8039芯片处理方案

当今的CMOS图像转换技术不仅服务于"传统的"工业图像处理，而且还凭借其卓越的性能和灵活性而被日益广泛的新颖消费应用所接纳。此外，它还能确保汽车驾驶时的高安全性和舒适性。最初，CMOS图像传感器被应用于工业图像处理;在那些旨在提高生产率、质量和生产工艺经济性的全新自动化解决方案中，它至今仍然是至关重要的一环。

8039 芯片方案是专门针对目前全球安防监控市场研发设计的一款独到专业级方案，伴随着全球安防的持续发展，前端高清数字技术对于安防监控系统起着至关重要的作用，产品除了需要在能达成高品质的成像效果的同时，还需要一定的经济性，能够满足全球安防行业普及的需求。

公司研发人员长期致力于数字无线2.4G传输、数字安防图像系统，医疗高清成像系统等尖端成像技术的革新，该实验室推出的独特的APS(Active Pixel Sensor，主动像素传感器)CMOS元件，具有分辨率高、噪声低、暗电流小以及感光范围大等诸多优点，这种传感器拥有的一项专利技术能够为CMOS-APS提供较高的填充因子数。与感光面积局限在二极管面积内的传统APS像素，Sarnoff方法能够将标准CMOS加工芯片的大部分面积转变为感光面积，高达78%的填充因子是产品具备高感光度的有力保证。该芯片方案面世以来被大多数国家的安防公司广泛使用。

研发团队历时8个多月，对该芯片投入了大量的时间研发优化，调整色彩还原度，使颜色极为逼真艳丽。优化了清晰度超越800电视线，甚至可达850线。保证清晰度的前提下优化了低照度，夜视噪点小，亮度高效果好;采用特殊设计，保证了产品的热稳定性，在业内处于领先地位。

测试出来的效果在各项指标经对比都超越了高端SONY EFFIO 芯片和镁光139芯片，相信该8039芯片的推出，将会带来数字图像领域的新革命。

CMOS传感器在早期是以PPS技术(Passive-Pixel Structure ，被动像素结构)为主，但是效率较低。

现在新的CMOS图像传感器采用APS技术(Active-Pixel-Sensor，主动像素传感器)，使图像品质得到了大幅提升。

SiS 620芯片组

SiS 620是SiS家族最早推出的整合型芯片组，该芯片组支持P6总线协议，支持Celeron/PentiumⅡ/PentiumⅢ，北桥芯片上集成了独立的64位2D/3D图形处理器--SiS 6326，可选择外接2MB，4MB或8MB同步显存，支持230MHz RAMDAC。通过UMA(统一存储结构)可以把主内存作为帧缓冲使用，它还支持液晶显示器输出，2D性能较佳，但3D性能较弱，所以未能得到个人用户的支持，但在商用领域却使用得较为广泛。

SiS 630芯片组

SiS 630芯片组继SiS620之后，SiS又推出了高整合，高性能的SiS630系列(包括630、630E、630S)。SiS630系列芯片组整合程度相当高，它将南，北桥芯片合二为一，并且整合了3D图形芯片SiS300/301.SiS 300/301是一款真正128位的3D图形加速引擎，支持许多3D特效，据称它比SiS 6326快5倍，性能大概与NⅥDIA的TNT2显卡相当。另外，SiS 301还可以接驳第二台CRT显示器或电视机，可以满足用户的不同需要。

SiS650芯片组

SiS650芯片组主要由北桥芯片SiS650和南桥芯片SiS961组成，支持DDR333，DDR266和PC133内存，最高可达3GB内存容量，支持新一代的Pentium4，并且采用矽统独创的MuTIOL技术，提供高达533M/s的超高带宽与南桥SiS961相连。而且内部集成了矽统自行研发的256位 2D\3D绘图芯片SiS315，并拥有高达2GB/s的显示内存数据宽带。而且南桥SiS961芯片具备强大的功能，支持AC'97声卡，10 /100M自适应以太网卡，V.90Modem，6组PCI插槽以及6个USB接口等等，在功能上强过它以往推出的整合芯片组。

SiS 730S芯片组

SiS 730S是业界第一颗支持AMD Athlon处理器平台的整合单芯片。与SiS 630相比，除了处理器接口协议不同以外，其余没有任何改变。SiS 730S将一块BGA(672根针脚)封装的北桥逻辑芯片、SiS 960超级南桥芯片及128位的SiS 300图形芯片整合为单芯片。可支持3D立体眼镜、DVD硬件加速与双重显示输出，以及内建3D立体音效、56kbps Modem、100Mbps以太网卡(Fast Ethernet)、1/10Mbps家庭网络(Home PNA)、ATA/100接口、ACR接口，另外，最多支持6USB设备接入的2个USB控制器。该芯片特别设计可供升级的AGP 4X接口，以满足消费者额外的需求。而共享式显存设计最大可以由主内存中分配64MB内存作为SiS 300的显示缓存使用(可以在4/8/16/32/64MB之间选择共享容量)。支持3GB内存的SiS 730S最多可以使用3条DIMM插槽接入，最大支持单条512MB SDRAM。

定义:MB 芯片﹕Metal Bonding (金属粘着)芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品

特点:1、 采用高散热系数的材料---Si 作为衬底﹐散热容易.

Thermal Conductivity

GaAs: 46 W/m-K

GaP: 77 W/m-K

Si: 125 ~ 150 W/m-K

Cupper:300~400 W/m-k

SiC: 490 W/m-K

2、通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收.

3、导电的Si 衬底取代GaAs 衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4 倍)，更适应于高驱动电流领域。4、底部金属反射层﹐有利于光度的提升及散热

5、尺寸可加大﹐应用于High power 领域﹐eg : 42mil MB

定义:GB 芯片﹕Glue Bonding (粘着结合)芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品

特点: 1﹕透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底﹐其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底.

2﹕芯片四面发光﹐具有出色的Pattern图

3﹕亮度方面﹐其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)

4﹕双电极结构﹐其耐高电流方面要稍差于TS单电极TS芯片定义和特点

TS芯片

定义:TS 芯片﹕ transparent structure(透明衬底)芯片﹐该芯片属于HP 的专利产品。

特点:1.芯片工艺制作复杂﹐远高于AS LED

2. 信赖性卓越

3.透明的GaP衬底﹐不吸收光﹐亮度高

4.应用广泛

AS芯片

定义:AS 芯片﹕Absorbable structure (吸收衬底)芯片﹔经过近四十年的发展努力﹐台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段﹐各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平﹐差距不大. 大陆芯片制造业起步较晚﹐其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距﹐在这里我们所谈的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等

特点: 1. 四元芯片﹐采用 MOVPE工艺制备﹐亮度相对于常规芯片要亮

2. 信赖性优良

3. 应用广泛

1、LPE:Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP

2、VPE:Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs

3、MOVPE:Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN

4、SH:GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs

5、DH:GaAlAs/GaAs Double Heterostructure， (双异型结构) GaAlAs/GaAs

6、 DDH:GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure， (双异型结构) GaAlAs/GaAlAs