利用Muller_C单元,设计一种异步保存及互锁存储单元结构,该结构采用状态锁存机制和增加节点电容方法,能有效防止单粒子翻转效应的发生,同时也可提高电路抗单粒子瞬变和多节点扰动效应的能力。在0.18μm工艺条件下用此结构设计的D触发器,面积为1 422μm2,动态功耗为0.42mW,建立时间为0.2ns,保持时间为0.03ns。实验结果表明:利用触发器链验证电路,在时钟频率为20 MHz时,单粒子LET翻转阈值为31MeV·cm2/mg,比双互锁存储单元结构的抗单粒子能力提高40%。
低防开关整定计算 一、 过流保护： 1、 整定原则 : 过流整定选取值 I过流应依据开关可调整范围略大于或等于所带设备 额定电流 Ie。如果低防开关带皮带负荷，为躲过皮带启动电流， 过流 整定值 I过流应依据开关可调整范围取所带设备额定电流 Ie的 1.5倍。 低防总开关过流整定值考虑设备同时运行系数和每台设备运行时的 负荷系数（取同时系数 Kt=0.8－0.9，负荷系数取 Kf＝0.8－0.9），在 选取时总开关过流整定值应为各分开关 （包括照明综保） 过流整定值 乘以同时系数 Kt 和负荷系数 Kf。（依据经验，如果总开关所带设备 台数较少，同时系数可取 0.9）。 2、 计算公式（额定电流 Ie） Ie=Pe/（Ue cosФ） Pe：额定功率（ W） Ue：额定电压（ 690V） cosФ：功率因数（一般取 0.8） 注：BKD1-400 型低防开关过流整定范围（ 40-400A
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