TSV

在建筑环境学的研究中，由于无法测量热感觉，只能采用问卷的方式了解受试者对环境的热感觉，即要求受试者按某种等级标度(主要为Bedford标度和ASHRAE标度)来描述其热感。

心理学研究表明一般人可以不混淆地区分感觉量级不超过七个，因此对热感觉的评价指标往往采用七个等级(见下表)，在进行热感觉实验的时候，设置一些投票的方式来让受试者说出自己的热感觉，这种投票的方式叫做热感觉投票 TSV，其内容是一个与ASHRAE热感觉标度一致的七级分度指标，分级往往为-3~+3。

Bedford和ASHRAE的七点标度

英特尔公司首席技术官贾斯廷·拉特纳表示，TSV技术是英特尔公司的工程师首先为未来的80核处理器产品开发的。这项技术的实质，是每一个处理内核通过一个TSV通道直接连接一颗256KB的内存芯片(充当了缓存)，随着缓存数量的增加，这些缓存将可以替代另外的内存芯片。

拉特纳指出，虽然TSV技术是面向80核处理器开发的，不过这种技术可以应用到其他处理器产品中。这样导致的一种结果是，未来英特尔公司的处理器将直接内置足够多的内存芯片，电脑厂商或者攒机用户都无需再单独购买内存条。

在 Excel 中打开 TSV 或 CSV 文件

1. 在 Excel文件菜单上, 单击打开。

2. 单击以选中 TSV(为用制表符tab分隔的文件) 或 CSV (为用逗号,分隔的文件)文件。

3. 如果文件是逗号分隔, 单击下一步， 然后继续执行步骤 4。 如果文件是制表符分隔, 单击完成， 然后引用到下文 " 要保存将文件从 Excel 中 TSV 格式 " 部分。

4.分隔符区域, 中单击以选择逗号， 单击以清除所有其他选定分隔符, 然后单击下一步和完成。

TSV在半导体微电子领域，代表硅穿孔Through Si via。在3D IC封装及MEMS封装过程中，由于要使用到多层芯片互联，因此需要打穿整个芯片的孔来实现电学连接。比较流行的两种方法为先通孔(via first)与后通孔(via last)。

TSV(Thermal Sensation Vote)

硅片通道

通过硅通孔(TSV)铜互连的立体(3D)垂直整合，目前被认为是半导体行业最先进的技术之一。硅片通孔(TSV)是三维叠层硅器件技术的最新进展。

TSV是一种重要的开发技术，其利用短的垂直电连接或通过硅晶片的"通孔"，以建立从芯片的有效侧到背面的电连接。TSV提供最短的互连路径，为最终的3D集成创造了一条途径。

TSV技术比引线键合和倒装芯片堆叠提供更大的空间效率和更高的互连密度。当结合微凸块接合和先进的倒装芯片技术时，TSV技术能够在更小的外形尺寸下实现更高水平的功能集成和性能。

半导体器件不断响应"更快，更便宜，更小"的需求。随着消费电子产品越来越复杂和更紧凑，预计设备将在更小的维度上以更高的速度提供更多的功能。过去，这些要求通过摩尔定律和现在的"更多摩尔"驱动的电路及其部件的小型化已经在很大程度上得到满足。然而，近年来，以导线键合和倒装芯片堆叠形式的3D集成已经进入了主流半导体制造，以解决物理扩展的局限性，同时提供更好的性能和功能。

"硅片通道"(TSV)正在成为3D集成的一种方法，为设计人员提供了比引线键合和倒装芯片堆叠更自由，更高的密度和空间利用率。

在TSV中，两个或多个垂直堆叠的芯片通过穿过堆叠的垂直互连(即跨越两个或更多个相邻芯片之间的接口)并且用作集成电路的组件而被连接。

堆叠和硅片通道连接(类似或不同)裸片:可以创建高性能器件。

虽然可以使用常规引线键合技术组合两个管芯，但是耦合损耗将降低数据交换的速度，从而降低性能。

TSV解决了引线接合的数据交换问题，并提供了其他一些有吸引力的优点，包括管芯之间更短的互连，减少水平布线引起的损耗，并消除缓冲区浪费的空间和功耗(通过冗长的电路推动信号的中继器)。

TSV还可以减少电路中的电气寄生耦合现象，提高设备切换速度。此外，TSV可以提供比引线键合更高的输入/输出密度。