如果两次全通,则红表笔所放的脚就是三极管的基极。如果一次没找到,则红表笔换到三极管的另一个脚,再测两次;如还没找到,则红表笔再换一下,再测两次。如果还没找到,则改用黑表笔放在三极管的一个脚上,用红表笔去测两次看是否全通,若一次没成功再换。这样最多没量12次,总可以找到基极。

三极管类型的判别: 三极管只有两种类型,即PNP型和NPN型。判别时只要知道基极是P型材料还N型材料即可。当用多用电表R×1k挡时,黑表笔代表电源正极,如果黑表笔接基极时导通,则说明三极管的基极为P型材料,三极管即为NPN型。如果红表笔接基极导通,则说明三极管基极为N型材料,三极管即为PNP型。

基本放大电路

基本放大电路是放大电路中最基本的结构,是构成复杂放大电路的基本单元。它利用双极型半导体三极管输入电流控制输出电流的特性,或场效应半导体三极管输入电压控制输出电流的特性,实现信号的放大。本章基本放大电路的知识是进一步学习电子技术的重要基础。

基本放大电路一般是指由一个三极管或场效应管组成的放大电路。从电路的角度来看,可以将基本放大电路看成一个双端口网络。放大的作用体现在如下方面:

1.放大电路主要利用三极管或场效应管的控制作用放大微弱信号,输出信号在电压或电流的幅度上得到了放大,输出信号的能量得到了加强。

2.输出信号的能量实际上是由直流电源提供的,只是经过三极管的控制,使之转换成信号能量,提供给负载。

共射组态基本放大电路的组成

共射组态基本放大电路是输入信号加在加在基极和发射极之间,耦合电容器C1和Ce视为对交流信号短路。输出信号从集电极对地取出,经耦合电容器C2隔除直流量,仅将交流信号加到负载电阻RL之上。放大电路的共射组态实际上是指放大电路中的三极管是共射组态。

在输入信号为零时,直流电源通过各偏置电阻为三极管提供直流的基极电流和直流集电极电流,并在三极管的三个极间形成一定的直流电压。由于耦合电容的隔直流作用,直流电压无法到达放大电路的输入端和输出端。

当输入交流信号通过耦合电容C1和Ce加在三极管的发射结上时,发射结上的电压变成交、直流的叠加。放大电路中信号的情况比较复杂,各信号的符号规定如下:由于三极管的电流放大作用,ic要比ib大几十倍,一般来说,只要电路参数设置合适,输出电压可以比输入电压高许多倍。uCE中的交流量 有一部分经过耦合电容到达负载电阻,形成输出电压。完成电路的放大作用。

由此可见,放大电路中三极管集电极的直流信号不随输入信号而改变,而交流信号随输入信号发生变化。在放大过程中,集电极交流信号是叠加在直流信号上的,经过耦合电容,从输出端提取的只是交流信号。因此,在分析放大电路时,可以采用将交、直流信号分开的办法,可以分成直流通路和交流通路来分析。

放大电路的组成原则:

1.保证放大电路的核心器件三极管工作在放大状态,即有合适的偏置。也就是说发射结正偏,集电结反偏。

2.输入回路的设置应当使输入信号耦合到三极管的输入电极,形成变化的基极电流,从而产生三极管的电流控制关系,变成集电极电流的变化。

3.输出回路的设置应该保证将三极管放大以后的电流信号转变成负载需要的电量形式(输出电压或输出电流)。

三极管的符号

中间横线是基极B,另一斜线是集电极C,带箭头的是发射极E。

三极管的命名

:

国产半导体器型号的命名方法(摘自国家标准GB249_74)

型号组成

第一部分

第二部分

第三部分

第四部分

第五部分

用阿拉伯数字表示器件电极数

用字母表示器件的材料和极性

用汉语拼音字母表示器件类型

用数字表示器件序号

用汉语拼音字母表示规格

符号及意义

2

二极管

A

N型锗材料

P

普通管

B

P型锗材料

V

微波管

C

N型硅材料

W

稳压管

D

P型硅材料

C

参量管

3

三极管

A

PNP锗材料

Z

整流管

B

NPN锗材料

L

整流管

C

PNP型硅材料

S

隧道管

D

NPN型硅材料

N

阻尼管

E

化合物材料

U

光电器件

K

开关器

X

低频小功率管

G

高频小功率管

D

低频大功率管

A

高频大功率管

T

半导体闸流管

Y

体效应器件

B

雪崩管

J

阶跃恢复管

CS

场效应器

BY

半导体特殊器件

FH

复合管

PIN

PIN型管

JG

激光器件

选型与替换

1.首先要进行参数对比,如果不知道参数可以先在网络搜索他的规格书。

2.知道参数,尤其是BVCBO,BVCEO,BVEBO,HFE,ft,VCEsat参数。通过各个参数的 比较,找相似的产品。即使知道了参数以后也不好找,一些书籍都过时了,没有收集新的产品进去。

直插封装的型号 贴片的型号 极性 Ft VCEO Ic hfe 配对型号

9011 1T NPN 150MHz 18V 100mA 28~132

9012 2T PNP 150MHz 25V 500mA 64~144 9013

9013 J3 NPN

9014 J6 NPN 150MHz 18V 100mA 60~400 9015

9015 M6 PNP

9016 Y6 NPN 500MHz 20V 25mA 28~97

9018 J8 NPN 700MHZ 12V 100mA 28~72

S8050 J3Y NPN 100MHz 25V 1.5A 45~300 S8550

S8550 2TY PNP

8050 Y1 NPN 100MHz 25V 1A 85~300 8550

8550 Y2 PNP

2SA1015 BA PNP

2SC1815 HF NPN 80MHz 50V 150mA 70~700 1015

2SC945 CR NPN 250MHz 50V 100mA 200~600

2SA733 CS

MMBT3904 1AM NPN 300MHz 60V 100mA 300@10mA 3906

MMBT3906 2A PNP

MMBT2222 1P NPN 250MHz 60V 600mA 100@150mA

MMBT5401 2L PNP 100MHz 150V 500mA 40~200 5551

MMBT5551 G1 NPN

MMBTA42 1D NPN 50MHz 300V 100mA 40@10mA

MMBTA92 2D PNP

BC807-16 5A PNP

BC807-25 5B PNP 80MHz 45V 500mA 250@100mA BC817-25

BC807-40 5C PNP 80MHz 45V 500mA 250@100mA BC817-40

BC817-16 6A NPN

BC817-25 6B NPN

BC817-40 6C NPN

BC846A 1A NPN 250MHz 65V 100mA 140 BC856

BC846B 1B NPN 250

BC847A 1E NPN 45V BC857

BC847B 1F

BC847C 1G NPN 420~800

BC848A 1J NPN 30V

BC848B 1K

BC848C 1L

BC856A 3A PNP

BC856B 3B

BC857A 3E

BC857B 3F

BC858A 3J

BC858B 3K

BC858C 3L

2SC3356 R23 NPN 7GHz 20V 100mA 50~300

2SC3838 AD

带反向二极管的N沟道FET

2N7002 702 40V 400mA

BSS138 50V 200mA

下面是带电阻的三极管

UN2111 V1 NNP 150MHz 50V 100mA

UN2112 V2

UN2113 V3

UN2211 V4

UN2212 V5

UN2213 V6

************************************************

​三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功,为了帮助读者迅速掌握测判方法,笔者总结出四句口诀:"三颠倒,找基极;PN结,定管型;顺箭头,偏转大;测不准,动嘴巴。"下面让我们逐句进行解释吧。

1: 三颠倒,找基极

大家知道,三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同,可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管。

测试三极管要使用万用电表的欧姆挡,并选择R×100或R×1k挡位。图2绘出了万用电表欧姆挡的等效电路。红表笔所连接的是表内电池的负极,黑表笔则连接着表内电池的正极。

假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型,也分不清各管脚是什么电极。测试的第一步是判断哪个管脚是基极。这时,我们任取两个电极(如这两个电极为1、2),用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻,观察表针的偏转角度;接着,再取1、3两个电极和2、3两个电极,分别颠倒测量它们的正、反向电阻,观察表针的偏转角度。在这三次颠倒测量中,必然有两次测量结果相近:即颠倒测量中表针一次偏转大,一次偏转小;剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小,这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极。

2:PN结,定管型

找出三极管的基极后,我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子的导电类型。将万用表的黑表笔接触基极,红表笔接触另外两个电极中的任一电极,若表头指针偏转角度很大,则说明被测三极管为NPN型管;若表头指针偏转角度很小,则被测管即为PNP型。

3:顺箭头,偏转大

找出了基极b,另外两个电极哪个是集电极c,哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。

(1) 对于NPN型三极管,穿透电流的测量电路。根据这个原理,用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec,虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小,但仔细观察,总会有一次偏转角度稍大,此时电流的流向一定是:黑表笔→c极→b极→e极→红表笔,电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致顺箭头,所以此时黑表笔所接的一定是集电极c,红表笔所接的一定是发射极e。

(2) 对于PNP型的三极管,道理也类似于NPN型,其电流流向一定是:黑表笔→e极→b极→c极→红表笔,其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致,所以此时黑表笔所接的一定是发射极e,红表笔所接的一定是集电极c。

4:测不出,动嘴巴

若在"顺箭头,偏转大"的测量过程中,若由于颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难以区分时,就要"动嘴巴"了。具体方法是:在"顺箭头,偏转大"的两次测量中,用两只手分别捏住两表笔与管脚的结合部,用嘴巴含住(或用舌头抵住)基电极b,仍用"顺箭头,偏转大"的判别方法即可区分开集电极c与发射极e。其中人体起到直流偏置电阻的作用,目的是使效果更加明显。

三极管文献

三极管参数 三极管参数

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彩显中易损大功率三极管主要参数表 型号 功率 (W) 反压 (V) 电流 (A) 功能 价格 BU208A 50 1500 5 电源开关管 BU508A 75 1500 8 电源开关管 BU2508AF 45 1500 8 行管 *BU2508DF 125 1500 8 行管 *BU2508D 125 1500 8 行管 BU2520AF 45 1500 10 行管 BU2520AX 45 1500 10 行管 *BU2520DF 125 1500 10 行管 BU2522AF 45 1500 10 行管 *BU2522DF 80 1500 10 行管 *BU2525DF 45 800 12 行管 BUH515 60 1500 8 行管 BUH515D 60 1500 8 行管 C1520 10 250 0.2 视放 C1566 1.2 250 0.1 视放 C1573 0.6 250 0

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清华模电三极管

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三极管的发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。

"晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件"

在电子元件家族中,三极管属于半导体主动元件中的分立元件。

广义上,三极管有多种,常见如下图所示。

狭义上,三极管指双极型三极管,是最基础最通用的三极管。

本文所述的是狭义三极管,它有很多别称:

三极管的发明

晶体三极管出现之前是真空电子三极管在电子电路中以放大、开关功能控制电流。

真空电子管存在笨重、耗能、反应慢等缺点。

二战时,军事上急切需要一种稳定可靠、快速灵敏的电信号放大元件,研究成果在二战结束后获得。

早期,由于锗晶体较易获得,主要研制应用的是锗晶体三极管。硅晶体出现后,由于硅管生产工艺很高效,锗管逐渐被淘汰。

经半个世纪的发展,三极管种类繁多,形貌各异。  

小功率三极管一般为塑料包封;

大功率三极管一般为金属铁壳包封。

三极管核心结构

核心是“PN”结

是两个背对背的PN结

可以是NPN组合,也或以是PNP组合

由于硅NPN型是当下三极管的主流,以下内容主要以硅NPN型三极管为例!

NPN型三极管结构示意图

硅NPN型三极管的制造流程

管芯结构切面图

工艺结构特点:

发射区高掺杂:为了便于发射结发射电子,发射区半导体掺浓度高于基区的掺杂浓度,且发射结的面积较小;

基区尺度很薄:3~30μm,掺杂浓度低;

集电结面积大:集电区与发射区为同一性质的掺杂半导体,但集电区的掺杂浓度要低,面积要大,便于收集电子。

三极管不是两个PN结的间单拼凑,两个二极管是组成不了一个三极管的!

工艺结构在半导体产业相当重要,PN结不同材料成份、尺寸、排布、掺杂浓度和几何结构,能制成各样各样的元件,包括IC。

三极管电路符号

三极管电流控制原理示意图

三极管基本电路

外加电压使发射结正向偏置,集电结反向偏置。

集/基/射电流关系:

IE = IB + IC

IC = β * IB

如果 IB = 0, 那么 IE = IC = 0

三极管特性曲线

输入特性曲线

集-射极电压UCE为某特定值时,基极电流IB与基-射电压UBE的关系曲线。

UBER是三极管启动的临界电压,它会受集射极电压大小的影响,正常工作时,NPN硅管启动电压约为0.6V;

UBE<UBER时,三极管高绝缘,UBE>UBER时,三极管才会启动;

UCE增大,特性曲线右移,但当UCE>1.0V后,特性曲线几乎不再移动。

输出特性曲线

基极电流IB一定时,集极IC与集-射电压UCE之间的关系曲线,是一组曲线。

当IB=0时, IC→0 ,称为三极管处于截止状态,相当于开关断开;

当IB>0时, IB轻微的变化,会在IC上以几十甚至百多倍放大表现出来;

当IB很大时,IC变得很大,不能继续随IB的增大而增大,三极管失去放大功能,表现为开关导通。

三极管核心功能:

放大功能:小电流微量变化,在大电流上放大表现出来。

开关功能:以小电流控制大电流的通断。

三极管的放大功能

IC = β * IB (其中β≈ 10~400 )

例:当基极通电流IB=50μA时,集极电流:

IC=βIB=120*50μA=6000μA

微弱变化的电信号通过三极管放大成波幅度很大的电信号,如下图所示:

所以,三极管放大的是信号波幅,三极管并不能放大系统的能量。

能放大多少?

哪要看三极管的放大倍数β值了!

首先β由三极管的材料和工艺结构决定:

如硅三极管β值常用范围为:30~200

锗三极管β值常用范围为:30~100

β值越大,漏电流越大,β值过大的三极管性能不稳定。

其次β会受信号频率和电流大小影响:

信号频率在某一范围内,β值接近一常数,当频率越过某一数值后,β值会明显减少。

β值随集电极电流IC的变化而变化,IC为mA级别时β值较小。一般地,小功率管的放大倍数比大功率管的大。

三极管主要性能参数

三极管性能参数较多,有直流、交流和极限参数之分:

类型

参数项

符号

意义

直流参数

共射直流放大系数

β

无交变信号输入,共射电路集基电流的比值。β=IC/IB

共基直流放大系数

α

无交变信号输入,共基极电路集射的比值。

集-射

反向电流

ICEO

基极开路,集-射极间反向电流,又称漏电流、穿透电流。

集极

反向电流

ICBO

射极开路时,集电结反向电流(漏电流)

ICEO=βICBO

交流参数

共射交流放大系数

β

共射电路,集基电流变化量比值:β=ΔIC/ΔIB

共基交流放大系数

α

共基电路,集射电流变化量比值:α=ΔIC/ΔIE

共射截止频率

ƒβ

β因频率升高3dB对应的频率

共基截止频率

ƒα

α因频率升高而下降3dB对应的频率

特征频率

ƒT

频率升高,β下降到1时对应的频率。

极限参数

集极最大电流

ICM

集极允许通过的最大电流。

集极最大功率

PCM

实际功率过大,三极管会烧坏。

集-射极击穿电压

UCEO

基极开路时,集-射极耐电压值。

温度对三极管性能的影响

温度几乎影响三极管所有的参数,其中对以下三个参数影响最大。

(1)对放大倍数β的影响:

在基极输入电流IB不变的情况下,集极电流IC会因温度上升而急剧增大。

(2)对反向饱和电流(漏电流)ICEO的影响:

ICEO是由少数载流子漂移运动形成的,它与环境温度关系很大,ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃,ICEO将增加一倍。

虽然常温下硅管的漏电流ICEO很小,但温度升高后,漏电流会高达几百微安以上。

(3)对发射结电压UBE的影响:

温度上升1℃,UBE将下降约2.2mV。

温度上升,β、IC将增大,UCE将下降,在电路设计时应考虑采取相应的措施,如远离热源、散热等,克服温度对三极管性能的影响。

三极管的分类

分类角度

种类

说明

从技术工艺

按材料

硅三极管0.6V

锗三极管0.3V

一般地:

锗管为PNP型

硅管为NPN型

按结构

PNP型

NPN型

按制造工艺

平面型

合金型

扩散型

高频管多为扩散型

低频管多为合金型

从性能

按频率

低频管<3MHz

中频管3~30(MHZ)

高频管30~500 (MHZ)

超高频管>500MHZ

按功率

小功率PCM <0.5W

中功率0.5<PCM<1w

大功率PCM >1w

功率越大体积越大,散热要求越高。

功能

用途

放大管开关管

高反压管光电管

带阻尼管数字管

从封装外形

按封装材料

金属封装玻璃封装

陶瓷封装塑料封装

薄膜封装

塑料封装为主流

金属封装成本较高

按封装形式

引线式TO

贴片式SOT

贴片式正逐步取代引线式。

三极管命名标识

不同的国家/地区对三极管型号命名方式不同。还有很多厂家使用自己的命名方式。

中国大陆三极管命名方式

3

D

D

12

X

2:二极管

3:三极管

A:PNP锗

B:NPN锗

C:PNP硅

D:NPN硅

X:低频小功率

G:高频小功率

D:低频大功率

A:高频大功率

序号

规格号

例:3DD12X NPN型低频大功率硅三极管

日本三极管型号命名方式

2

S

D

13

B

0:光电管

1:二极管

2:三极管

注册标识

A:PNP高频管

B:PNP低频管

C:NPN高频管

D:NPN低频管

电子协会登记顺序

改进型号

例:2SC1895 高频NPN型三极管

美国电子工业协会(EIA)三极管命名方式

JANS

2

N

2904

A

JANTX:特军级

JANTXV:超特军

JANS:宇航级

(无):非军用品

1:二极管

2:三极管

“n”:n个PN 结元件

EIA注册标识

EIA登记顺序号

不同档别

例:JANS2N2904 宇航级三极管

欧洲三极管命名方式

B

C

208

A

A:锗管

B:硅管

C:低频小功率

D:低频大功率

F:高频小功率

L:高频大功率

登记顺序号

β的档别

例:BC208A 硅材料低频小功率三极管

三极管封装及管脚排列方式

关于封装:

三极管设计额定功率越大,其体积就越大,又由于封装技术的不断更新发展,所以三极管有多种多样的封装形式。

当前,塑料封装是三极管的主流封装形式,其中“TO”和“SOT”形式封装最为常见。

关于管脚排列:

不同品牌、不同封装的三极管管脚定义不完全一样的,一般地,有以上规律:

规律一:对中大功率三极管,集电极明显较粗大甚至以大面积金属电极相连,多处于基极和发射极之间;

规律二:对贴片三极管,面向标识时,左为基极,右为发射极,集电极在另一边;

基极 — B 集电极 — C 发射极 — E

三极管的选用原则

考虑三极管的性能极限,按“2/3”安全原则选择合适的性能参数。:

集极电流IC:

IC <2 / 3 *ICM

ICM 集极最大允许电流

当 IC>ICM时,三极管β值减小,失去放大功能。

集极功率PW:

PW < 2 / 3 *PCM

PCM集极最大允许功率。

当PW > PCM 三极管将烧坏。

集-射反向电压UCE:

UCE < 2 / 3*UBVCEO

UBVCEO基极开路时,集-射反向击穿电压

集/射极间电压UCE>UBVCEO时,三极管产生很大的集电极电流击穿,造成永久性损坏。

工作频率ƒ:

ƒ = 15% * ƒT

ƒT — 特征频率

随着工作频率的升高,三极管的放大能力将会下降,对应于β=1 时的频率ƒT叫作三极管的特征频率。

此外,还应考虑体积成本,优先选用贴片式三极管。

本文来自《云脑智库》

带阻三极管是将一只或两只电阻器与晶体管连接后封装在一起构成的,作用:反相器或倒相器,广泛应用电视机、影碟机、录像机、DVD及显示器等家电产品中。

由于带阻三极管通常应用在数字电路中,因此带阻三极管有时候又被称为数字三极管或者数码三极管。带阻三极管通常作为一个中速开关管,在电路中可看作一个电子开关,但其饱和导通时,管压降很小。

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