led晶片注意事项等

1.led晶片厂商名称: A.光磊(ED) B.国联(FPD) C.鼎元(TK) D.华上(AOC)

E.汉光(HL) F.AXT G.广稼

2.led晶片在生产使用过程中需注意静电防护2100433B

(详见下表介绍)

led晶片型号发光颜色组成元素波长(nm)晶片型号发光颜色组成元素波长(nm)

SBI蓝色lnGaN/sic 430 HY超亮黄色AlGalnP 595

SBK较亮蓝色lnGaN/sic 468 SE高亮桔色GaAsP/GaP610

DBK较亮蓝色GaunN/Gan470 HE超亮桔色AlGalnP 620

SGL青绿色lnGaN/sic 502 UE最亮桔色AlGalnP 620

DGL较亮青绿色LnGaN/GaN505 URF最亮红色AlGalnP 630

DGM较亮青绿色lnGaN 523 E桔色GaAsP/GaP635

PG纯绿GaP 555 R红色GAaAsP 655

SG标准绿GaP 560 SR较亮红色GaA/AS 660

G绿色GaP 565 HR超亮红色GaAlAs 660

VG较亮绿色GaP 565 UR最亮红色GaAlAs 660

UG最亮绿色AIGalnP 574 H高红GaP 697

Y黄色GaAsP/GaP585 HIR红外线GaAlAs 850

VY较亮黄色GaAsP/GaP585 SIR红外线GaAlAs 880

UYS最亮黄色AlGalnP 587 VIR红外线GaAlAs 940

UY最亮黄色AlGalnP 595 IR红外线GaAs 940

主要有砷(AS)铝(AL)镓(Ga)铟(IN)磷(P)氮(N)锶(Si)这几种元素中的若干种组成.

1.按发光亮度分:

A.一般亮度:R﹑H﹑G﹑Y﹑E等.

B.高亮度:VG﹑VY﹑SR等

C.超高亮度:UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等

D.不可见光(红外线):IR﹑SIR﹑VIR﹑HIR

E.红外线接收管:PT

F.光电管: PD

2.按组成元素分:

A.二元晶片(磷﹑镓):H﹑G等

B.三元晶片（磷﹑镓﹑砷）:SR﹑HR﹑UR等

C.四元晶片(磷﹑铝﹑镓﹑铟):SRF﹑HRF﹑URF﹑VY﹑HY﹑UY﹑UYS﹑UE﹑HE、UG

晶片机械强度是晶片抗破碎与翘曲的内在力学性能。

中文名称

晶片机械强度

英文名称

mechanical strength of slices

定　　义

晶片抗破碎与翘曲的内在力学性能。

应用学科

材料科学技术（一级学科），半导体材料（二级学科），元素半导体材料（三级学科）

硅晶片掺杂

硅锭生长需要大块的纯净多晶硅，将这些块状物连同少量的特殊III、V族元素放置在石英坩埚中，这称为掺杂。加入的掺杂剂使那些长大的硅锭表现出所需要的电特性。最普通的掺杂剂是硼、磷、砷和锑。因使用的掺杂剂不同，会成为一个P型或N型的硅锭（P型/硼，N型/磷、锑、砷）。

硅晶片熔融

然后将这些物质加热到硅的熔点——摄氏1420度之上。一旦多晶硅和掺杂剂混合物熔解，便将单晶硅种子放在熔解物的上面，只接触表面。种子与要求的成品硅锭有相同的晶向。为了使掺杂均匀，子晶和用来熔化硅的坩埚要以相反的方向旋转。一旦达到晶体生长的条件，子晶就从熔化物中慢慢被提起。生长过程开始于快速提拉子晶，以便使生长过程初期中子晶内的晶缺陷降到最少。然后降低拖拉速度，使晶体的直径增大。当达到所要求的直径时，生长条件就稳定下来以保持该直径。因为种子是慢慢浮出熔化物的，种子和熔化物间的表面张力在子晶表面上形成一层薄的硅膜，然后冷却。冷却时，已熔化硅中的原子会按照子晶的晶体结构自我定向。硅锭完全长大时，它的初始直径要比最终晶圆片要求的直径大一点。

硅晶片切割

接下来硅锭被刻出一个小豁口或一个小平面，以显示晶向。一旦通过检查，就将硅锭切割成晶圆片。由于硅很硬，要用金刚石锯来准确切割晶圆片，以得到比要求尺寸要厚一些的晶片。金刚石锯也有助于减少对晶圆片的损伤、厚度不均、弯曲以及翘曲缺陷。

硅晶片研磨

切割晶圆片后，开始进入研磨工艺。研磨晶圆片以减少正面和背面的锯痕和表面损伤。同时打薄晶圆片并帮助释放切割过程中积累的应力。

硅晶片刻蚀和清洗

研磨后，进入刻蚀和清洗工艺，使用氢氧化钠、乙酸和硝酸的混合物以减轻磨片过程中产生的损伤和裂纹。关键的倒角工艺是要将晶圆片的边缘磨圆，彻底消除将来电路制作过程中破损的可能性。倒角后，要按照最终用户的要求，经常需要对边缘进行抛光，提高整体清洁度以进一步减少破损。抛光(化学机械抛光，Chemical Mechanical Polishing)　生产过程中最重要的工艺是抛光晶圆片，此工艺在超净间中进行。超净间从一到一万分级，这些级数对应于每立方米空间中的颗粒数。这些颗粒在没有控制的大气环境下肉眼是不可见的。例如起居室或办公室中颗粒的数目大致在每立方米五百万个。为了保持洁净水平，生产工人必须穿能盖住全身且不吸引和携带颗粒的洁净服。在进入超净间前，工人必须进入吸尘室内以吹走可能积聚的任何颗粒。硅晶片大多数生产型晶圆片都要经过两三次的抛光,抛光料是细浆或者抛光化合物。多数情况下，晶圆片仅仅是正面抛光，而300毫米的晶圆片需要双面抛光。除双面抛光以外，抛光将使晶圆片的一面象镜面一样。抛光面用来生产电路，这面必须没有任何突起、微纹、划痕和残留损伤。

抛光过程分为两个步骤，切削和最终抛光。这两步都要用到抛光垫和抛光浆。切削过程是去除硅上薄薄的一层，以生产出表面没有损伤的晶圆片。最终抛光并不去除任何物质，只是从抛光表面去除切削过程中产生的微坑。抛光后，晶圆片要通过一系列清洗槽的清洗，这一过程是为去除表面颗粒、金属划痕和残留物。之后，要经常进行背面擦洗以去除最小的颗粒。这些晶圆片经过清洗后，将他们按照最终用户的要求分类，并在高强度灯光或激光扫描系统下检查，以便发现不必要的颗粒或其他缺陷。一旦通过一系列的严格检测，最终的晶圆片即被包装在片盒中并用胶带密封。然后把它们放在真空封装的塑料箱子里，外部再用防护紧密的箱子封装，以确保离开超净间时没有任何颗粒和湿气进入片盒。