刻蚀

刻蚀，英文为Etch，它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻相联系的图形化(pattern)处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。随着微制造工艺的发展，广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法。

刻蚀概述
刻蚀造价信息
刻蚀常见问题
刻蚀文献
湿法刻蚀简介
等离子刻蚀机湿法刻蚀相对于等离子刻蚀的缺点
ICP刻蚀机技术指标

刻蚀图片

刻蚀基本信息

中文名称	刻蚀	外文名称	etch
工艺	半导体制造工艺	狭义理解	光刻腐蚀

刻蚀概述

刻蚀方法

刻蚀最简单最常用分类是:干法刻蚀和湿法刻蚀。显而易见，它们的区别就在于湿法使用溶剂或溶液来进行刻蚀。

湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程，是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。其特点是:

湿法刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用:磨片、抛光、清洗、腐蚀

优点是选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低

缺点是:钻刻严重、对图形的控制性较差，不能用于小的特征尺寸;会产生大量的化学废液

干法刻蚀种类很多，包括光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。其优点是:各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，细线条操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高。缺点是:成本高，设备复杂。干法刻蚀主要形式有纯化学过程(如屏蔽式，下游式，桶式)，纯物理过程(如离子铣)，物理化学过程，常用的有反应离子刻蚀RIE，离子束辅助自由基刻蚀ICP等。

干法刻蚀方式很多，一般有:溅射与离子束铣蚀，等离子刻蚀(Plasma Etching)，高压等离子刻蚀，高密度等离子体(HDP)刻蚀，反应离子刻蚀(RIE)。另外，化学机械抛光CMP，剥离技术等等也可看成是广义刻蚀的一些技术。

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发纹本色蚀刻不锈钢板	品种:蚀刻不锈钢板;规格(mm):1.0×1220×2440;厚度(mm):1;类型:蚀刻不锈钢板;牌号:201;说明:可提供厚度:0.8、	查看价格	查看价格		m²	13%	北京东方通顺不锈钢有限公司
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刻蚀常见问题

雕花玻璃用什么刻蚀有谁比较熟悉

应该是用的吧，能和玻璃的主要成分二氧化硅反应。要能腐蚀玻璃的才行，B能与玻璃中的SiO2反应。烧碱碱反应很慢，而且光滑的表面还不能腐蚀。其他的不能反应。希望我的回答对你有帮助
刻蚀不锈钢板多少钱一平

一般按张来算，一张多少钱加工费。
原电梯门贴古铜色不锈钢板，刻蚀图案0.5mm审请问应该怎么套价？可否套不锈钢面板

当然可以，还是套不锈钢板，古铜色蚀刻图案只是材料单价不同，要贵。工艺相同

刻蚀文献

不锈钢的刻蚀

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1 不锈钢刻蚀【摘要】本文依据工业生产原理，设计了新的能处理较大面积工件的化学刻蚀装置，研究了实验室条件下对不锈钢进行图纹装饰的方法和工艺。通过上感光材料、感光、刻蚀、上色等工艺实现了不锈钢的图案刻蚀，成功地制作出一批作品。【关键词】图纹装饰，不锈钢板，感光材料，刻蚀。 Etching on Stainless Steel Sheet Zhao Libing Chen Peixian Li Jiahang Long Jieming Wang Junxia Liu Chang Zhang Zhijun Liu Xiaofang Lu Yujing Xie Guangbin L ü Xueyi （Class 99, School of Chemistry and Chemical Engineering, Sun Yat-Sen University, Guangzh

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干法刻蚀工艺总结

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干法刻蚀工艺总结离子束刻蚀机（ IBE-150A）背景 : 利用辉光放电原理将氩气分解为氩离子，氩离子经过阳极电场的加速对样品表面进行物理轰击，以达到刻蚀的作用。把 Ar、Kr 或 Xe之类惰性气体充入离子源放电室并使其电离形成等离子体，然后由栅极将离子呈束状引出并加速，具有一定能量的离子束进入工作室，射向固体表面撞击固体表面原子，使材料原子发生溅射，达到刻蚀目的，属纯物理过程。技术指标：装片：一片六英寸衬底、或 1片四英寸，向下兼容。抽气速度： 30min由 ATM 到 1.0×10-3Pa 极限真空度： 2×10-4Pa 离子能量： 300eV-400eV ICP 刻蚀机（ OXFORD ICP 180）背景 : 通入反应气体使用电感耦合等离子体辉光放电将其分解，产生的具有强化学活性的等离子体在电场的加速作用下移动到样品表面，对样品表面既进行化学

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湿法刻蚀简介

湿法刻蚀是一种刻蚀方法，是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术。

主要在较为平整的膜面上刻出绒面，从而增加光程，减少光的反射，刻蚀可用稀释的盐酸等。

简单来说，就是中学化学课中化学溶液腐蚀的概念，它是一种纯化学刻蚀，具有优良的选择性，刻蚀完当前薄膜就会停止，而不会损坏下面一层其他材料的薄膜。由于所有的半导体湿法刻蚀都具有各向同性，所以无论是氧化层还是金属层的刻蚀，横向刻蚀的宽度都接近于垂直刻蚀的深度。这样一来，上层光刻胶的图案与下层材料上被刻蚀出的图案就会存在一定的偏差，也就无法高质量地完成图形转移和复制的工作，因此随着特征尺寸的减小，在图形转移过程中基本不再使用。

目前，湿法刻蚀一般被用于工艺流程前面的晶圆片准备、清洗等不涉及图形的环节，而在图形转移中干法刻蚀已占据主导地位。2100433B

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