固定电容器基本信息

中文名 固定电容器 外文名 fixed capacitor
所属领域 电子工程术语 特性参数 标称电容量和允许偏差
特    点 实地标注 定    义 电容量固定的电容器

(1)根据电路的要求合理选用型号

一般用于低频耦合及旁路等场合,应选用纸介电容器;在高频电路和高压电路中,应选用云母电容器和瓷介电容器;在电源滤波或退耦电路中应选用电解电容器。

(2)合理确定电容器的精度

在大多数情况下,对电容器的容量要求并不严格。但在振荡、延时电路及音调控制电路中,电容器的容量则应和计算要求尽量符合。在某些滤波电路以及某些要求较高的谐振电路中,电容器的容量值要求非常精确,其误差值应小于±0.5%甚至更低。

(3)电容器额定工作电压的确定

电容器的工作电压应低于额定电压10%~20%。要注意通过电容器的交流电压和电流,不应超过给出的额定值。

(4)注意电容器的温度稳定性及损耗

用于谐振电路中的电容器,必须选用误差小的电容器,其温度系数也应选小一些的,以免影响谐振特性。

固定电容器造价信息

市场价 信息价 询价
材料名称 规格/型号 市场价
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工程建议价
(除税)
行情 品牌 单位 税率 供应商 报价日期
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材料名称 规格/型号 除税
信息价
含税
信息价
行情 品牌 单位 税率 地区/时间
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(元)
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电容器的特性比电阻器要复杂得多,电路分析中,对电容器作用的分析也相当困难。掌握电容器的特性是分析有电容器电路参与电路工作原理的关键所在,很多情况下对电路工作原理的分析不正确或者根本无从下手,其主要原因就是对元器件的特性不了解,所以掌握电容器的主要特性及其相应变化,是分析有电容器参与电路工作原理的基础。

1)隔直特性

电容器不能让直流电流通过,这是电容器的重要特性之一,这一特性称为电容器的隔直特性。

2)通交特性

电容器有让交流电流通过的特性,称为电容器的通交特性。

3)隔直通交和储能特性

理论上电容器并不消耗能量,电容器中所充到的电荷只会储存在电容器中,只要外电路中不存在让电容器放电的条件,电荷就会一直储存在电容器中,电容器的这一特性称为储能特性。

隔直通交特性就是电容器的隔直特性和通交特性的叠加。电容器在直流电路中,由于电流电压方向不变,待电容器充满电荷之后,电路中便无电流的流动,所以认为电容具有隔直作用。电容器的隔直通交往往联系起来,即电容器具有隔直通交的作用。

4)容抗特性

尽管电容器的作用是通交流、隔直流,但在交流电路中,电容器仍具有一定的阻碍交流电流流动的作用,这种阻碍作用与电容器的电容量成反比关系,电容量越小,阻碍作用越大,电容量越大,阻碍作用越小。

固定电容器概述

特性参数 1、标称电容量和允许偏差

标称电容量是标志在电容器上的电容量。

电容器的基本单位是法拉(F),但是,这个单位太大,在实地标注中很少采用。

其它单位关系如下:

1F=1000mF

1mF=1000μF

1μF=1000nF

1n=1000pF

精度等级与允许误差对应关系:00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%)

一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级,电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级,根据用途选取。

2、额定电压

在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值,一般直接标注在电容器外壳上,如果工作电压超过电容器的耐压,电容器击穿,造成不可修复的永久损坏。

3、绝缘电阻

直流电压加在电容上,并产生漏电电流,两者之比称为绝缘电阻.

当电容较小时,主要取决于电容的表面状态,容量〉0.1uf时,主要取决于介质的性能,绝缘电阻越小越好。

电容的时间常数:为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数,他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。

4、损耗

电容在电场作用下,在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值,电容的损耗主要由介质损耗,电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。

在直流电场的作用下,电容器的损耗以漏导损耗的形式存在,一般较小,在交变电场的作用下,电容的损耗不仅与漏导有关,而且与周期性的极化建立过程有关。

5、频率特性

随着频率的上升,一般电容器的电容量呈现下降的规律。

固定电容器常见问题

  • 电容器串联后各个电容器的电压?

    先求得串联后总电容C=2uF(1/C=1/C1+1/C2+1/C3)电量Q=CU=2*120=240串联三电容的Q相等,均为240,因此:U1=240/4=60VU1=240/6=40VU1=240/...

  • 电容器的问题

    1AA2、1AA3、2AA2、2AA3 代表什么?是电容柜的编号 2. 基础槽钢的工程量是怎样计算的?长度=(1+1)*2*4台=16米*10kg=160kg (按10#槽钢算)

  • 电容器的电容定义式是什么???

    电容器的电容量表示电容器在极板上储存电荷的能力, C = Q / U,电荷(Q,库仑)与电容器极板两端的电位差(U,伏)之比,称为电容器的电容量(C,法拉),在数值上等于极板两端每升高一伏电压...

1、标称电容量和允许偏差

标称电容量是标志在电容器上的电容量。

电容器的基本单位是法拉(F),但是,这个单位太大,在实地标注中很少采用。

一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级,电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级,根据用途选取。

2、额定电压

在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值,一般直接标注在电容器外壳上,如果工作电压超过电容器的耐压,电容器击穿,造成不可修复的永久损坏。

3、绝缘电阻

直流电压加在电容上,并产生漏电电流,两者之比称为绝缘电阻.

当电容较小时,主要取决于电容的表面状态,容量〉0.1μf时,主要取决于介质的性能,绝缘电阻越小越好。

电容的时间常数:为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数,他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。

4、损耗

电容在电场作用下,在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值,电容的损耗主要由介质损耗,电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。

在直流电场的作用下,电容器的损耗以漏导损耗的形式存在,一般较小,在交变电场的作用下,电容的损耗不仅与漏导有关,而且与周期性的极化建立过程有关。

5、频率特性

随着频率的上升,一般电容器的电容量呈现下降的规律。

固定电容器陶瓷电容器

陶瓷电容器是用高介电常数的电容器陶瓷(钛酸钡一氧化钛)挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。

高频瓷介电容器适用于无线电、电子设备的高频电路。具有小的正电容温度系数的电容器,使用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于用在工作频率较低的回路中起旁路或隔直流作用,或用在对稳定性和损耗要求不高的场合(包括高频在内),不宜在脉冲电路中使用,因为它们易于被脉冲电压击穿。常见的瓷介电容器有穿心式或支柱式结构瓷介电容器,它的一个电极就是安装螺丝。

独石电容器即多层陶瓷电容器,其结构为在若干片陶瓷薄膜坯上覆以电极桨材料,叠合后一次绕结成不可分割的整体,外面再用树脂包封而成,是一种小体积、大容量、高可靠和耐高温的新型电容器;高介电常数的低频独石电容器也具有稳定的性能,体积极小。

固定电容器云母电容器

云母电容器就结构而言,可分为箔片式及被银式。被银式电极是直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成的,由于消除了空气间隙,温度系数大为下降,电容稳定性也比箔片式高。云母电容器广泛应用在高频电器中,可用作标准电容器。 2100433B

固定电容器文献

电容器. 电容器.

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电容器 班级 姓名 日期 一、电容器 1. 组成:由两个彼此 ________又相互 ________的导体组成. 2. 带电量:每个极板所带电荷量的 __________. 3. 电容器的充电和放电 充电:使电容器带电的过程,充电后电容器两极板带上等量的 ____________,电容器中储存 __________. 放电:使充电后的电容器失去电荷的过程,放电过程中 __________ 转化为其他形式的能. 二、电容 1. 定义:电容器所带的 ____________与电容器两极板间的电势差 U 的比值. 2. 定义式: ____________ 3. 物理意义:表示电容器 ____________本领大小的物理量. 三、平行板电容器 1. 影响因素:平行板电容器的电容与 ________成正比,与介质的 _______成正比,与 ________成反比. 2. 决定式: C=____

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电容器 电容器

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电容器

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《电子设备用固定电容器(第14部分):空白详细规范、抑制电源电磁干扰用固定电容器评定水平D(GB/T 14473-1998)》由中国标准出版社出版。

1. 检测10pF以下的小电容:因10pF以下的固定电容器容量太小,用万用表进行测量,只能定性的检查其是否有漏电,内部短路或击穿现象。测量时,可选用万用表R×10k挡,用两表笔分别任意接电容的两个引脚,阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零,则说明电容漏电损坏或内部击穿。

2. 检测10PF~001μF固定电容器:通过判断是否有充电现象,进而判断其好坏。万用表选用R×1k挡。两只三极管的β值均为100以上,且穿透电流要小。可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用,把被测电容的充放电过程予以放大,使万用表指针摆幅度加大,从而便于观察。

应注意的是:在测试操作时,特别是在测较小容量的电容时,要反复调换被测电容引脚接触A、B两点,才能明显地看到万用表指针的摆动。对于001μF以上的固定电容,可用万用表的R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电,并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。

《电子设备用固定电容器(第5部分):空白详细规范、额定电压不超过3、000V的直流云母介质固定电容器、评定水平、E(GB/T 6262-1998)》从实施之日起,同时代替GB/T 6262-1986。本标准由中华人民共和国电子工业部提出。本标准由全国电子设备用阻容元件标准化技术委员会归口。本标准由电子工业部标准化研究所负责起草。本标准主要起草人:李舒平。本标准的上层标准为GB/T 2693-1990《电子设备用固定电容器 第1部分:总规范》。GB/T 6261-1998《电子设备用固定电容器第5部分:分规范额定电压不超过3000 V的直流云母固定电容器试验方法的选择和一般要求》。

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