第 30 卷第 3 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 30 , No. 3 2 0 0 2 年 6 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY J une , 2 00 2 综合评述 宽带隙半导体材料 SiC研究进展及其应用 王玉霞,何海平,汤洪高 (中国科学技术大学材料科学与工程系 , 合肥 230026 ) 摘 要 :SiC 是第 3代宽带隙半导体的核心材料之一 , 具有极为优良的物理化学性能 , 应用前景十分广阔 . 本文综合介绍 SiC的基本特性 , 材 料的生长技术 (包括体单晶生长和薄膜外延生长技术 ) , SiC基器件的研发现状 , 应用领域及发展前景 . 同时还介绍了作者用脉冲激光淀积法 在 Si衬底上制备出单晶 4H - SiC薄膜的研究结果 . 关键词 : 碳化硅 ; 体单晶生长 ; 薄膜 ; 器件 中图分类号 : TN
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