半导体激光器输出特性的影响因素 半导体激光器是一类非常重要的激光器,在光通信、光存储等很多领域都有广泛的应 用。下面我将探讨半导体激光器的波长、光谱、光功率、激光束的空间分布等四个方面的 输出特性,并分析影响这些输出特性的主要因素。 1. 波长 半导体激光器的发射波长是由导带的电子跃迁到价带时所释放出的能量决定的, 这个能 量近似等于禁带宽度 Eg(eV)。 hf = Eg f (Hz) 和λ(μm)分别为发射光的频率和波长 且c=3×108m/s, h=6.628 ×10- 34 J ·s, leV=1.60 × 10- 19 J 得 决定半导体激光器输出光波长的主要因素是 半导体材料 和温度 。 不同半导体材料有不同的禁带宽度 Eg,因而有不同的发射波长 λ:GaAlAs-GaAs 材料 适用于 0.85 μm波段, InGaAsP-InP材料适用于 1.3~1.55 μm波段。