双向可控硅及其触发电路 双向可控硅是一种功率半导体器件， 也称双向晶闸管， 在单片机控制系统中， 可作为功 率驱动器件， 由于双向可控硅没有反向耐压问题， 控制电路简单， 因此特别适合做交流无触 点开关使用。 双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器， 且连接在强电网络中， 其 触发电路的抗干扰问题很重要， 通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加 载到可控硅的控制极。 为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰， 交流电路双向可控硅的 触发常采用过零触发电路。 （过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通， 由于采用过零 触发，因此需要正弦交流电过零检测电路） 双向可控硅分为三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其导通条件如下图： 总的来说导通的条件就是： G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够 的导通电流就可以使可控硅导通，这个电压可以是正、负，和 T1、T2之间的电流
低触发电压的可控硅结构保护电路设计的详细介绍 低触发电压的可控硅 ESD 保护结构的设计 摘要：当前的集成电路设计中大量采用了可控硅的设计结构来进行 ESD 的保护，但是一 般的 SCR 保护结构很难满足现在低电压，以及一些特殊要求的集成电路 ESD 保护的要 求。研究一种低触发电压的可控硅结构保护电路，通过和工艺寄生参数的结合，满足了低 触发电压的设计要求。 关键词：集成电路设计；静电保护；可控硅结构；触发电流 1 引言 静电放电（ ESD）对 CMOS 集成电路的可靠性构成了很大威胁 [1]。随着集成电路设计水 平的提高和应用领域的扩大，对于 CMOS 集成电路来说，由于特征尺寸较小，电源电压 较低，ESD 保护仅仅采用传统的二极管结构已经不能满足要求。 目前广泛使用的 ESD 保 护电路中，可控硅（ SCR）结构具有单位面积下最高的 ESD 保护性能 [2]，同时具有很好 的大电流特
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