电磁波在穿过屏蔽体是发生衰减是因为能量有了损耗，这种损耗可以分成两个部分：反射损耗和吸收损耗。

反射损耗：当电磁波入射到不同媒质的分界面时，就会发生反射，使穿过界面的电磁能量减弱。由于反射现象而造成的电磁能量损失称为反射损耗，用字母R表示。当电磁波穿过一层屏蔽体时要经过两个界面，要发生两次反射。因此，电磁波穿过屏蔽体时的反射损耗等于两个界面上的射损反耗总和。反射损耗的计算公式如下：

R=20lg(ZW/ZS) (dB) 式中: ZW= 入射电磁波的波阻抗 ，ZS=屏蔽材料的特性阻抗

|ZS|=3.68×10-7（fμrσr）1/2式中: f= 入射电磁波的频率 ，μr=相对磁导率，σr=相对电导率

吸收损耗：电磁波在屏蔽材料中传播时，会有一部分能量转换成热量，导致电磁能量损失，损失的这部分能量成为屏蔽材料的吸收损耗，用字母A表示，计算公式如下：

A=3.34t（fμrσr）1/2 (dB)

多次反射修正因子:电磁波在屏蔽体的第二个界面（穿出屏蔽体的界面）发生反射后，会再次传输到第一个界面，在第一个界面发射再次反射，而再次到达第二个界面，在这个界面会有一部分能量穿透界面，泄漏到空间。这部分是额外泄漏的。应该考虑进屏蔽效能的计算。这就是多次反射修正因子，用字母B表示，大部分场合，B都可以忽略。

SE = R A B

屏蔽体的有效性用屏蔽效能（SE）来度量。屏蔽效能的定义如下：

SE=20lg(E1/E2) (dB)

式中：E1 =没有屏蔽时的场强 E2 =有屏蔽时的场强

如果屏蔽效能计算中使用的是磁场强度，则称为磁场屏蔽效能，如果屏蔽效能计算中使用的是电场强度，则称为电场屏蔽效能。屏蔽效能的单位是分贝(dB)，下表是衰减量与分贝的对应关系：

一般民用产品机箱的屏蔽效能在40dB以下，军用设备机箱的屏蔽效能一般要达到60dB，TEMPEST设备的屏蔽机箱屏蔽效能要达到80dB以上。屏蔽室或屏蔽舱等往往要达到100dB。100dB以上的屏蔽体是很难制造的，成本也很高。

同一个屏蔽体对于不同性质的电磁波，其屏蔽性能不同。因此，在考虑电磁屏蔽性能时，要对电磁波的种类有基本认识。电磁波有很多分类的方法，但是在设计屏蔽时，将电磁波按照其波阻抗分为电场波、磁场波、和平面波。

电磁波的波阻抗ZW 定义为：电磁波中的电场分量E与磁场分量H的比值: ZW = E / H

电磁波的波阻抗电磁波的辐射源性质、观测点到辐射源的距离以及电磁波所处的传播介质有关。

距离辐射源较近时，波阻抗取决于辐射源特性。若辐射源为大电流、低电压（辐射源的阻抗较低），则产生的电磁波的波阻抗小于377，称为磁场波。若辐射源为高电压、小电流（辐射源的阻抗较高），则产生的电磁波的波阻抗大于377，称为电场波。

距离辐射源较远时，波阻抗仅与电场波传播介质有关，其数值等于介质的特性阻抗，空气为377Ω。

电场波的波阻抗随着传播距离的增加降低，磁场波的波阻抗随着传播距离的增加升高。

注意:近场区和远场区的分界面随频率不同而不同，不是一个定数，这在分析问题时要注意。例如，在考虑机箱屏蔽时，机箱相对于线路板上的高速时钟信号而言，可能处于远场区，而对于开关电源较低的工作频率而言，可能处于近场区。在近场区设计屏蔽时，要分别电场屏蔽和磁场屏蔽。

电磁波是电磁能量传播的主要方式，高频电路工作时，会向外辐射电磁波，对邻近的其它设备产生干扰。另一方面，空间的各种电磁波也会感应到电路中，对电路造成干扰。电磁屏蔽的作用是切断电磁波的传播途径，从而消除干扰。在解决电磁干扰问题的诸多手段中，电磁屏蔽是最基本和有效的。用电磁屏蔽的方法来解决电磁干扰问题的最大好处是不会影响电路的正常工作，因此不需要对电路做任何修改。

从上面给出的屏蔽效能计算公式可以得出一些对工程有实际指导意义的结论，根据这些结论，我们可以决定使用什么屏蔽材料，注意什么问题。下面给出的结论，初步一看，会感到杂乱无章，无从应用，但是结合上面第3和第4条仔细分析后，会发现这些结论都有着内在联系。深入理解下面的结论对于结构设计是十分重要的。

1）材料的导电性和导磁性越好，屏蔽效能越高，但实际的金属材料不可能兼顾这两个方面，例如铜的导电性很好，但是导磁性很差；铁的导磁性很好，但是导电性较差。应该使用什么材料，根据具体屏蔽主要依赖反射损耗、还是吸收损耗来决定是侧重导电性还是导磁性；

2）频率较低的时候，吸收损耗很小，反射损耗是屏蔽效能的主要机理，要尽量提高反射损耗；

3）反射损耗与辐射源的特性有关，对于电场辐射源，反射损耗很大；对于磁场辐射源，反射损耗很小。因此，对于磁场辐射源的屏蔽主要依靠材料的吸收损耗，应该选用磁导率较高的材料做屏蔽材料。

4）反射损耗与屏蔽体到辐射源的距离有关，对于电场辐射源，距离越近，则反射损耗越大；对于磁场辐射源，距离越近，则反射损耗越小；正确判断辐射源的性质，决定它应该靠近屏蔽体，还是远离屏蔽体，是结构设计的一个重要内容。

5）频率较高时，吸收损耗是主要的屏蔽机理，这时与辐射源是电场辐射源还是磁场辐射源关系不大。

6）电场波是最容易屏蔽的，平面波其次，磁场波是最难屏蔽的。尤其是（1KHz以下）低频磁场，很难屏蔽。对于低频磁场，要采用高导磁性材料，甚至采用高导电性材料和高导磁性材料复合起来的材料。

一般除了低频磁场外，大部分金属材料可以提供100dB以上的屏蔽效能。但在实际工作中，要达到80dB以上的屏蔽效能也是十分困难的。这是因为，屏蔽体的屏蔽效能不仅取决于屏蔽体的结构。屏蔽体要满足电磁屏蔽的基本原则。电磁屏蔽的基本原则有两个：

1）屏蔽体的导电连续性：这指的是整个屏蔽体必须是一个完整的、连续的导电体。这一点在实现起来十分困难。因为一个完全封闭的屏蔽体是没有任何使用价值的。一个实用的机箱上会有很多孔缝造成屏蔽：通风口、显示口、安装各种调节杆的开口、不同部分的结合缝隙等。由于这些导致导电不连续的因素存在，如果设计人员在设计时没有考虑如何处理，屏蔽体的屏蔽效能往往很低，甚至没有屏蔽效能。

2）不能有直接穿过屏蔽体的导体：一个屏蔽效能再高的屏蔽机箱，一旦有导线直接穿过屏蔽机箱，其屏蔽效能会损失99.9%（60dB）以上。但是，实际机箱上总会有电缆穿出（入），至少会有一条电源电缆存在，如果没有对这些电缆进行妥善的处理（屏蔽或滤波），这些电缆会极大的损坏屏蔽体。妥善处理这些电缆是屏蔽设计的重要内容之一。（穿过屏蔽体的导体的危害有时比孔缝的危害更大）

电磁屏蔽体与接地无关：对于静电场屏蔽，屏蔽体是必须接地的。但是对于电磁屏蔽，屏蔽体的屏蔽效能却与屏蔽体接地与否无关，这是设计人员必须明确的。在很多场合，将屏蔽体接地确实改变了电磁状态，但这是由于其它一些原因，而不是由于接地导致屏蔽体的屏蔽效能发生改变。

如前所述，屏蔽体上的孔洞是造成屏蔽体泄漏的主要因素之一孔洞产生的电磁泄漏并不是一个固定的数，而是与电磁波的频率、种类、辐射源与孔洞的距离等因素有关孔洞对电磁波的衰减可以用下面公式进行计算这里假设孔洞深度为0

在远场区：SE=100-20lgL-20lgf 20lg(1 2.3lg(L/H))

若L≥λ/2，则SE=0 dB ，这时，孔洞是完全泄漏的

式中： L=缝隙的长度（mm），H=缝隙的宽度（mm），f=入射电磁波的频率（MHz）

这个公式是在远场区中，最坏的情况下（造成最大泄漏的极化方向）的屏蔽效能（实际情况下屏蔽效能可能会更大一些）

在近场区：

若辐射源是电场辐射源 SE=48 20lgZC-20lgLf 20lg(1 2.3lg(L/H))

若辐射源是磁场辐射源 SE=20lg（πD/L） 20lg(1 2.3lg(L/H))

式中：ZC=辐射源电路的阻抗（Ω），D=孔洞到辐射源的距离（m）， L、H=孔洞的长、宽（mm），f=电磁波的频率（MHz）

注意：

1)近场区,孔洞的泄漏与辐射源的特性有关当辐射源是电场源时，孔洞的泄漏远比远场小（屏蔽效能高），当辐射源是磁场源时，孔洞的泄漏远比远场大（屏蔽效能低）

2）对于近场，磁场辐射源的场合，屏蔽效能与电磁波的频率没有关系，因此，千万不要认为辐射源的频率较低（许多磁场辐射源的频率都较低），而掉以轻心

3）这里对磁场辐射源的假设是纯磁场源，因此可以认为是一种在最坏条件下，对屏蔽效能的保守计算

对于磁场源，屏蔽与孔洞到辐射源的距离有关，距离越近，则泄漏越大这点在设计时一定要注意，磁场辐射源一定要远离孔洞

多个孔洞的情况：当N个尺寸相同的孔洞排列在一起，并且相距很近（距离小于1/2）时，造成的屏蔽效能下降为10lgN在不同面上的孔洞不会增加泄漏，因为其辐射方向不同，这个特点可以在设计中用来避免某一个面的辐射过强

一般情况下，屏蔽机箱上的不同部分的结合处不可能完全接触，只能在某些点接触上，这构成了一个孔洞阵列。缝隙是造成屏蔽机箱屏蔽效能降级的主要原因之一。在实际工程中，常常用缝隙的阻抗来衡量缝隙的屏蔽效能。缝隙的阻抗越小，则电磁泄漏越小，屏蔽效能越高。

缝隙处的阻抗：

缝隙的阻抗可以用电阻和电容并联来等效，因为接触上的点相当一个电阻，没有接触的点相当于一个电容，整个缝隙就是许多电阻和电容的并联。低频时，电阻分量起主要作用；高频时，电容分量起主要作用。由于电容的容抗随着频率升高降低，因此如果缝隙是主要泄漏源，则屏蔽机箱的屏蔽效能优势随着频率的升高而增加。但是，如果缝隙的尺寸较大，高频泄漏也是缝隙泄漏的主要现象。

影响电阻成分的因素：

影响缝隙上电阻成分的因素主要有：接触面积（接触点数）、接触面材料（一般较软的材料接触电阻较小）、接触面的清洁程度、接触面的压力（压力要足以使接触点穿透金属表层氧化层）、氧化腐蚀等。

影响电容成分的因素：

根据电容器原理，很容易知道：两个表面之间距离越近，相对的面积越大，则电容越大。

解决缝隙泄漏的措施：

1） 接触面的重合面积，这可以减小电阻、增加电容。

2） 使用尽量多的紧固螺钉，这也可以减小电阻、增加电容。

3） 保持接触面清洁，减小接触电阻。

4） 保持接触面较好的平整度，这可以减小电阻、增加电容。

5） 使用电磁密封衬垫，消除缝隙上不接触点。

电磁密封衬垫是一种表面导电的弹性物质。将电磁密封衬垫安装在两块金属的结合处，可以将缝隙填充满，从而消除导电不连续点。

使用了电磁密封衬垫后，缝隙中就没有较大的孔洞了，从而可以减小高频电磁波的泄漏。使用电磁密封衬垫的好处如下：

1）降低对加工的要求，允许接触面的平整度较低。

2）减少结合处的紧固螺钉，增加美观性和可维修性。

3）缝隙处不会产生高频泄漏。

虽然在许多场合电磁密封衬垫都能够极大地改善缝隙泄漏，但是如果两块金属之间的接触面是机械加工（例如，铣床加工），并且紧固螺钉的间距小于3厘米，则使用电磁密封后屏蔽效能不会有所改善，因为这种结构的接触阻抗已经很低了。

从电磁密封衬垫的工作原理可以知道，使用了电磁密封衬垫的缝隙的电磁泄漏主要由衬垫材料的导电性和接触表面的接触电阻决定。因此，使用电磁密封衬垫的关键是：

1）选用导电性好的衬垫材料。

2）保持接触面的清洁

3）对衬垫施加足够的压力（以保证足够小的接触电阻）。

4）衬垫的厚度要足以填充最大的缝隙

电磁密封衬垫的灵活运用

除非对屏蔽的要求非常高的场合，否则并不需要在缝隙处连续使用电磁密封衬垫。在实践中，可以根据屏蔽效能的要求间隔的安装衬垫，每段衬垫之间形成的小孔洞泄漏可以用前面的公式计算。在样机上精心地调整衬垫间隔，使既能满足屏蔽的要求，又使成本最低。对于民用产品，衬垫之间的间隔可以为λ/20~λ/100之间。军用产品则一般要连续安装。

任何同时具有导电性和弹性的材料都可以作为电磁密封衬垫使用因此，市场上可以见到很多种类的电磁密封衬垫这些电磁密封衬垫各有特色，适合于不同的应用场合设计者要熟悉各种电磁密封衬垫的特点，在设计中灵活选用，达到满足产品性能要求、提高产品可靠性、降低产品成本的目的选择电磁密封衬垫时需要考虑几个主要因素：屏蔽效能、环境适应性、便于安装性、电器稳定性

屏蔽效能：根据需要抑制的干扰频谱确定整体屏蔽效能，电磁密封衬垫要满足整体屏蔽的要求不同种类的衬垫，在不同频率的屏蔽效能是不同的

使用环境：电磁密封衬垫之所以有这么多的种类的一个主要原因是要满足不同环境的要求，使用环境对衬垫的性能和寿命有很大的影响

结构要求：衬垫的主要作用是减小缝隙的泄漏，缝隙的结构设计对衬垫的效果有很大的影响在进行结构设计时，有以下几个因素要考虑：

·压缩变形：电磁密封衬垫只有受到一定压力时才起作用在压力作用下，衬垫发生形变，形变量与衬垫上所受的压力成正比大部分衬垫要形变30~40%才能具有较好的屏蔽效果

·压缩永久形变：当衬垫长时间受到压力时，即使压力去掉，它也不能完全恢复原来的形状，这就是压缩永久形变这种特性当衬垫频繁被压缩、放开时（例如门和活动面板）要特别注意

电器稳定性：电磁密封衬垫是通过在金属之间提供低阻抗的导电通路来实现屏蔽的目的的因此，其电器稳定性对于保持屏蔽体的屏蔽效能是十分重要的

安装成本：电磁密封衬垫的安装方法是决定屏蔽成本的一个主要因素衬垫的成本包括衬垫本身的成本、安装工时成本、加工成本等在考虑衬垫成本时，要综合考虑这些因素

金属丝网衬垫：这是一种最常用的电磁密封材料。从结构上分，有全金属丝、空心和橡胶芯等三种。常用的金属丝材料为：蒙乃尔合金、铍铜、镀锡钢丝等。其屏蔽性能为：低频时屏蔽效能较高，高频时屏蔽效能较低。一般用在1GHz以下的场合。

主要优/缺点：价格低，过量压缩时不易损坏/高频时屏蔽效能较低。

导电橡胶：通常用在有环境密封要求的场合。从结构上分，有板材和条材两种，条材又分为空心和实心两种。板材则有不同的厚度。材料为：硅橡胶中掺入铜粉、铝粉、银粉、镀银铜粉、镀银铝粉、镀银玻璃粉等。其屏蔽性能为：低频时屏蔽效能较低，高频时屏蔽效能较高。

主要优/缺点：同时提供电磁密封和环境密封。较硬，价格高，由于表面较软，有时不能刺透金属表面的氧化层，导致屏蔽效能很低。

指形簧片：通常用在接触面滑动接触的场合。性状繁多，材料为铍铜，但表面可做不同涂覆。屏蔽性能为高频、低频时屏蔽效能都较高。

主要优/缺点：变形量大、屏蔽效能高、允许滑动接触（这便于拆卸）/价格高。

螺旋管衬垫：由铍铜或不锈钢材卷成的螺旋管，屏蔽效能高（所有电磁密封衬垫屏蔽效能最高的）。

主要优/缺点：价格低，屏蔽效能高/受过量压缩时容易损坏。

导电布衬垫：导电布包裹上发泡橡胶芯构成，一般为矩形，带有背胶，安装非常方便。高低频时屏蔽效能都较高。

主要优/缺点：价格低，过量压缩时不容易损坏、柔软、具有一定的环境密封作用/频繁摩擦会损坏导电表层

电磁屏蔽技术就是防止电子设备或者电子元器件之间产生电磁场感应干扰的一种技术。主要有三种方法：

电磁屏蔽就是以金属隔离的原理来控制电磁干扰由一个区域向另一区域感应和辐射传播的方法。屏蔽一般分为两种类型：一类是静电屏蔽，主要用于防治静电场和恒定磁场的影响，另一类是电磁屏蔽，主要用于防止交变电场、交变磁场以及交变电磁场的影响。