硅片镊子

H2SO4/H2O2/H2O、HNO3/HF和HF/H2O2/H2O为半导体芯片生产过程中三种去除硅片背面铜污染的化学清洗液。在单片湿法清洗机上采用这三种化学液对直径300 mm具有类似于实际生产中铜污染的硅片进行了清洗,结果发现H2SO4/H2O2/H2O在清洗过程中不对硅片表面的Si3N4膜产生损伤,但铜污染的去除效率较低;HNO3/HF和HF/H2O2/H2O对Si3N4膜产生微量刻蚀,从而去除扩散至硅片内部铜污染,从而显示出较佳的去除效果。通过比较HF/H2O2/H2O中HF体积分数与Si3N4膜刻蚀深度和清洗后铜原子浓度,HF的体积分数为1.5%时,可以使硅片表面铜原子浓度降至1010cm-2以下,并且Si3N4膜厚的损失小于1 nm。

介绍切割钢丝生产的工艺要求和过程,分析切割钢丝断丝原因:(1)原料材质不合格或钢丝存在表面缺陷;(2)排线间距混乱或钢丝端末滑跑导致压线;(3)切割工艺不当。给出预防措施:(1)加强来料检验,严格生产过程控制,避免各个工序对钢丝表面的损伤;(2)控制工字轮排线角度在10°内,严格端末固定作业程序,用户打结作业前不可将防止压线的胶带提前撕掉;(3)在多线切割中,单位钢丝内切割的硅棒面积越小,钢丝的断线率越低,控制切割系数小于120。在使用过程中针对钢丝的断线原因,适当采取预防措施可以很好的控制断线率,从而节约切割成本,提高硅片质量。