半导体侧泵激光划片机
半导体侧泵激光划片机型号规格 SDS50，划片精度±10μm。
半导体侧泵激光划片机基本信息
| 中文名称 | 半导体侧泵激光划片机 | 激光功率 | 50W |
|---|
太阳能行业单晶硅、多晶硅、非晶硅带太阳能电池片和硅片的划片。电子行业单晶硅和多晶硅硅片的分离切割。
半导体侧泵激光划片机造价信息
太阳能行业单晶硅、多晶硅、非晶硅等太阳能电池片和硅片的划片(切割、切片);电子行业单晶硅和多晶硅硅片的分离切割。
半导体侧泵激光划片机采用半导体泵浦激光器，一体化程度更高、光束质量更好、运行成本更低、免维护时间更长;关键部件均采用尽快产品，整机结构简单、划片速度快、精度更高，能24小时长期连续工作。
半导体侧泵激光划片机常见问题
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紧凑型全固态半导体泵浦激光打标机研制成功2010-05-28 科学时报 邓岩;刘扬;姜楠;石明山近日，依托中科院长春光机所的长春新产业光电技术有限公司成功研制了紧凑型全固态半导体泵浦激光打标机，倍受市...
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匿名用户侧泵打标机最早应用。主要使用的是Nd:YAG晶体棒做增益介质。端泵的最多采用Nd:YVO4晶体，光纤是掺铒的增益光纤。同样以10W来说：打标效果不同主要的影响因素在于功率，频率，相同频率下脉冲...
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半导体激光泵浦全固态激光器（DPSSL）进行激光打标的工作原理是利用大功率半导体量子阱激光器代替气体灯泵浦固态晶体为增益介质激光谐振腔，使之产生新波长的激光，在利用晶体备频混频交应产生SHG、THG等...
型号规格:SDS50
激光波长:1064nm
划片精度:±10μm
划片线宽:≤50μm
激光重复频率:200Hz~50KHz
最大划片速度:140mm/s
激光功率:50W
工作台幅面:350mm×350mm
使用电源:380V(220V)/ 50Hz/ 3.5KVA
冷却方式:循环水冷
工作台:双气仓负压吸附，T型台双工作位交替工作
半导体侧泵激光划片机文献
半导体侧泵模块激光晶体内吸收光场分析
建立了半导体侧面泵浦模块中激光晶体的吸收光场分布模型,利用Matlab软件计算了吸收光场的归一化分布形貌,提出了两个重要参数:阵列切向位移量与径向角度偏离度。结果表明:当阵列切向位移量为0~0.5 mm时,晶体相对吸收强度、光场均匀性等参数基本不变;当该数值大于0.5 mm时,吸收强度急剧下降、光场不均匀性急剧增加;相比而言,径向角度偏移对晶体吸收光场分布的影响较小,总体上呈现随着该数值的增加,吸收强度减小、光场不均匀性增加。以上研究结论为目前半导体侧泵模块的研制生产提供了理论指导。
多芯片半导体激光器光纤耦合设计
应用ZEMAX光学设计软件模拟了一种多芯片半导体激光器光纤耦合模块,将12支808nm单芯片半导体激光器输出光束耦合进数值孔径0.22、纤芯直径105μm的光纤中,每支半导体激光器功率10 W,光纤输出端面功率达到116.84W,光纤耦合效率达到97.36%,亮度达到8.88MW/(cm2·sr)。通过ZEMAX和ORIGIN软件分析了光纤对接出现误差以及单芯片半导体激光器安装出现误差时对光纤耦合效率的影响,得出误差对光纤耦合效率影响的严重程度从大到小分别为垂轴误差、轴向误差、角向误差。
侧泵浦激光划片机产品特点
采用半导体侧面泵浦 激光器
l 更高的一体化程度，更好的光束质量
l 更低的运行成本
l 更长免维护时间
l 关键部件均采进口
l 更简单的整机结构
l 高划片速度
l 高精度，并能够24小时长期连续工作
2000年武汉三工光电设备制造邮箱公司自主研发出全系类激光划片机，包含端泵浦、侧泵浦以及光纤激光划片机，发展到如今，武汉三公光电设备制造有限公司已占据国内激光划片机85%的份额
型号规格 | SDS50 |
激光波长 | 1064nm |
划片精度 | ±10μm |
划片线宽 | ≤50μm |
激光重复频率 | 200Hz~50KHz |
最大划片速度 | 140mm/s |
激光功率 | 50W |
工作台幅面 | 350mm×350mm |
使用电源 | 380V(220V)/ 50Hz/ 3.5KVA |
冷却方式 | 循环水冷 |
工作台 | 双气仓负压吸附，T型台双工作位交替工作 |
应用和市场:
太阳能行业单晶硅、多晶硅、非晶硅等太阳能电池片和硅片的划片(切割、切片);电子行业单晶硅和多晶硅硅片的分离切割。
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