Ⅰ-Ⅴ曲线是最基本也是最重要的表征太阳能电池性能的方法。而在有机小分子器件中,各个界面的物理过程发挥至关重要的作用。因此,着重研究界面物理过程对于Ⅰ-Ⅴ曲线的影响。在实验中证实了S形Ⅰ-Ⅴ曲线来自于ITO/有机界面的衰减,并且提出了一个改良的器件等效电路模型。进一步地,在ITO/有机界面处插入MoO_x层会显著地抑制界面势垒的产生,避免了S形Ⅰ-Ⅴ曲线的出现,从而极大地延长了器件的寿命。还发现给体材料CuPc与受体材料C_(60)中激子产生的光电流对负向偏压的响应完全不同,通过实验提出了在C_(60)层中三态激子-电子相互作用是导致这个现象的主要物理机制。
北京交通大学毕业设计（论文） 第 1 页 1 1有机太阳能电池概述 1. 1 研究背景 随着化石能源的日益枯竭 ,可再生能源的寻求已经迫在眉睫，太阳能 作为一种取之不尽、 用之不竭的绿色能源受到了人们的关注。据统计， 地 球表面接受的太阳能辐射达到全球需求能源的一万倍， 地球每平方米平均 每年受到的辐射可发电 289kw. h，在全球 4%的沙漠上装太阳光伏系统， 就足以满足全球能源需求。 因此光伏发电具有广阔的发展空间。 目前占光 伏市场主导地位的是单晶硅和多晶硅太阳能电池。但是 ,昂贵的成本是限 制无机太阳能电池进一步发展的重要因素。 并且，中国多晶硅价格从去年 最高的超过 300万元 /吨，下降至目前大约 120万元 /吨。薄膜太阳能电池 等由于成本低 ,市场份额迅速扩大，这不仅对传统晶硅电池价格形成压制， 同时在一定程度上降低了太阳能发电成本。 从 20世纪 70年代开始人们就越
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