Intel 凌动 N270基本信息

中文名 Intel 凌动 N270 插槽类型 PBGA437
CPU主频 1.6GHz 制作工艺 45纳米

基本参数 适用类型:笔记本

CPU系列:凌动 N200

CPU频率

外频:133MHz

倍频:12倍

总线类型:FSB总线

总线频率:533MHz

CPU插槽

CPU内核 核心数量:单核心

线程数:双线程

热设计功耗(TDP):2.5W

内核电压:0.9-1.1625V

晶体管数量:47百万

核心面积:26平方毫米

CPU缓存 二级缓存:512KB

技术参数 超线程技术:支持

虚拟化技术:不支持

64位处理器:否

Turbo Boost技术:不支持

病毒防护技术:支持

显卡参数 集成显卡:否

其他参数 工作温度:90℃

其它性能:温度监视技术

Intel 凌动 N270造价信息

市场价 信息价 询价
材料名称 规格/型号 市场价
(除税)
工程建议价
(除税)
行情 品牌 单位 税率 供应商 报价日期
座椅 高档 编号名称:MC-02黑色 标准C100-HAA-SM 查看价格 查看价格

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双层舞蹈把杆 双层舞蹈把杆:立柱壁厚:1.5mm 查看价格 查看价格

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舞蹈把杆 舞蹈把杆:立柱壁厚:1.5mm 查看价格 查看价格

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操作机构 Nkm1、Nkm1L、Nkm1Z-225(三极/四极) 查看价格 查看价格

南冠

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操作机构 Nkm1、Nkm1L、Nkm1Z-800(三极/四极) 查看价格 查看价格

南冠

13% 广东南冠电气有限公司
材料名称 规格/型号 除税
信息价
含税
信息价
行情 品牌 单位 税率 地区/时间
吊篮(电) 篮身长度6m 查看价格 查看价格

台班 汕头市2012年1季度信息价
吊篮(电) 篮身长度6m 查看价格 查看价格

台班 广州市2010年4季度信息价
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台班 汕头市2010年4季度信息价
吊篮(电) 篮身长度6m 查看价格 查看价格

台班 广州市2010年2季度信息价
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台班 广州市2010年1季度信息价
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台班 汕头市2009年1季度信息价
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台班 汕头市2008年4季度信息价
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台班 广州市2008年2季度信息价
材料名称 规格/需求量 报价数 最新报价
(元)
供应商 报价地区 最新报价时间
座椅 详见附件|1张 3 查看价格 广东华尚实业有限公司 广东   2022-03-19
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二级缓存:512KB

核心数量:单核心 双线程

热设计功耗(TDP):2.5W

总线类型:FSB总线 533MHz

适用类型:笔记本

倍频:12倍

外频:133MHz

内核电压:0.9-1.1625V

超线程技术:支持

晶体管数量:47百万

CPU系列:凌动 N200

Intel 凌动 N270常见问题

  • 求新02N2图集

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Intel 凌动 N270文献

500千伏漫昆线N230   N246段回转倒牵张力放线施工设计 500千伏漫昆线N230 N246段回转倒牵张力放线施工设计

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大小:165KB

页数: 未知

评分: 4.5

500千伏漫昆线N230 N246段回转倒牵张力放线施工设计

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CPU主频:1.1GHz

制作工艺:45纳米

二级缓存:512KB

核心数量:单核心 双线程

热设计功耗(TDP):2.2W

总线类型:FSB总线 400MHz

适用类型:笔记本

倍频:11倍

外频:100MHz

晶体管数量:4700万

Intel 凌动 Z510P详细参数切换到传统表格版

基本参数

CPU频率

外频 133MHz

倍频 14倍

总线频率 533MHz

CPU插槽

封装模式 TJUNCTION:90℃

封装大小:13×14mm

支持的插槽:PBGA441

无卤素选项可用

CPU内核

核心数量 单核心

线程数 双线程

制作工艺 45 纳米

热设计功耗(TDP) 2.4W

内核电压 0.75-1.1VV

晶体管数量 4700万

核心面积 26平方毫米

CPU缓存

二级缓存 512KB

技术参数

指令集 指令集:32-bit

指令集扩展:SSE2,SSE3,SSSE3

超线程技术 支持

虚拟化技术 Intel VT

64位处理器 否

Turbo Boost技术 不支持

其他参数

其它性能 空闲状态

增强型Intel SpeedStep动态节能技术

英特尔按需配电技术

温度监视技术

执行禁用位

适用类型:笔记本

CPU系列:凌动 Z500

CPU频率

CPU主频:1.1GHz

外频:100MHz

倍频:11倍

总线类型:FSB总线

总线频率:400MHz

CPU插槽

封装模式:TJUNCTION:90℃

封装大小:22×22mm

支持的插槽:FCBGA437

CPU内核

核心数量:单核心

线程数:双线程

制作工艺:45纳米

热设计功耗(TDP):2.2W

内核电压:0.8-1.1V

晶体管数量:4700万

核心面积:26平方毫米

CPU缓存

二级缓存:512KB

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