大功率晶体管是指在高电压、大电流的条件下工作的晶体管。
中文名称 | 大功率晶体管 | 一般称为 | 功率器件 |
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属 于 | 电力电子技术领域研究范畴 | 分 类 | 3种 |
功率器件从整体上可以分为不可控器件、半可控器件和全可控器件。
1、不可控器件
指导通和关断无法通过控制信号进行控制,完全由其在电路中所承受的电流、电压情况决定,属于自然导通和自然关断。包括功率二极管。
2、半可控器件
指能用控制信号控制其导通,但不能控制其关断,其关断只能由其在主电路中承受的电压、电流情况决定,属于自然关断。包括晶闸管(SCR)和由其派生出来的双向晶闸管(TRIAC)。
3、全可控器件
指能使用控制信号控制其导通和关断的器件,包括功率三极管(GTR)、功率场效应管(功率MOSFET)、可关断晶闸管(GTO)、绝缘栅双极三极管(IGBT)、MOS控制晶闸管(MCT)、静电感应晶体管(SIT)、静电感应晶闸管(场控晶闸管,SITH)和集成门极换流晶闸管(IGCT)等。
全可控器件从控制形式上还可以分为电流控制型和电压控制型两大类。
属于电流控制型的有:GTR(功率三极管)、SCR(可控晶闸管)、TRIAC(可控双向晶闸管)、GTO(可关断晶体管)等。
属于电压控制型的有:功率MOSFET、IGBT、MCT和SIT
用于控制功率输出,高频大功率晶体管的应用电子设备的扫描电路中,如彩电,显示器,示波器,大型游戏机的水平扫描电路,视放电路,发射机的功率放大器,如对讲机,手机的射频输出电路,高频振荡电路和高速电子开关电路等。
大功率管由于发热量大所以必须安装在金属散热器上,且金属散热器的面积要足够大,否则达不到技术文档规定的技术性能。
大功率晶体管一般被称为功率器件,属于电力电子技术(功率电子技术)领域研究范畴。其实质就是要有效地控制功率电子器件合理工作,通过功率电子器件为负载提供大功率的输出。
一般说来,功率器件通常工作于高电压、大电流的条件下,普遍具备耐压高、工作电流大、自身耗散功率大等特点,因此在使用时与一般小功率器件存在一定差别。
1、选型考虑原则
适用性(是否满足技术要求)、经济性(性价比);
2、工作频率比较
SIT>MOSFET(3-10MHz)>IGBT(50KHz)>SITH>GTR(30KHz)>MCT>GTO
3、功率容量比较
GTO(6000V/6000A)>SITH>MCT>IGBT(2500V/1000A)>GTR(1800V/400A)>SIT>功率MOSFET(1000V/100A)
4、通态电阻比较
功率MOSFET>SIT>SITH>GTO>IGBT>GTR>MCT
5、控制难易程度比较
电压控制型控制较电流控制型更容易控制,但其中的SIT属于常开型器件,控制难度大于功率MOSFET和IGBT。
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介绍了庞巴迪运输装备公司(Bombardier Transportation)生产的MITRAC TC3300大功率牵引变流器及其变型产品的结构、工作原理以及在不同种类机车上的应用情况。
通常简称功率晶体管。 其中大容量型又称巨型晶体管,简称GTR。功率晶体管一般为功率集成器件,内含数十至数百个晶体管单元。图1是功率晶体管的符号,其上e、b、c分别代表发射极、基极和集电极。按半导体的类型,器件被分成NPN型和PNP型两种,硅功率晶体管多为前者。
功率晶体管(GTR)具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点,阻碍它的进一步发展。
—、结构特性
1、结构原理
功率晶体管是双极型大功率器件,又称巨型晶体管或电力勗体管,简称GTR。它从本质上讲仍是晶体管,因而工作原理与一般晶体管相同。但是,由于它主要用在电力电子技术领域,电流容量大,耐压水平高,而且大多工作在开关状态,因此其结构与特性又有许多独特之处。
对GTR的要求主要是有足够的容量、适当的增益、较高的速度和较低的功耗等。由于GTR电流大、功耗大,因此其工作状况出现了新特点、新问题。比如存在基区大注入效应、基区扩展效应和发射极电流集边效应等,使得电流增益下降、特征频率减小,导致局部过热等,为了削弱这种影响,必须在结构上采取适当的措施。目前常用的GTR器件有单管、达林顿管和模块三大系列。
三重扩散台面型NPN结构是单管GTR的典型结构,其结构和符号如图1所示。这种结构的优点是结面积较大,电流分布均匀,易于提高耐压和耗散热量;缺点是电流增益较低,一般约为10~20g。
图1、功率晶体管结构及符号
图2、达林顿GTR结构
(a)NPN-NPN型、(b)PNP-NPNxing
达林顿结构是提高电流增益的一种有效方式。达林顿GTR由两个或多个晶体管复合而成,可以是PNP或NPN型,如图2所示,其中V1为驱动管,可饱和,而V2为输出管,不会饱和。达林顿GTR的电流增益β大大提高,但饱和压降VCES也较高且关断速度较慢。不难推得
IC=ΒIB1.VCES= VCES1+VCES2(其中β≈β1β2)
目前作为大功率开关应用最多的是GTR模块。它是将单个或多个达林顿结构GTR及其辅助元件如稳定电阻、加速二极管及续流二极管等,做在一起构成模块,如图3所示。为便于改善器件的开关过程或并联使用,有些模块的中间基极有引线引出。GTR模块结构紧凑、功能强,因而性能价格比大大提高。
图3、GTR模块的等效电路
2、特性参数
1)输出特性与电流增益
GTR的共射极输出特性如图4所示。可分为四个区,即:阻断区、线性区、准饱和区及深饱和区。用作开关时,应尽量避免工作于线性区,否则功耗很大。进入深饱和区,虽功耗小,但关断时间长且安全工作区变窄.因此一般工作于准饱和区。饱和压降VCES是一重要参数,它越小,GTR的功耗越小。VCES随IC和温度的增加而增大。
图4、共射极电路输出特性
GTR的共射极电流增益β随集电极电流IC和结温Ti变化,如图5所示。可见,大电流时沒下降,限制了 GTR的电流容量。
图5、β~IC关系曲线
2)开关特性
开关过程可分四个阶段:开通过程、导通状态、关断过程、阻断状态。GTR开关过程的电流波形如图6所示。其中,开通时间ton包括延迟时间td和上升时间tc,关断时间toff包括存储时间ts和下降时间ti。一般开关时间越短,工作频率越高。为缩短开通时间,可选结电容小的管子或提高驱动电流的幅值和陡度。为缩短关断时间,可选β小的管子,防止深饱和,增加反偏电流等。
图6、GTR开关过程的电流波形
电压上升率dv/dt和电流上升率di/dt会影响开关过程。为防止过高的dv/dt或di/dt对GTR造成危害,一般应加接缓冲电路。
3)二次击穿与安全工作区
二次击穿是集-射电压突然变低而电流激增的现象。GTR的二次击穿特性如图7所示,包括发射结正偏、开路和反偏三种情况。其中正偏二次击穿对GTR的威胁最大。
图7、GTR的二次击穿特性
安全工作区SOA是指GTR能够安全运行的电流、电压、功耗的极限范围,分为正偏安全工作区和反偏安全工作区,如图8所示。其中正偏安全工作区受最大集电极电流ICM、最大耐压BVCEO、最大允许功耗PCM和二次击穿触发功率PS/B的限制。DC为直流情况,虚线为脉冲情况,反向偏置安全工作区受最大集电极电流、集-射维持电压和二次击穿功率的限制。
图8、正偏安全工作区
4)其他特性参数
主要有集电极电压最大值、发射极电压最大值、集电极电流最大值ICM、基极电流最大值IBM、最大功耗PCM、最高结温TIM等。由干各参数均受温度影响,因此应采取有效散热措施,确保GTR结温不超过规定值。
改变栅压可以改变沟道中的电子密度,从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道,加上适当的偏压,可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。
P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下,PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外,P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高,要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大,充电放电过程长,加之器件跨导小,所以工作速度更低,在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后,多数已为NMOS电路所取代。只是,因PMOS电路工艺简单,价格便宜,有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。
PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。如图1所示的CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。采用直接接口方式,一般CMOS的电源电压选择在10~12V就能满足PMOS对输入电平的要求。
MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗,在电路中便于直接耦合,容易制成规模大的集成电路。